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公开(公告)号：CN117790582A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311842082.X
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本公开提供了一种薄膜晶体管，可以应用于半导体技术领域。该薄膜晶体管包括：基板；栅极金属层，栅极金属层下表面贴合基板；介质层，介质层下表面贴合栅极金属层上表面、侧表面和基板的至少部分上表面；沟道层，设置于介质层上方，沟道层材料包括InSeO薄膜；以及源极和漏极，分别位于沟道层两端。本公开还提供了一种薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN117790514A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311841030.0
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
Abstract: 本公开提供了一种双栅互补型薄膜晶体管，可以应用于集成电路制造技术领域。该双栅互补型薄膜晶体管包括：N型薄膜晶体管，包括：第一底栅结构，N型半导体层，第一源极，第一漏极和第一顶栅结构；第一源极和第一漏极分别设置于N型半导体层的两侧；N型半导体层的材料包括铟镓锌氧化物；P型薄膜晶体管，包括：第二底栅结构，P型半导体层，第二源极，第二漏极和第二顶栅结构；第二源极和第二漏极分别设置于P型半导体层的两侧；P型半导体层的材料包括铟硒氧化物。本公开还提供了一种双栅互补型薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN117877986A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311830426.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/34 , H01L21/477 , H01L29/786
Abstract: 本公开提供了一种多晶体结构的铟镓氧的制备方法、晶体管器件的制备方法及晶体管器件，可以应用于半导体制造领域。该多晶体结构的铟镓氧的制备方法包括：在基底的栅氧化层表面生长铟镓氧薄膜，得到待晶化材料；其中，待晶化材料表征为薄膜晶体管的沟道层；对待处理沟道进行尖峰退火处理，得到目标物，其中，目标物表征为具有多晶体结构的铟镓氧。
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公开(公告)号：CN109905955B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201910189788.8
申请日：2019-03-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种原子态等离子体形成装置及其应用。该装置包括：微波等离子体反应单元，用于通过微波能量耦合待激发气体以激发产生等离子体火球；气压控制单元，与微波等离子体反应单元连通，用于向微波等离子体反应单元中输送待激发气体；原子态控制单元，分别与微波等离子体反应单元以及气压控制单元连通，用于对等离子体火球产生气体扰动以调控原子态等离子体与分子态等离子体的激发比例。该装置借助气体扰动，使等离子体维持在初期的原子态，实现了对原子态等离子体与分子态等离子体激发比例的调控；并且，该装置若不启动气体扰动，在等离子体起辉后，反应腔内将维持分子态等离子的激发，从而实现分子态等离子和原子态等离子的调控激发。
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公开(公告)号：CN118315273A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202310025028.X
申请日：2023-01-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/04 , H01L21/66 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种控制4H‑SiC MOS深能级缺陷的方法，包括：S1，在多个4H‑SiC外延片上氧化制备SiO2栅介质层；S2，将氧化后的4H‑SiC外延片放入快速退火炉中进行真空处理后冲入N2，得到待测样品，将待测样品在预设退火温度下以预设时间进行N2退火处理；S3，在待测样品的正面和背面分别制备金属电极，得到测试样品；S4，对测试样品的缺陷进行测试，确定缺陷能级位置以及缺陷数量；S5，建立预设退火温度与缺陷数量的函数关系，得到预设退火温度对缺陷的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109905955A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910189788.8
申请日：2019-03-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种原子态等离子体形成装置及其应用。该装置包括：微波等离子体反应单元，用于通过微波能量耦合待激发气体以激发产生等离子体火球；气压控制单元，与微波等离子体反应单元连通，用于向微波等离子体反应单元中输送待激发气体；原子态控制单元，分别与微波等离子体反应单元以及气压控制单元连通，用于对等离子体火球产生气体扰动以调控原子态等离子体与分子态等离子体的激发比例。该装置借助气体扰动，使等离子体维持在初期的原子态，实现了对原子态等离子体与分子态等离子体激发比例的调控；并且，该装置若不启动气体扰动，在等离子体起辉后，反应腔内将维持分子态等离子的激发，从而实现分子态等离子和原子态等离子的调控激发。
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公开(公告)号：CN118198140A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410308974.X
申请日：2024-03-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/461
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法，该薄膜晶体管包括：有源层，有源层包括金属氧化物半导体薄膜；钝化层，形成在有源层上，钝化层包括氟等离子体处理后的金属氧化物半导体薄膜；以及源极和漏极，设置在钝化层上的两端，源极和漏极分别与有源层电连接。本发明提供的薄膜晶体管能够在光偏置应力、温度波动等不利因素下保持高可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN117936373A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410097488.8
申请日：2024-01-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种栅介质层的形成方法和半导体器件，可以应用于半导体技术领域。该栅介质层的形成方法包括：通过调节输入反应腔的微波的输入功率，使反应腔中含氧气体产生的等离子体处于起辉状态；加电氧化阶段：根据微波的输入功率、电场筛的电场强度和方向，控制反应腔中的沟槽型半导体衬底和等离子体在各方向上进行相同速度的氧化反应，得到中间栅介质层，其中，电场筛的电场为施加到反应腔的可调电场；断电修复阶段：停止对反应腔施加电场筛的电场和微波的输入功率，利用沟槽型半导体衬底加热的方式，对中间栅介质层进行含氧气体的原位退火处理，得到栅介质层。
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公开(公告)号：CN117894851A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410042066.0
申请日：2024-01-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本公开提供了一种薄膜晶体管，可以应用于半导体技术领域。该薄膜晶体管包括：基板；栅极金属层；沟道层；介质层，位于栅极金属层和沟道层之间；钝化层，包括源极接触孔和漏极接触孔；源极阻挡层，位于源极接触孔内；漏极阻挡层，位于漏极接触孔内；源极，通过源极阻挡层与沟道层间隔设置；漏极，通过漏极阻挡层与沟道层间隔设置。本公开还提供了一种薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN109922590A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910189810.9
申请日：2019-03-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种原子态等离子体的形成及维持方法及半导体材料的等离子体处理方法。该方法包括以下步骤：S1，通过微波能量耦合待激发气体，以激发产生等离子体火球；S2，对等离子体火球产生气体扰动，使至少部分等离子体维持在原子态，以调控原子态等离子体与分子态等离子体的激发比例。上述方法中通过微波能量耦合待激发气体以激发产生等离子体火球，然后对等离子体火球产生气体扰动，使至少部分等离子体维持在原子态，实现了对原子态等离子体与分子态等离子体激发比例的调控，具有非常广泛的应用前景。
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