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公开(公告)号：CN1996551A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200510130770.9
申请日：2005-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及晶片直接键合技术领域，提供的是一种通过实验和计算结果对III/V－Si晶片直接键合技术中的几个关键参数进行优化的方法。本发明中以单面抛光的Si和InP晶片为例进行阐述。晶片直接键合过程主要包括四个阶段，即：晶片清洗阶段；预键合阶段；高温热处理阶段；去衬底阶段。本发明分别对各个阶段的一系列关键参数通过理论和实验论证进行了优化。通过键合InP基结构片在Si上后，利用湿法腐蚀去InP衬底，在外延层上很少发现有气泡的存在。在我们后续阶段利用键合在硅上的InP外延量子阱结构片，成功的制作出了InP基端发射激光器。本发明可广泛应用于微电子和硅基光电子领域。
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公开(公告)号：CN1933096B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200510086420.7
申请日：2005-09-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明涉及晶片直接键合技术领域，提供的是一种利用低温键合技术将InP基材料键合到Si表面的方法。单面抛光的Si和InP晶片，在通过有机溶剂去除覆盖在表面的一层疏水性的有机物的处理后，再对InP和Si分别进行表面除杂质离子、除碳和表面清水性处理，之后进行预键合。再将经过预键合的晶片对置于一真空温控加热加压炉系统内，施加一适当温度和适当压力的热处理，以驱除键合界面的水气。之后对键合片进行减薄处理，再对晶片进行进一步不加压力的驱除界面残留气体的热处理，随后对键合片进行旨在提高界面键合能的更高温度热处理。最后对键合片进行去InP衬底腐蚀。本发明可广泛应用于微电子和硅基光电子领域。
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公开(公告)号：CN100428403C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200510130770.9
申请日：2005-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及晶片直接键合技术领域，提供的是一种通过实验和计算结果对III/V-Si晶片直接键合技术中的几个关键参数进行优化的方法。本发明中以单面抛光的Si和InP晶片为例进行阐述。晶片直接键合过程主要包括四个阶段，即：晶片清洗阶段；预键合阶段；高温热处理阶段；去衬底阶段。本发明分别对各个阶段的一系列关键参数通过理论和实验论证进行了优化。通过键合InP基结构片在Si上后，利用湿法腐蚀去InP衬底，在外延层上很少发现有气泡的存在。在我们后续阶段利用键合在硅上的InP外延量子阱结构片，成功的制作出了InP基端发射激光器。本发明可广泛应用于微电子和硅基光电子领域。
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公开(公告)号：CN1933096A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200510086420.7
申请日：2005-09-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明涉及晶片直接键合技术领域，提供的是一种利用低温键合技术将InP基材料键合到Si表面的方法。单面抛光的Si和InP晶片，在通过有机溶剂去除覆盖在表面的一层疏水性的有机物的处理后，再对InP和Si分别进行表面除杂质离子、除碳和表面清水性处理，之后进行预键合。再将经过预键合的晶片对置于一真空温控加热加压炉系统内，施加一适当温度和适当压力的热处理，以驱除键合界面的水气。之后对键合片进行减薄处理，再对晶片进行进一步不加压力的驱除界面残留气体的热处理，随后对键合片进行旨在提高界面键合能的更高温度热处理。最后对键合片进行去InP衬底腐蚀。本发明可广泛应用于微电子和硅基光电子领域。
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