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公开(公告)号：CN105428998B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201510999578.7
申请日：2015-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种外腔窄线宽激光器，该激光器包括：半导体光放大器、平面波导光栅和衬底，其中：所述半导体光放大器和平面波导光栅键合到所述衬底上；所述半导体光放大器的一端镀有高反射膜，另一端镀有高透膜；所述平面波导光栅的两侧均镀有高透膜；所述半导体光放大器镀有高透膜一端的端面与所述平面波导光栅的一侧端面相耦合。本发明提供的外腔窄线宽激光器，具有窄线宽，高功率，低噪声及高的频率稳定性等特点，可应用于高阶调制格式及相干探测系统中，为下一代光纤通信系统提供发射源和本征源激光器。
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公开(公告)号：CN107482469A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710865761.7
申请日：2017-09-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S3/13 , H01S5/0683 , G02B27/10
CPC classification number: H01S3/1305 , G02B27/106 , H01S5/0687
Abstract: 一种光频梳的调整装置，包括：光频梳产生模块，产生光频梳；光分束模块，将光频梳进行分束处理，得到第一分束光；以及将第一分束光进行均等分束处理，得到第一子分束光和第二子分束光；信号处理模块，将第一子分束光与参考激光进行匹配，并将匹配时产生的抖动频率信号转换成第一电信号；还将第二子分束光转换成第二电信号；以及根据第一电信号与第二电信号，确定控制模拟信号；以及驱动电路，根据控制模拟信号，调整光频梳产生模块所产生的光频梳。此外，本发明还提供了一种光频梳的调整方法。本发明基于微谐振腔和稳频控制方法，得到了超平坦、高稳定度集成化的光频梳，克服了传统方法在平坦度、频率稳定、功率稳定等方面的难题。
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公开(公告)号：CN107317593A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710478044.9
申请日：2017-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种双链路通信接收系统，包括：微波通信接收链路，其包括微波接收天线和微波处理模块，接收原始微波信号并处理，还原并输出所述原始微波信号；激光通信接收链路，其包括激光接收天线和激光处理模块，对加载有原始电信号的原始激光信号解调，还原并输出所述原始电信号，微波接收天线的法线方向与激光接收天线的轴线方向相同；转动装置连接所述激光接收天线，通过调节转动装置，来调节激光接收天线和微波接收天线的接收角度。通过本发明的双链路通信接收系统，能够同时接收原始微波信号和加载有电信号的原始激光信号，分别解调并恢复输出原始微波信号和原始电信号，还能调节接收角度，从而提高探测器的接收能力，扩充信号处理的容量。
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公开(公告)号：CN105428999A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201511006107.8
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/183 , H01S5/0425 , H01S5/0651 , H01S5/187 , H01S5/3013 , H01S5/323 , H01S5/343 , H01S2301/16
Abstract: 本发明公开了少模面发射激光器结构，其中包括：一衬底，该衬底用于在其上生长激光器各外延层材料；一n型分布布拉格反射器(DBR)，该n型DBR制作在衬底上；一n型限制层，该n型限制层制作在n型DBR上；一有源层，该有源层制作在n型限制层上；一p型限制层，该p型限制层制作在有源区上；一p型DBR，该p型DBR制作在p型限制层上；一离子注入区，该离子注入区注入在p型DBR以及p型限制层特定的区域中，并与有源区保持一定的距离，对注入载流子进行限制作用；一p面电极，该p面电极制作在p型DBR上，包含三个透明电极，不同电极用来调制不同的横模模式；一n面电极，该n面电极制作在衬底的下面。
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公开(公告)号：CN105428998A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510999578.7
申请日：2015-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/141 , H01S5/06 , H01S5/34306
Abstract: 本发明公开了一种外腔窄线宽激光器，该激光器包括：半导体光放大器、平面波导光栅和衬底，其中：所述半导体光放大器和平面波导光栅键合到所述衬底上；所述半导体光放大器的一端镀有高反射膜，另一端镀有高透膜；所述平面波导光栅的两侧均镀有高透膜；所述半导体光放大器镀有高透膜一端的端面与所述平面波导光栅的一侧端面相耦合。本发明提供的外腔窄线宽激光器，具有窄线宽，高功率，低噪声及高的频率稳定性等特点，可应用于高阶调制格式及相干探测系统中，为下一代光纤通信系统提供发射源和本征源激光器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104518425A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410784618.1
申请日：2014-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/06
Abstract: 一种斜腔半导体光放大器的耦合方法，包括以下步骤：步骤1：根据半导体光放大器芯片中的斜波导的倾斜角计算光的出射角；步骤2：以出射角顺时针旋转半导体光放大器的芯片，使出射光为水平方向；步骤3：芯片出射光的耦合光纤分别对准芯片两端腔面的出射光方向；步骤4：固定两端的耦合光纤，使光纤对准波导的出光方向，完成耦合。本发明能够高效耦合斜腔半导体光放大器芯片，具有结构简单和方便适用的特点。
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公开(公告)号：CN1996551A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200510130770.9
申请日：2005-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及晶片直接键合技术领域，提供的是一种通过实验和计算结果对III/V－Si晶片直接键合技术中的几个关键参数进行优化的方法。本发明中以单面抛光的Si和InP晶片为例进行阐述。晶片直接键合过程主要包括四个阶段，即：晶片清洗阶段；预键合阶段；高温热处理阶段；去衬底阶段。本发明分别对各个阶段的一系列关键参数通过理论和实验论证进行了优化。通过键合InP基结构片在Si上后，利用湿法腐蚀去InP衬底，在外延层上很少发现有气泡的存在。在我们后续阶段利用键合在硅上的InP外延量子阱结构片，成功的制作出了InP基端发射激光器。本发明可广泛应用于微电子和硅基光电子领域。
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公开(公告)号：CN105428999B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201511006107.8
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了少模面发射激光器结构，其中包括：一衬底，该衬底用于在其上生长激光器各外延层材料；一n型分布布拉格反射器(DBR)，该n型DBR制作在衬底上；一n型限制层，该n型限制层制作在n型DBR上；一有源层，该有源层制作在n型限制层上；一p型限制层，该p型限制层制作在有源区上；一p型DBR，该p型DBR制作在p型限制层上；一离子注入区，该离子注入区注入在p型DBR以及p型限制层特定的区域中，并与有源区保持一定的距离，对注入载流子进行限制作用；一p面电极，该p面电极制作在p型DBR上，包含三个透明电极，不同电极用来调制不同的横模模式；一n面电极，该n面电极制作在衬底的下面。
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公开(公告)号：CN105514801A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610037070.3
申请日：2016-01-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/343
Abstract: 一种双沟宽脊型半导体光放大器，包括衬底以及生长其上的外延层，外延层上部包括n型波导层、n型波导层上部的有源区量子阱层、有源区量子阱层上部的p型包层和欧姆接触层，其中所述欧姆接触层部分区域垂直向下刻蚀至n型波导层中，形成双沟限制的脊型结构，所述双沟为两条互相平行的沟槽。脊型结构的宽度与所述脊型波导的厚度近似相等。本发明采用波导耦合的方式，用平面波导做滤波器，实现了大模式体积下的单模输出，提高了输出功率，同时也提高了耦合效率。
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公开(公告)号：CN104568381A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410784900.X
申请日：2014-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01M11/00
Abstract: 一种测量半导体光放大器偏振灵敏度的装置，包括：一光源；一偏振控制器，其输入端与光源的输出端相连；一光隔离器，其输入端与偏振控制器的输出端相连；一半导体光发大器，其输入端与光隔离器的输出端相连；一光功率测试仪，其输入端与半导体光发大器的输出端相连。本发明具有结构简单、成本低，测试方法精度高的优点。
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