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公开(公告)号：CN106771275B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201510811645.8
申请日：2015-11-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: G01N35/00
Abstract: 本发明提出一种杠杆夹持装置，包括基板，以及设置于所述基板上的承载机构和夹持机构；所述夹持机构包括支座以及活动固定于所述支座上的杠杆；所述杠杆包括一抵持端，其中，所述杠杆具有所述抵持端与所述承载机构抵持的第一状态、以及所述抵持端与所述承载机构分离的第二状态，所述夹持机构被设置为使所述杠杆在第二状态时受到向所述第一状态运动的力。本发明提供的杠杆夹持装置，能够实现在样品插拔的时候松开样品并锁定夹持装置，而在进行样品测量的时候夹紧样品并松开夹持装置。本发明提供的杠杆夹持装置操作简单、定位精准，而且在外界机械手对样品进行插拔过程中不会损坏夹持装置各部件，节约成品、提高效率。
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公开(公告)号：CN102520213B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201110416217.7
申请日：2011-12-14
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: G01Q60/00
Abstract: 本发明提供多层半导体材料界面势垒测量装置及测量多层半导体界面势垒方法，属于半导体测试领域，该半导体装置包括一真空腔、一导电样品台、一扫描探针显微镜、一金属气源产生装置和一聚焦离子束显微镜系统；并且在该方法中，对多层结构的半导体样品，可以利用该半导体装置的聚集离子显微镜系统进行部分表面剥离，再原位沉积电极，然后用扫描探针显微镜进行测量；本发明解决了现有技术中只能测量表层缺陷而无法测量多层异质界面缺陷的问题，本发明采用逐层解剖，逐层测量的方法，极大的提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN102495089B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110416227.0
申请日：2011-12-14
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: G01N23/225
Abstract: 本发明提供半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法，属于半导体测试领域，该半导体材料测量装置包括一反应腔室、一样品平台、一聚焦离子束显微镜系统与一电子束诱导感生电流测量装置；并且在该方法中，对多层异质结构的半导体样品，可以利用该半导体材料测量装置的聚焦离子显微镜系统剥离部分表面，接着在原位沉积电极，然后用电子束诱导感生电流测量装置进行测量；本发明解决了现有技术中测量多层异质界面缺陷时采用单层测量的问题，本发明做到逐层解剖，逐层测量，极大的提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN102637801A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201110416204.X
申请日：2011-12-14
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 苏州纳维科技有限公司
IPC: H01L33/40
Abstract: 一种发光二极管，包括具有第一导电类型的半导体衬底、半导体衬底表面的有源层、以及有源层表面的具有第二导电类型的半导体覆盖层，所述半导体覆盖层与有源层相对的一表面上设置有电极；所述半导体覆盖层表面上的电极包括石墨烯层与金属层，所述石墨烯层设置在金属层与半导体覆盖层之间，用以改善金属层与半导体材料之间的欧姆接触。本发明的优点在于，通过插入石墨烯层，不需要退火或刻蚀等工艺处理即可极大地改变半导体材料的表面电子态，从而减小任意金属或合金与半导体之间接触势垒。
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公开(公告)号：CN102520213A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110416217.7
申请日：2011-12-14
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: G01Q60/00
Abstract: 本发明提供多层半导体材料界面势垒测量装置及测量多层半导体界面势垒方法，属于半导体测试领域，该半导体装置包括一真空腔、一导电样品台、一扫描探针显微镜、一金属气源产生装置和一聚焦离子束显微镜系统；并且在该方法中，对多层结构的半导体样品，可以利用该半导体装置的聚集离子显微镜系统进行部分表面剥离，再原位沉积电极，然后用扫描探针显微镜进行测量；本发明解决了现有技术中只能测量表层缺陷而无法测量多层异质界面缺陷的问题，本发明采用逐层解剖，逐层测量的方法，极大的提高了工作效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102495089A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110416227.0
申请日：2011-12-14
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: G01N23/225
Abstract: 本发明提供半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法，属于半导体测试领域，该半导体材料测量装置包括一反应腔室、一样品平台、一聚焦离子束显微镜系统与一电子束诱导感生电流测量装置；并且在该方法中，对多层异质结构的半导体样品，可以利用该半导体材料测量装置的聚焦离子显微镜系统剥离部分表面，接着在原位沉积电极，然后用电子束诱导感生电流测量装置进行测量；本发明解决了现有技术中测量多层异质界面缺陷时采用单层测量的问题，本发明做到逐层解剖，逐层测量，极大的提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN101625303B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910030522.5
申请日：2009-04-14
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
CPC classification number: G01Q30/16
Abstract: 本发明公开了一种真空原子力显微镜及其使用方法，属于微观形貌检测设备领域，其包括电子束发射装置、二次电子探测器、带悬臂梁的探针、压电陶瓷扫描器和反馈控制器。工作时，将电子束照射于探针悬臂梁上，由于探针与样品原子之间的作用力而引起悬臂梁的形变，将产生二次电子信号的变化，通过对该信号进行反馈可控制针尖和样品之间处于恒定作用力，针尖在样品表面逐点扫描，可对样品表面形貌成像。本发明无需引入目前常用的光杠杆系统，克服了常规原子力显微镜应用于真空环境下带来的设计困难，综合两种纳米材料表征手段即原子力显微镜和电子显微镜的优势，可实现对材料从毫米尺度到亚纳米尺度精度的连续测量。
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公开(公告)号：CN102353815A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110179440.4
申请日：2011-06-30
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 一种材料的表面局域电子态的测量装置，包括样品台、直流信号发生器、交流信号发生器、可调波长的单色光光源以及镀金属膜的探针；所述样品台是导电的；探针设置在样品台表面，并与样品台保持一距离以放置待测样品；所述直流信号发生器与交流信号发生器的两个输出端中的一个连接在样品台上，另一个连接在探针上；可调波长的单色光光源所发出的光束为聚焦光束，聚焦光束能够聚焦至探针的针尖处。
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公开(公告)号：CN102064189A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010574581.1
申请日：2010-12-06
Applicant: 苏州纳维科技有限公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/47 , H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 一种金属-半导体电极结构，包括半导体层和金属电极，在半导体层和金属电极之间进一步设置一石墨烯层，以降低金属电极与半导体层之间的接触电阻。本发明的优点在于，通过在金属和半导体层之间插入石墨烯层，改善了金半接触的能带状态，可广泛适用于不同功函数的金属和不同掺杂类型及掺杂浓度的半导体，降低了接触势垒，从而起到降低接触电阻的作用。本发明提供的方法制备简单，性能稳定，重复性好，成本低廉，对于实现各种高性能低成本的微纳半导体电子器件具有重要作用。
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公开(公告)号：CN106033829B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201510106462.6
申请日：2015-03-11
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明提供一种等离激元窄带吸收薄膜，包括基底层及设置于所述基底层表面的介质层，还包括设置在所述介质层表面的隔离层及设置在所述隔离层表面的介电颗粒层，所述介电颗粒层由多个介电颗粒按一定周期排列形成。本发明的优点在于：1、相比于金属颗粒中的自由电子的等离激元共振，热损耗能够大大降低。2、能够实现强局域的电磁共振窄波长光吸收，进一步增强电磁波与介电颗粒作用强度，因此可以在不均匀的环境中实现窄波长的强局域共振响应。3、可以调节电磁能量在介质层和介电颗粒的吸收比例，从而降低金属热损耗。
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