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公开(公告)号：CN113659016B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202110797165.6
申请日：2021-07-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H10F77/30 , H10F30/227
Abstract: 本发明公开一种光电探测器，涉及光电子技术领域，以通过设置有布拉格谐振腔的狭缝波导部将光信号局域至石墨烯层内，并增强光信号与石墨烯层之间的相互作用，提高光电探测器在工作时的光电探测响应度。所述光电探测器包括：基底、光波导结构、石墨烯层、第一电极和第二电极。光波导结构形成在基底上。光波导结构包括设置有布拉格谐振腔的狭缝波导部。石墨烯层至少覆盖狭缝波导部。狭缝波导部用于将光信号局域至石墨烯层内。第一电极和第二电极形成在基底的上方。第一电极与光波导结构电连接，用于在外加电场的作用下导出第一类载流子。第二电极与石墨烯层电连接，用于在外加电场的作用下导出第二类载流子。第一类载流子和第二类载流子的电性相反。
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公开(公告)号：CN112612077B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202011432710.3
申请日：2020-12-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种混合等离子体波导及其制备方法，该混合等离子体波导包括基底以及覆盖基底的缓冲层、波导结构、上包层、支撑结构层和金属层，所述波导结构设置在缓冲层上；所述上包层覆盖波导结构；所述支撑结构层覆盖上包层，所述金属层设置在支撑结构层上；所述金属层的材料采用标准CMOS工艺兼容的金属；所述波导结构的至少部分悬置于缓冲层和支撑结构层之间形成的空腔中；所述支撑结构层和金属层上分别对应设置有多个连通空腔的孔洞。该混合等离子体波导中波导结构的至少部分悬置于空腔中，提高倏逝场因子，有效提波导灵敏度；金属层可采用标准CMOS工艺兼容的金属取代金、银等贵重金属，构成混合等离子体波导，突破光的衍射极限。
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公开(公告)号：CN112964668B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110138043.6
申请日：2021-02-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种基于谐振器的物质浓度检测装置及方法，其中装置包括：偏振分束单元、光束谐振单元、置物单元和测量单元，光束谐振单元包括第一谐振器和第二谐振器；偏振分束单元用于将输入光束分成第一偏振光束和第二偏振光束；第一谐振器用于将接收到的第一偏振光束中的第一波长光束，耦合至第一谐振器中；第二谐振器用于将接收到的第二偏振光束中的第二波长光束，耦合至第二谐振器中；置物单元用于放置待测物；测量单元用于确定第一谐振器对应的第一漂移参数和第二谐振器对应的第二漂移参数；根据第一漂移参数和第二漂移参数确定待测物浓度，本公开通过两种模式的谐振器实现了光信号的大范围和高灵敏度测量，提高了物质浓度检测的准确性。
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公开(公告)号：CN113380905B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110502234.6
申请日：2021-05-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种硅基光探测器以及制备方法、电子设备，涉及硅基器件技术领域，用于提供一种结构简单、光响应度和量子效率较高的硅基光探测器。包括：具有脊型顶层硅的SOI基底；其中，脊型顶层硅包括基部以及形成在所述基部上的脊部；形成在脊部中的N型掺杂区，以及至少形成在基部中的P型掺杂区；其中，N型掺杂区包括N型重掺杂区以及形成在N型重掺杂区两侧的N阱，P型掺杂区包括P阱以及形成在P阱两侧的P型重掺杂区，且N型重掺杂区域与P阱之间形成有超浅结；形成在P型重掺杂区上的阳极，以及形成在N型重掺杂区上的阴极。
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公开(公告)号：CN113433615A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110540846.4
申请日：2021-05-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种芯片，涉及芯片技术领域，用于通过一个光栅耦合器实现在相同的出射角度下对不同波长的寻址激光进行衍射，提高芯片的大规模可扩展性。所述芯片包括：基底、以及设置在基底表面的表面离子阱电极；表面离子阱电极用于在基底上方的预设区域内囚禁离子；其中，基底具有多个光栅耦合器；光栅耦合器所包括的光栅部用于将多种不同波长的寻址激光以相同的出射角度衍射至同一离子处，以完成寻址。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113380905A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110502234.6
申请日：2021-05-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种硅基光探测器以及制备方法、电子设备，涉及硅基器件技术领域，用于提供一种结构简单、光响应度和量子效率较高的硅基光探测器。包括：具有脊型顶层硅的SOI基底；其中，脊型顶层硅包括基部以及形成在所述基部上的脊部；形成在脊部中的N型掺杂区，以及至少形成在基部中的P型掺杂区；其中，N型掺杂区包括N型重掺杂区以及形成在N型重掺杂区两侧的N阱，P型掺杂区包括P阱以及形成在P阱两侧的P型重掺杂区，且N型重掺杂区域与P阱之间形成有超浅结；形成在P型重掺杂区上的阳极，以及形成在N型重掺杂区上的阴极。
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公开(公告)号：CN112964668A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110138043.6
申请日：2021-02-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种基于谐振器的物质浓度检测装置及方法，其中装置包括：偏振分束单元、光束谐振单元、置物单元和测量单元，光束谐振单元包括第一谐振器和第二谐振器；偏振分束单元用于将输入光束分成第一偏振光束和第二偏振光束；第一谐振器用于将接收到的第一偏振光束中的第一波长光束，耦合至第一谐振器中；第二谐振器用于将接收到的第二偏振光束中的第二波长光束，耦合至第二谐振器中；置物单元用于放置待测物；测量单元用于确定第一谐振器对应的第一漂移参数和第二谐振器对应的第二漂移参数；根据第一漂移参数和第二漂移参数确定待测物浓度，本公开通过两种模式的谐振器实现了光信号的大范围和高灵敏度测量，提高了物质浓度检测的准确性。
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公开(公告)号：CN112612077A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011432710.3
申请日：2020-12-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种混合等离子体波导及其制备方法，该混合等离子体波导包括基底以及覆盖基底的缓冲层、波导结构、上包层、支撑结构层和金属层，所述波导结构设置在缓冲层上；所述上包层覆盖波导结构；所述支撑结构层覆盖上包层，所述金属层设置在支撑结构层上；所述金属层的材料采用标准CMOS工艺兼容的金属；所述波导结构的至少部分悬置于缓冲层和支撑结构层之间形成的空腔中；所述支撑结构层和金属层上分别对应设置有多个连通空腔的孔洞。该混合等离子体波导中波导结构的至少部分悬置于空腔中，提高倏逝场因子，有效提波导灵敏度；金属层可采用标准CMOS工艺兼容的金属取代金、银等贵重金属，构成混合等离子体波导，突破光的衍射极限。
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公开(公告)号：CN112269276A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011272415.6
申请日：2020-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种光器件，涉及光器件技术领域，用于在加热电极加热过程中，使光波导均匀受热，从而提高光器件的工作性能。该光器件包括：基底和热场调节部。基底具有光波导、以及位于光波导上方的加热电极。加热电极具有镂空区域。热场调节部位于光波导和加热电极之间。热场调节部用于在加热电极加热过程中，调节加热电极所产生的热场的传导范围，以使光波导均匀受热。
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公开(公告)号：CN112269276B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202011272415.6
申请日：2020-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种光器件，涉及光器件技术领域，用于在加热电极加热过程中，使光波导均匀受热，从而提高光器件的工作性能。该光器件包括：基底和热场调节部。基底具有光波导、以及位于光波导上方的加热电极。加热电极具有镂空区域。热场调节部位于光波导和加热电极之间。热场调节部用于在加热电极加热过程中，调节加热电极所产生的热场的传导范围，以使光波导均匀受热。
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