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公开(公告)号：CN102890252B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201210363918.3
申请日：2012-09-26
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: G01R33/18
Abstract: 本发明提供了一种柔性磁性薄膜饱和磁致伸缩系数的测量方法。该方法采用由非磁性材料制成的、具有固定曲率半径的非磁性模具对柔性磁性薄膜产生应变，得到所施加应力与无应力存在时的应力差Δσ，然后利用磁光克尔效应测试系统测量该柔性磁性薄膜样品在无应变与应变条件下各向异性场的变化量ΔHK，通过饱和磁致伸缩系数公式λs=ΔHkMs/(3Δσ)，直接计算得到该柔性磁性薄膜的饱和磁致伸缩系数λs。与现有磁性薄膜的磁致伸缩系数测量方法相比，本发明具有测量精度高、简单易行、成本低的优点，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102903841B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210346506.9
申请日：2012-09-18
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
CPC classification number: Y02P70/605
Abstract: 本发明提供了一种温度控制的磁电子器件，包括衬底以及位于衬底表面的磁性材料层；该衬底具有各向异性热膨胀系数；该磁性材料层的磁致伸缩系数不为零；工作状态时，控制环境温度变化或者衬底温度变化，引起衬底各向异性的热膨胀（或热收缩），所产生的应力通过衬底与磁性材料层的界面传递至磁性材料层，使磁性材料层的磁性能发生变化。与现有技术相比，本发明具有结构简单、制备方法、对器件磁性能调控效果显著、可扩展性强、温度源选用灵活等优点，在磁电子器件、废热回收等领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102890252A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210363918.3
申请日：2012-09-26
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: G01R33/18
Abstract: 本发明提供了一种柔性磁性薄膜饱和磁致伸缩系数的测量方法。该方法采用由非磁性材料制成的、具有固定曲率半径的非磁性模具对柔性磁性薄膜产生应变，得到所施加应力与无应力存在时的应力差Δσ，然后利用磁光克尔效应测试系统测量该柔性磁性薄膜样品在无应变与应变条件下各向异性场的变化量ΔHK，通过饱和磁致伸缩系数公式λs=ΔHkMs/(3Δσ)，直接计算得到该柔性磁性薄膜的饱和磁致伸缩系数λs。与现有磁性薄膜的磁致伸缩系数测量方法相比，本发明具有测量精度高、简单易行、成本低的优点，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102903841A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210346506.9
申请日：2012-09-18
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
CPC classification number: Y02P70/605
Abstract: 本发明提供了一种温度控制的磁电子器件，包括衬底以及位于衬底表面的磁性材料层；该衬底具有各向异性热膨胀系数；该磁性材料层的磁致伸缩系数不为零；工作状态时，控制环境温度变化或者衬底温度变化，引起衬底各向异性的热膨胀（或热收缩），所产生的应力通过衬底与磁性材料层的界面传递至磁性材料层，使磁性材料层的磁性能发生变化。与现有技术相比，本发明具有结构简单、制备方法、对器件磁性能调控效果显著、可扩展性强、温度源选用灵活等优点，在磁电子器件、废热回收等领域具有良好的应用前景。
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