公开(公告)号：CN117877986A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311830426.5

申请日：2023-12-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 张括 ,  王嘉义 ,  王盛凯 ,  徐杨 ,  尤楠楠 ,  李泠

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/477 ,  H01L29/786

Abstract: 本公开提供了一种多晶体结构的铟镓氧的制备方法、晶体管器件的制备方法及晶体管器件，可以应用于半导体制造领域。该多晶体结构的铟镓氧的制备方法包括：在基底的栅氧化层表面生长铟镓氧薄膜，得到待晶化材料；其中，待晶化材料表征为薄膜晶体管的沟道层；对待处理沟道进行尖峰退火处理，得到目标物，其中，目标物表征为具有多晶体结构的铟镓氧。

公开(公告)号：CN116298768A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310287355.2

申请日：2023-03-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 张括 ,  王盛凯 ,  徐杨

IPC: G01R31/265 ,  G01R31/26 ,  G01N27/00 ,  G01N21/84

Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管薄膜晶体管的缺陷测试方法，其特征在于，包括：利用发光光源模块产生光束；利用监测反馈模块实时监测发光光源模块发射的光束的波长和强度，并反馈至发光光源模块；将发光光源模块发射的光束经分光光纤传输至电学测量模块，照射碳纳米管薄膜晶体管并记录第一阶段对应的电学测试结果，第一阶段对应的电学测试结果包括将发光光源模块发射的光束按不同波段对应的多组电学测试结果；将多个阶段对应的电学测试结果输入至前置数据转换器中，整合成缺陷表征数据库。