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公开(公告)号：CN103281841A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310230990.3
申请日：2013-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H05B37/02
Abstract: 一种AC-LED驱动电路，包括：一交流电源；一整流桥，其输入端与交流电源的一端连接，输出端接地；至少一个以上的AC-LED组的AC-LED串，其AC-LED组有至少五个LED以上的惠斯通电桥结构，或是至少两个以上的LED的正反向并联结构，该AC-LED串为串联，AC-LED串的正极与整流桥的输入另一端连接，AC-LED串的负极连接交流电源的另一端；一n沟道耗尽型半导体器件，其D端与整流桥的输出另一端连接，其G端接地；一反馈电阻，其一端连接n沟道耗尽型半导体器件的S端，其另一端接地。
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公开(公告)号：CN103438374B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310380402.4
申请日：2013-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种360度发光的LED球泡灯，包括：一球形外壳和与之连接的基座；一导热支柱，其设置在基座上；多个透明陶瓷基板，其设置在导热支柱上，多个透明陶瓷基板上分别设置多个LED管芯，所述导热支柱与透明陶瓷基板为垂直设置；一驱动电路，其位于基座内，所述LED管芯与驱动电路电连接。本发明可提高整灯的出光效率，具有成本低和寿命长的优点。
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公开(公告)号：CN103855149A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410058460.X
申请日：2014-02-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L25/075 , H01L33/62
Abstract: 一种倒装高压发光二极管，包括LED芯片和支撑基板；所述LED芯片包含多个LED芯片单元，所述每个LED芯片倒装焊接在支撑基板上；所述每个LED芯片单元包含n型半导体层、p型半导体层、有源层、p电极焊盘和n电极焊盘；其中所述n电极焊盘包含电互连的三部分：位于n型半导体层表面的n接触电极部分；位于台面侧壁上的连接部分，所述连接部分仅覆盖部分台面侧壁，并通过绝缘层与台面侧壁电隔离；和延伸到p型半导体层上方的焊接部分，所述焊接部分与p型半导体层和p电极焊盘电隔离，所述焊接部分用于与支撑基板上的互连焊盘焊接。本发明用于解决倒装安装过程中由于接触面积小而导致的可靠性差的问题，并可提高芯片有源区的利用率。
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公开(公告)号：CN103187494A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310091232.8
申请日：2013-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种高压发光二极管芯片的制作方法，包括：在衬底形成绝缘缓冲层；在绝缘缓冲层上形成n型半导体层、有源层和p型半导体层；图形化后蚀刻所述n型半导体层、有源层和p型半导体层形成沟槽，直至沟槽底部暴露出绝缘缓冲层，从而形成多个通过沟槽隔离的发光单元；形成金属互连线，将相邻发光单元串联起来；其特征在于：所述沟槽的深度为2.5um-4um。本发明可减少长时间的等离子轰击对LED有源区造成损伤，提高LED的发光亮度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103438374A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310380402.4
申请日：2013-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种360度发光的LED球泡灯，包括：一球形外壳和与之连接的基座；一导热支柱，其设置在基座上；多个透明陶瓷基板，其设置在导热支柱上，多个透明陶瓷基板上分别设置多个LED管芯，所述导热支柱与透明陶瓷基板为垂直设置；一驱动电路，其位于基座内，所述LED管芯与驱动电路电连接。本发明可提高整灯的出光效率，具有成本低和寿命长的优点。
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公开(公告)号：CN103066195A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310030351.2
申请日：2013-01-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L2224/14 , H01L2224/16225
Abstract: 本发明公开了一种应用石墨烯作为导热层的倒装结构发光二极管，包括：衬底，该衬底上下表面均覆盖有绝缘层，绝缘层表面各有一层金属线层；LED芯片，该LED芯片由下至上依次包括外延衬底、成核层、电子注入层、发光层和空穴注入层，以及对空穴注入层、发光层和电子注入层进行部分刻蚀后在空穴注入层之上形成的p电极和在电子注入层之上形成的n电极；该LED芯片在剥离完外延衬底后倒装键合在所述衬底上，该LED芯片的p电极和n电极与所述衬底上表面的金属线层相连接；以及导热层，形成于该LED芯片在剥离完外延衬底后的成核层之上。本发明利用石墨烯优越的导电性能，使得部分热量可以经由石墨烯导热层传递到衬底上，增加了器件的导热通道，提高了散热效果。
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公开(公告)号：CN103281840B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310229330.3
申请日：2013-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H05B37/02
Abstract: 一种高功率因数的LED驱动电路，包括：一交流电源；一整流桥，其输入端与交流电源连接，输出端接地；一恒流源，其一端与整流桥的另一输出端连接；至少两个以上的LED组的LED串，其LED组为串联、并联或串并联，该LED串为串联，该LED串的正极与恒流源的另一端连接；一串联的反馈电阻串，其一端与LED串的负极连接，另一端接地；多个n沟道耗尽型半导体器件，每一n沟道耗尽型半导体器件的D端与相对应的两LED组之间连接，S端与LED串的负极连接，G端与反馈电阻串中的相对应的反馈电阻连接。
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公开(公告)号：CN103367386A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310287949.X
申请日：2013-07-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种交流发光二极管，包括：一绝缘衬底；至少一发光二极管组，其具有至少六个发光二极管单元，该发光二极管单元彼此绝缘分离设置于该绝缘衬底上；所述发光二极管单元分为五组，其中四组作为四条整流分支，另外一组作为输出分支，所述输出分支中包括至少两路并联的发光二极管支路；一钝化层，其设置于所述发光二极管单元的侧面和发光二极管单元之间的绝缘衬底上；一金属层，其形成于发光二极管单元和部分钝化层上，所述的金属层使各相邻的发光二极管单元之间形成串联或并联形式的电连接。利用本发明，提高了有源区的面积利用率，改善了电流扩展，提高了提取效率，有效地提高了交流LED芯片的发光效率，降低了交流LED芯片的成本。
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公开(公告)号：CN103281840A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310229330.3
申请日：2013-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H05B37/02
Abstract: 一种高功率因数的LED驱动电路，包括：一交流电源；一整流桥，其输入端与交流电源连接，输出端接地；一恒流源，其一端与整流桥的另一输出端连接；至少两个以上的LED组的LED串，其LED组为串联、并联或串并联，该LED串为串联，该LED串的正极与恒流源的另一端连接；一串联的反馈电阻串，其一端与LED串的负极连接，另一端接地；多个n沟道耗尽型半导体器件，每一n沟道耗尽型半导体器件的D端与相对应的两LED组之间连接，S端与LED串的负极连接，G端与反馈电阻串中的相对应的反馈电阻连接。
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