公开(公告)号：CN104900799A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201410077376.2

申请日：2014-03-04

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 詹清峰 ,  荣欣 ,  李润伟 ,  刘宜伟 ,  张晓山

IPC: H01L43/00 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了一种交换偏置场可调控的结构单元。该结构单元包括衬底、金属缓冲层、铁磁层、反铁磁层与保护层，其中衬底采用具有各向异性热膨胀系数与压电效应的柔性衬底，铁磁层具有磁致伸缩效应，从而对应力敏感。当温度、电场导致应力变化时，该结构单元的交换偏置场发生变化，因此能够通过温度、电场调控其交换偏置场。与现有技术相比，该结构单元具有柔韧性，其交换偏置场的调控手段灵活，调控方便易行，在传感、信息、医疗、军事等领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN102890252B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201210363918.3

申请日：2012-09-26

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 詹清峰 ,  张晓山 ,  刘宜伟 ,  代国红 ,  李润伟

IPC: G01R33/18

Abstract: 本发明提供了一种柔性磁性薄膜饱和磁致伸缩系数的测量方法。该方法采用由非磁性材料制成的、具有固定曲率半径的非磁性模具对柔性磁性薄膜产生应变，得到所施加应力与无应力存在时的应力差Δσ，然后利用磁光克尔效应测试系统测量该柔性磁性薄膜样品在无应变与应变条件下各向异性场的变化量ΔHK，通过饱和磁致伸缩系数公式λs=ΔHkMs/(3Δσ)，直接计算得到该柔性磁性薄膜的饱和磁致伸缩系数λs。与现有磁性薄膜的磁致伸缩系数测量方法相比，本发明具有测量精度高、简单易行、成本低的优点，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN102890252A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210363918.3

申请日：2012-09-26

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 詹清峰 ,  张晓山 ,  刘宜伟 ,  代国红 ,  李润伟

IPC: G01R33/18

Abstract: 本发明提供了一种柔性磁性薄膜饱和磁致伸缩系数的测量方法。该方法采用由非磁性材料制成的、具有固定曲率半径的非磁性模具对柔性磁性薄膜产生应变，得到所施加应力与无应力存在时的应力差Δσ，然后利用磁光克尔效应测试系统测量该柔性磁性薄膜样品在无应变与应变条件下各向异性场的变化量ΔHK，通过饱和磁致伸缩系数公式λs=ΔHkMs/(3Δσ)，直接计算得到该柔性磁性薄膜的饱和磁致伸缩系数λs。与现有磁性薄膜的磁致伸缩系数测量方法相比，本发明具有测量精度高、简单易行、成本低的优点，具有良好的应用前景。