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公开(公告)号：CN106580358B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN201611093004.4
申请日：2016-11-30
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: A61B6/03
Abstract: 本发明属于X射线成像技术领域，提供了一种断层成像系统及其断层扫描控制电路。本发明通过在断层成像系统中采用包括驱动模块、多个高压控制模块、冷阴极场致X射线源阵列及高压直流电源的断层扫描控制电路，由断层成像系统的探测器发送曝光时序信号至驱动模块；由驱动模块根据曝光时序信号输出多路单脉冲信号；由多个高压控制模块分别根据多路单脉冲信号对冷阴极场致X射线源阵列的发射时序进行控制，以使多个冷阴极场致X射线源依次向目标对象发射X射线，由于采用电子式全静态扫描方式，因此节约了高精度旋转机架的成本，且成像过程中不会存在运动伪影，同时，由于采用脉冲曝光方式，从而避免了扫描过程中无效辐射剂量的产生。
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公开(公告)号：CN112499604A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011311437.9
申请日：2020-11-20
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: C01B21/082 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本申请公开了一种具有氮空位密度的类石墨相氮化碳材料及其制备方法，属于电子场发射材料制备领域。本申请的制备方法包括：获得类石墨相氮化碳纳米片；将类石墨相氮化碳纳米片置于氢气气氛下还原，获得具有氮空位密度的类石墨相氮化碳材料；或，将类石墨相氮化碳纳米片置于高温下加热，并在加热完成后置于空气中冷却，获得具有氮空位密度的类石墨相氮化碳材料。通过上述方式，本申请能够提高类石墨相氮化碳材料的本征导电率，从而提高g‑C3N4的导电性能，使其在进行场发射时表现出更高的电流密度，扩大了g‑C3N4在场发射领域的应用范围。
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公开(公告)号：CN109473326B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201811310965.5
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种场发射电子源及其用途与真空电子器件及装置，涉及场发射技术领域，该场发射电子源，包括绝缘且间隔设置的：阴极，增益极，与所述阴极相对设置，包括金属电极层以及形成于所述金属电极层上的增益层；栅极，设置于所述阴极和增益极之间；其中，所述金属电极层位于所述栅极与所述增益层之间，所述增益层为半导体材料，所述半导体材料的二次电子发射系数≥3。该场发射电子源缓解了现有电子源电流小，利用增加栅极电压方法易造成电子源不稳定的技术问题，达到提高场发射电子源电流密度和稳定性的技术效果。
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公开(公告)号：CN107072022A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611173895.4
申请日：2016-12-16
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: H05G1/38
CPC classification number: H05G1/38
Abstract: 本发明属于X射线成像技术领域，提供了一种X射线断层扫描方法及系统，所述方法包括：在扫描时，控制器按照预设的扫描模式逐个启动多焦斑X光源阵列上的X射线源进行脉冲式发射，并控制当前X射线源按照其预设的脉冲曝光时间照射扫描对象，以使得不同排布位置上的X射线源照射到扫描对象上的表面剂量趋于一致；探测器采集不同排布位置上的X射线源照射到扫描对象后的投影图像，并将所述投影图像传输到终端设备；终端设备根据所述投影图像重建出所述扫描对象的三维图像。本发明通过控制脉冲曝光时间来调整投影图像的质量，相对于调节管电流的方式硬件成本低、调节精度高，且可以在保证成像质量的前提下，有效地降低扫描过程的整体辐射剂量。
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公开(公告)号：CN106783488A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611129215.9
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: H01J35/12
CPC classification number: H01J35/12
Abstract: 本发明涉及一种CT系统及其冷阴极X射线管。上述的冷阴极X射线管包括壳体、阳极以及循环组件；壳体开设有腔体；阳极位于腔体内，阳极与壳体连接使腔体分隔为第一部分和第二部分，第一部分填充有冷却液；第二部分具有真空度；阳极分别位于第一部分和第二部分内；循环组件的两端均与壳体连接，循环组件驱动冷却液循环流动于第一部分内。上述的CT系统及其冷阴极X射线管，由于循环组件的两端均与壳体连接，且冷却液经循环组件的驱动流动于第一部分内，使电子束轰击到阳极上产生的热量能够经冷却液带出第一部分进行快速冷却，从而解决了冷阴极X射线管存在阳极的散热性能较差的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104465280B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410736144.3
申请日：2014-12-05
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
Abstract: 一种用于CT成像的碳纳米射线管，包括阳极和碳纳米管阴极，所述阳极至少包括激发端，所述碳纳米管阴极至少包括放射面，其中，所述激发端呈圆锥形状，所述放射面为凹形曲面，所述碳纳米管阴极用于在外加电场下产生电子，所述放射面的凹形曲面用于聚焦电子形成电子束，并发射电子束轰击所述阳极的激发端以产生X射线。本发明提供的一种用于CT成像的碳纳米射线管，具有一体式封装、结构紧凑、空间设计合理的特点，减小了传统碳纳米射线源的结构尺寸，避免了传统热阴极的温度高、功耗大、发射延迟的缺陷，具有响应速度快、散热效果好、碳纳米管阴极和阳极不易损伤、使用寿命长的有益效果。
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公开(公告)号：CN104323787B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410572852.8
申请日：2014-10-23
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
IPC: A61B6/00
Abstract: 一种X射线断层扫描方法，所述方法包括：通过控制多焦斑X射线源的场发射单元的阴极与栅极间的电压，控制所述多焦斑X射线源从不同发射源点位置向被检测对象发射X射线进行扫描；利用平板探测器接收透过所述被检测对象的X射线，获得多角度的X射线投影图像；采集所述X射线投影图像的数据，并对采集到的数据进行重建得到所述被检测对象的断层图像。采用该方法，既能提高空间分辨率又能提高扫描速度。此外，还提供一种X射线断层扫描系统。
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公开(公告)号：CN104465280A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410736144.3
申请日：2014-12-05
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
Abstract: 一种用于CT成像的碳纳米射线管，包括阳极和碳纳米管阴极，所述阳极至少包括激发端，所述碳纳米管阴极至少包括放射面，其中，所述激发端呈圆锥形状，所述放射面为凹形曲面，所述碳纳米管阴极用于在外加电场下产生电子，所述放射面的凹形曲面用于聚焦电子形成电子束，并发射电子束轰击所述阳极的激发端以产生X射线。本发明提供的一种用于CT成像的碳纳米射线管，具有一体式封装、结构紧凑、空间设计合理的特点，减小了传统碳纳米射线源的结构尺寸，避免了传统热阴极的温度高、功耗大、发射延迟的缺陷，具有响应速度快、散热效果好、碳纳米管阴极和阳极不易损伤、使用寿命长的有益效果。
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公开(公告)号：CN104217907A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410465528.6
申请日：2014-09-12
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
Abstract: 本申请公开了一种石墨烯场发射阴极制备方法，包括将石墨烯、金属可溶性无机盐按照预定比例加入有机溶剂中，制得带正电荷的石墨烯电泳溶液；使用导电基板作为阴极，分别将阳极和所述阴极置于所述石墨烯电泳溶液中，外加电场，使带正电荷的石墨烯向所述阴极方向移动，并沉积在所述阴极上，得到掺杂金属颗粒的石墨烯薄膜；将石墨烯薄膜干燥，获得石墨烯场发射阴极。本申请还公开了一种石墨烯场发射阴极。本申请可改善石墨烯和衬底之间的电接触特性，提高了导电性能；同时金属纳米颗粒提高了石墨烯表面的粗糙度，增强了石墨烯表面的局域电场强度，显著降低石墨烯场发射阴极的开启电场，提高场发射电流。
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公开(公告)号：CN103871802A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201210544357.7
申请日：2012-12-15
Applicant: 中国科学院深圳先进技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管复合薄膜场发射阴极的制备方法，包括：S1、制备碳纳米管/TiC/Ti复合材料；S2、将碳纳米管/TiC/Ti复合材料和纳米填充颗粒按质量比5：1-1：5混合，混合物加入到有机溶剂中，并采用超声进行分散，形成第一浆料；S3、在银电极上移植第一浆料，形成碳纳米管复合薄膜；S4、在200°C-600°C的温度下，将碳纳米管复合薄膜放入烧结炉进行真空烧结或还原气氛烧结，其中，烧结时间在15分钟以上；S5、利用腐蚀剂腐蚀除去碳纳米管复合薄膜烧结后表面的Ti，露出碳纳米管/TiC发射尖端，并形成碳纳米管复合薄膜场发射阴极。该方法制备的碳纳米管复合薄膜场发射阴极结构增强了碳纳米管发射体与基体粘附力和电接触、改善了场发射性能。
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