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公开(公告)号：CN114107901A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010892022.9
申请日：2020-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种在半导体ZnO上外延制备四方相BiFeO3薄膜的方法及系统，包括：S1，研磨Bi2O3、Fe2O3粉末，将研磨后的混合粉末压制成溅射靶；S2，洗涤衬底，衬底至少包含ZnO(110)或ZnO(001)；S3，采用射频溅射使溅射靶的Bi、Fe、O原子沉积在衬底上，得到四方相BiFeO3外延薄膜。本发明提供的方法首次实现了四方相BiFeO3与半导体ZnO的外延集成，对其在非易失信息存储等领域的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114075698A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010834451.0
申请日：2020-08-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种铁酸钴柔性单晶薄膜的制备方法，包括：在刚性衬底上生长氧化锌缓冲层，在氧化锌缓冲层上外延生长铁酸钴单晶薄膜，在铁酸钴单晶薄膜上旋涂一层溶有黑蜡的有机溶剂，得到黑蜡薄膜保护层，将刚性衬底放置在酸液中湿法腐蚀氧化锌缓冲层，待氧化锌缓冲层腐蚀完毕，得到的具有黑蜡薄膜保护层的铁酸钴单晶薄膜，将具有黑蜡薄膜保护层的铁酸钴单晶薄膜转移到柔性薄膜衬底上，并使其在柔性薄膜衬底上静止干燥，使用有机溶剂清洗掉铁酸钴单晶薄膜上的黑蜡薄膜保护层，得到铁酸钴柔性单晶薄膜。本公开提供的制备方法具有过程简单、成本低、可控性强等优点，实现了铁酸钴单晶薄膜的柔性化，对发展基于铁酸钴的柔性功能器件具有重要意义。
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公开(公告)号：CN111607775A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910387175.5
申请日：2019-05-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种制备组分可调的二维h-BNC杂化薄膜的方法。该方法包括：准备衬底并将衬底置于离子束溅射沉积系统内；预抽背底真空，然后在氢气气氛中对衬底进行升温并退火；退火结束后关闭氢气使腔室恢复至真空环境，然后向腔室内通入甲烷和氩气；利用离子源产生氩离子束，轰击烧结的氮化硼靶材同时将甲烷裂解，使得硼、氮、碳原子在衬底表面沉积，形成二维h-BNC杂化薄膜；生长结束后，关闭甲烷气体、加热源使样品随炉降温，最终得到二维h-BNC杂化薄膜。本发明制备二维h-BNC杂化薄膜的方法，不仅可以有效避免前驱体不稳定、副产物多等问题，而且可控性好，制备的薄膜均匀性好。
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公开(公告)号：CN103364595A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310299682.6
申请日：2013-07-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01Q60/24
Abstract: 本发明公开了一种表征聚合物太阳能电池光敏层相分离程度的方法，其包括：步骤1、利用原子力显微镜AFM分别表征不同条件下制备的多个聚合物太阳能电池样品的光敏层，得到光敏层AFM相图；步骤2、在所述多个相图中分别选取一定大小的感兴趣区；步骤3、将所述多个感兴趣区黑白化，使所述感兴趣区中的给体D和受体A转化成黑白两相；步骤4、分别计算所述多个黑白化后的感兴趣区中给体和受体的接触边界长度，并根据所述计算结果定量分析、比较多个聚合物太阳能电池样品的光敏层相分离程度。本发明的计算方法简单，计算结果可靠，可为进一步深入探究光敏层相分离的影响因素、优化D/A两相相分离尺度，最终提高电池性能提供帮助。
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公开(公告)号：CN102394272A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110373472.8
申请日：2011-11-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种利用Au表面等离激元增强有机聚合物太阳能电池效率的方法，在电池的PEDOT:PSS空穴传输层掺入一定尺寸和浓度的Au纳米颗粒。Au纳米颗粒利用湿化学法合成，通过氯金酸和柠檬酸钠反应得到Au纳米颗粒，并分散在水溶性溶剂中。按一定的比例将Au纳米颗粒与PEDOT:PSS混合，旋涂在ITO衬底上，退火处理，含Au纳米颗粒的空穴传输层制备完毕。利用Au纳米颗粒的局部电场增强作用可以提高有机聚合物太阳能电池的光吸收，进而提高电池效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101398453B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710122477.7
申请日：2007-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R31/00 , G01R31/265 , G01R1/02
Abstract: 一种单光路量子效率测试系统，包括：一卤钨灯光源、一凸透镜、一光斩波器；一单色仪，卤钨灯光源、凸透镜和光斩波器位于该单色仪输入光入口的光路上；一锁相放大器，其频率参考输入端与光斩波器斩波频路输出端连接；一计算机负责控制和处理台单色仪和锁相放大器的数据，使单色仪与锁相放大器协调工作；一转动式样品定位器位于单色仪输出光出口的光路上，并与锁相放大器通过线缆连接，转动式样品定位器可通过旋转动作使样品和标准探测器处于光路的同一位置；一组偏置光源位于单色仪输出光出口的光路上的周围，该偏置光源将偏置光照射到待测样品表面，起短路样品的非测量子电池的作用。
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公开(公告)号：CN101858836A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200910081473.8
申请日：2009-04-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种锰掺杂锑化镓单晶的化学腐蚀方法，其中包括以下步骤：步骤1：取一单晶片体，使用抛光粉对单晶片体进行机械抛光；步骤2：再将机械抛光后的单晶片体使用试剂进行化学抛光；步骤3：对机械抛光和化学抛光后的单晶片体，进行化学腐蚀。
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公开(公告)号：CN101320127A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200710100245.1
申请日：2007-06-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B19/00
Abstract: 本发明涉及聚光器技术领域，公开了一种组合式聚光器，该聚光器包括一级折射式聚光器和二级反射式聚光器两个子聚光器，所述二级反射式聚光器安装于所述一级折射式聚光器的下方，入射光线经过所述一级折射式聚光器折射后直接会聚到所述一级折射式聚光器的光轴焦点上，或者光线经过所述一级折射式聚光器折射后，再经过所述二级反射式聚光器反射会聚到所述一级折射式聚光器的光轴焦点上。利用本发明，使得偏移的光线再次经过二级反射到光轴焦点上，解决了跟踪系统精度不够的问题，提高了聚光系统的可靠性和安全性。
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公开(公告)号：CN1174467C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN01124213.2
申请日：2001-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法，包括两个半导体材料层和两个半导体材料层中夹的一薄的磁性材料层，其特征在于，选择半导体衬底，然后在衬底上直接生长磁性材料；或在衬底上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性材料层；最后在磁性材料层上外延半导体层。
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