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公开(公告)号：CN106054519A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610534964.3
申请日：2016-07-07
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法，包括：在硅衬底上形成第一光刻胶层，在第一光刻胶层上形成第一绝缘层；形成若干个阵列状排布的、贯穿所述第一绝缘层与第一光刻胶层至硅衬底的上表面的孔洞，并在孔洞内填充金属以形成金属体；形成一端与金属体的上表面连接的金属引线；金属引线的另一端连接焊盘；在第一绝缘层上形成第二绝缘层；第二绝缘层覆盖金属体的上表面以及金属引线；去除硅衬底，使金属体的下表面暴露出来；去除第一光刻胶层，使金属体的下部暴露出来，形成三维微电极阵列。本发明通过在光刻胶上进行干法刻蚀形成三维结构，工艺相比现有的技术进行了简化，制作成本也大大降低。
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公开(公告)号：CN106646048A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611206553.8
申请日：2016-12-23
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供了一种微电极阵列的制备方法，包括：制备基底；在基底上制备第一柔性绝缘衬底，并通过干法刻蚀的方法对第一柔性绝缘衬底进行图形化；在第一柔性绝缘衬底上制备金属电连接结构；在金属电连接结构上制备一介电层，并通过干法刻蚀的方法将介电层图形化，使得介电层包裹住第一柔性绝缘衬底；在介电层上制备第二柔性绝缘衬底，并在第二柔性绝缘衬底上制备微电极阵列的金属结构；在微电极阵列的金属结构上制备第三层柔性绝缘衬底，并通过干法刻蚀的方法制备出微电极阵列的轮廓，释放出金属刺激电极点及焊接点，其中焊接点的通孔位置被刻穿，暴露出底层与其对应的金属电连接结构；将微电极阵列的焊接点与金属电连接结构焊接到一起；去除基底。
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公开(公告)号：CN106419906A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610858458.X
申请日：2016-09-28
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: A61B5/042 , A61B5/0478 , A61B5/04 , A61N1/05 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25D3/50 , C25D5/10 , C25D9/04
Abstract: 本发明提供了一种氧化铱/铂纳米柱复合涂层修饰的微电极阵列，所述微电极阵列的电极表面设置有氧化铱/铂纳米柱复合涂层，所述氧化铱/铂纳米柱复合涂层包括依次设置于所述电极表面的铂纳米柱层和氧化铱层。该微电极阵列以氧化铱/铂纳米柱复合涂层为表面修饰层，该表面修饰层与微电极基底的结合力较好，不容易脱落导致电极失效，并且修饰后的微电极表面积极大地增加，其电化学阻抗明显降低，电极电荷注入容量和电荷存储能力大大增加，从而有利于降低植入的系统功耗，改善电刺激效果，同时该表面修饰层具有良好的生物相容性，使其在生物医学领域的应用大大增加。本发明还提供了一种氧化铱/铂纳米柱复合涂层修饰的微电极阵列的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106082113A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610547515.2
申请日：2016-07-12
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00404 , B81C1/00015 , B81C1/00388
Abstract: 本发明公开了一种利用微加工在电极表面制备三维微结构的方法，所述方法包括如下步骤：在电极的表面形成掩膜层；所述掩膜层上具有若干个贯穿所述掩膜层的空隙；通过在所述掩膜层上沉积金属层，在所述空隙内形成与所述电极的表面连接的金属点；去除所述掩膜层以及所述掩膜层上的金属层，使得所述金属点暴露出来。本发明通过掩膜在电极表面制得三维金属微结构，既能与组织界面紧密接触，又能获得较好的机械强度。
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公开(公告)号：CN106037719A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610486521.1
申请日：2016-06-28
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种铂纳米线修饰的微电极阵列，所述微电极阵列的电极表面设置有铂纳米线修饰层。该微电极阵列以铂纳米线为表面修饰层，修饰层与微电极基底的结合力强，不容易脱落导致电极失效，并且修饰后的微电极表面积极大地增加，其电化学阻抗明显降低，电极电荷注入容量和电荷存储能力大大增加，这有利于降低植入的系统功耗，改善电刺激效果，同时修饰层具有良好的生物相容性，使其在生物医学领域的应用大大增加。本发明还提供了一种铂纳米线修饰的微电极阵列的制备方法。
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公开(公告)号：CN107287631A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710389146.3
申请日：2017-05-25
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
CPC classification number: C25D5/10 , A61B5/04 , A61B5/04001 , A61B5/0478 , A61N1/05 , A61N1/0529 , A61N1/0551 , B82Y40/00 , C25D5/16 , C25D5/18 , C25D7/00
Abstract: 本发明公开了一种微电极及其制备方法和应用。本发明微电极包括基体和设置于所述基体上的微电极单元，在所述微电极单元外表面还结合有三维铂纳米层，在所述三维铂纳米层外表面还结合有电荷存储与注入增强层，其中，所述三维铂纳米层含有分布若干铂纳米锥体或铂纳米花的绒面，且所述电荷存储与注入增强层结合在所述绒面上。本发明微电极具有大的表面积，并有效降低微电极阻抗、增加电荷存储能力以及电荷注入能力等电化学性能，保证本发明微电极具有良好的生物兼容性及如机械稳定性与电化学稳定性等长期稳定性，从而提高本发明微电极的电刺激效率。本发明制备方法各步骤能够有效控制，从而保证了制备的微电极性能稳定，而且效率高，能够工业化生产。
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公开(公告)号：CN106315505A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610716039.2
申请日：2016-08-24
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
CPC classification number: B81C1/00031 , A61F9/08
Abstract: 本发明提供了一种增强聚酰亚胺基底和金属层之间的粘附力的方法，所述方法是通过在聚酰亚胺薄膜表面构筑微纳结构，使得聚酰亚胺薄膜与金属导电层之间的粘附力得到很大提高，在后续的工艺中聚酰亚胺基底和Ti/Pt金属导电层之间不易剥离脱落，保证了微电极阵列的长期有效稳定植入。
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公开(公告)号：CN106108891A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610460562.3
申请日：2016-06-23
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
CPC classification number: A61B5/042 , A61B5/04001 , A61B5/0478 , A61B5/6847 , A61B2562/0209 , A61N1/05 , A61N1/0526 , A61N1/0551 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C18/1648 , C23C18/44
Abstract: 本发明提供了一种铂纳米柱修饰的微电极阵列，所述微电极阵列的电极表面设置有铂纳米柱修饰层。该微电极阵列以铂纳米柱为表面修饰层，修饰层与微电极基底的结合力较好，不容易脱落导致电极失效，并且修饰后的微电极表面积极大地增加，其电化学阻抗明显降低，电极电荷注入容量和电荷存储能力大大增加，这有利于降低植入的系统功耗，改善电刺激效果，同时修饰层具有良好的生物相容性，使其在生物医学领域的应用大大增加。本发明还提供了一种铂纳米柱修饰的微电极阵列的制备方法。
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