公开(公告)号：CN101398453B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200710122477.7

申请日：2007-09-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘磊 ,  陈诺夫 ,  曾湘波 ,  张汉 ,  吴金良 ,  高福宝

IPC: G01R31/00 ,  G01R31/265 ,  G01R1/02

Abstract: 一种单光路量子效率测试系统，包括：一卤钨灯光源、一凸透镜、一光斩波器；一单色仪，卤钨灯光源、凸透镜和光斩波器位于该单色仪输入光入口的光路上；一锁相放大器，其频率参考输入端与光斩波器斩波频路输出端连接；一计算机负责控制和处理台单色仪和锁相放大器的数据，使单色仪与锁相放大器协调工作；一转动式样品定位器位于单色仪输出光出口的光路上，并与锁相放大器通过线缆连接，转动式样品定位器可通过旋转动作使样品和标准探测器处于光路的同一位置；一组偏置光源位于单色仪输出光出口的光路上的周围，该偏置光源将偏置光照射到待测样品表面，起短路样品的非测量子电池的作用。

公开(公告)号：CN101398453A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200710122477.7

申请日：2007-09-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘磊 ,  陈诺夫 ,  曾湘波 ,  张汉 ,  吴金良 ,  高福宝

IPC: G01R31/00 ,  G01R31/265 ,  G01R1/02

Abstract: 一种单光路量子效率测试系统，包括：一卤钨灯光源、一凸透镜、一光斩波器；一单色仪，卤钨灯光源、凸透镜和光斩波器位于该单色仪输入光入口的光路上；一锁相放大器，其频率参考输入端与光斩波器斩波频路输出端连接；一计算机负责控制和处理台单色仪和锁相放大器的数据，使单色仪与锁相放大器协调工作；一转动式样品定位器位于单色仪输出光出口的光路上，并与锁相放大器通过线缆连接，转动式样品定位器可通过旋转动作使样品和标准探测器处于光路的同一位置；一组偏置光源位于单色仪输出光出口的光路上的周围，该偏置光源将偏置光照射到待测样品表面，起短路样品的非测量子电池的作用。

公开(公告)号：CN101463499A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200710179886.0

申请日：2007-12-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 高福宝 ,  陈诺夫 ,  吴金良 ,  刘磊

IPC: C30B29/40 ,  C30B19/00 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 为使GaSb基InAsxSb1－x材料实际应用到长波长红外探测器中，本发明提供一种在GaSb衬底上生长InAsxSb1－x薄膜的液相外延生长工艺，其主要特征为用原子数比In∶Sb∶As＝1∶y∶(1－y)的源熔体(0.5＜y＜1.0)以1－10K的过冷度在GaSb衬底上生长InAsxSb1－x薄膜。该工艺有设备简单，生长费用低的优点，并且所生长的InAsxSb1－x薄膜厚度可以达到几十微米，使InAsxSb1－x薄膜和GaSb衬底界面上的大晶格失配对InAsxSb1－x薄膜的整体性能影响很小。