-
公开(公告)号：CN119553192A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411457163.2
申请日：2024-10-18
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及高温形状记忆合金加工制备技术领域，具体为一种通过双重后处理提高增材制造成形TiNi基形状记忆合金力学性能的方法。首先，采用增材制造技术成形TiNi基形状记忆合金；其次，将增材制造技术成形的TiNi基形状记忆合金在1000～1100℃、100～170MPa条件下进行热等静压处理，保温1～5h后随炉冷却至室温；然后，将热等静压处理后的TiNi基形状记忆合金进行二次后处理，在1000～1200℃保温1～5h后取出，在空气中冷却到室温。本发明将增材制造成形TiNi基形状记忆合金通过双重后处理的方法，弥合成形缺陷，减少有害析出相的数量改善其分布状况，提高了增材制造成形TiNi基形状记忆合金的力学性能。
-
公开(公告)号：CN119304208A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411458072.0
申请日：2024-10-18
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 一种提高增材制造梯度功能材料界面质量的方法，属于金属材料先进加工制备领域。本发明首先在热处理炉将增材制造梯度功能材料在400℃～1000℃的条件下保温1h‑3h，然后在热变形速度0.1mm/s‑10mm/s的条件下进行热变形，变形量为10％‑70％。本发明对增材制造梯度功能材料进行热变形处理，促进了界面处合金元素的扩散，增加了界面处化学键的连接强度，消除了梯度界面处的缺陷，使得裂纹在扩展过程中的路径更加曲折、偏转角度增大，大幅度提高了增材制造梯度功能材料界面质量。
-
公开(公告)号：CN118848844A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410885621.6
申请日：2024-07-03
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及一种测量复杂结构件内外表面粗糙度的夹持工具，属于金属材料加工技术领域，包括底座，底座包括两个固定端，滑块在两个固定端间滑动；两个夹持块分别设置在其中一个固定端和滑块上，滑块带动两个夹持块相向或相背运动，完成夹持动作；固定块固定在底座的另一个固定端上，螺旋轴与固定块螺纹连接，穿过固定块，一端与滑块顶部的夹持块螺纹连接固定。通过该夹持工具，能够有效解决在测量复杂构件内外表面粗糙度时，构件发生晃动，导致测量结果发生较大误差的问题。该夹持工具提高了复杂结构件内外表面粗糙度的测量精度值，推动了金属材料加工技术领域的高速发展。
-
公开(公告)号：CN118081053A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410408775.6
申请日：2024-04-07
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明提供一种合金构件的焊接及修复方法，涉及扩散连接技术领域，包括以下步骤：步骤1)将待处理的合金构件置于合金包套内，然后将合金包套抽真空处理后进行封焊；其中，待处理的合金构件包括待修复件和填充件，填充件填充在待修复件的缺陷位置；步骤2)对封焊后的合金包套进行热等静压处理，去除包套后，得到修复后的合金构件。基于材料自身元素进行扩散连接，不会引入非母材元素，确保了焊接接头与母材在成分上的一致性；同时，在热等静压过程中，界面处的晶粒会发生“形核‑细晶粒‑晶粒长大”这一过程，从而使得界面处晶粒尺寸与母材一致，进而确保界面处的力学性能达到与母材相当的水平，从而消除后续使用过程中的安全隐患。
-
公开(公告)号：CN116713483A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310599073.6
申请日：2023-05-25
Applicant: 中国科学院金属研究所 , 北京航天动力研究所
Abstract: 一种有效去除增材制造构件内部支撑结构的工具，属于增材制造技术领域，包括手柄部、杆身部及工作部；手柄部固装在杆身部底端，工作部固设在杆身部顶端，杆身部为直线形，工作部为弧形；工作部的弧度与增材制造构件内部流道的弧度相匹配，增材制造构件内部流道中的支撑结构通过工作部去除；工作部的弯杆表面设有齿锯结构；工作部的弯杆最前端设有铲刀结构；杆身部与工作部及其上齿锯结构和铲刃结构采用淬火金属材料一体加工成型结构；齿锯结构用于去除支撑结构；铲刀结构用于去除根部残留；齿锯结构的锯齿为尖锥形；铲刀结构为扁平刀刃状。本发明能够有效去除增材制造构件内部的支撑结构，改善构件内部流道表面质量，推动增材制造技术发展与应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116240408A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111494095.3
申请日：2021-12-08
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C22C1/02 , C22C9/05 , C22C22/00 , C22F1/02 , C22F1/08 , C22F1/16 , C21D9/00 , B23P15/00 , B32B15/01 , B32B15/20
Abstract: 本发明涉及锰铜合金技术领域，具体为一种锰铜合金板箔材制备方法。按重量百分数计算，锰铜合金中，锰和铜可以按任何比例来配比。采用高纯度锰和铜单质原材料进行熔炼，熔炼后的铸锭于500～1050℃加热后经开坯锻造得到坯料；坯料于700～950℃之间进行均匀化退火后热轧得到板材；热轧板材经800～900℃退火后冷轧；冷轧过程中可于800～900℃进行真空退火热处理，得到的箔材经矫形、砂光后得到厚度为0.01mm～0.2mm的成品箔材。本发明可以解决目前没有锰铜合金箔材制备工艺的问题，利用合金高温区为单一固溶体的特性，来降低加工过程中的流变应力，提升加工塑性。
-
公开(公告)号：CN116237368A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111491666.8
申请日：2021-12-08
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及铜及其合金加工技术领域，具体为一种铜及其合金异种合金复合箔材的轧制加工方法。利用压延纯铜板和铜锰合金板作为原始材料，其中铜锰合金板可以是富铜或富锰。压延纯铜板和铜锰合金板经过表面打磨、贴合点焊后于热压炉内进行扩散连接，连接后的复合板材经过热轧、表面打磨后于真空热处理炉内进行退火。退火后的复合板材在室温下于连轧机上进行冷轧，冷轧后的复合箔材经过真空热处理退火后经拉弯矫直、分条剪切得到成品复合箔材。从而，解决现有技术中纯金属箔材的应用制约了相关产品的更新迭代速度，无法满足对其箔材进一步加工的要求等问题。
-
公开(公告)号：CN112548119A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011405712.3
申请日：2020-12-02
Applicant: 中国科学院金属研究所 , 泰州鑫玛科技产业发展有限公司
Abstract: 本发明涉及钛合金材料技术领域，具体涉及一种基于缺陷形态调控激光选区熔化成形钛合金工艺的方法。首先对激光选区熔化成形钛合金的显微组织进行检测，分析确定成形钛合金内部的缺陷类型，然后根据缺陷类型对成形工艺参数进行优化，具体优化如下：缺陷为不规则形状，说明能量密度较低，可以通过提高激光功率或降低扫描速度进行调整；缺陷为规则球形，说明能量密度过高，可以通过降低激光功率或提高扫描速度进行优化调整；采用该方法可以基于成形构件表明质量、成形效率等需求对成形工艺参数进行快速响应调整。
-
公开(公告)号：CN111702279A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010403205.X
申请日：2020-05-13
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明属于金属间化合物异材钎焊焊后热处理技术领域，具体涉及一种Ti2AlNb基合金和γ-TiAl基合金异材钎焊焊后热处理工艺。该工艺包括步骤：(1)真空钎焊：将Ti2AlNb基合金和γ-TiAl基合金采用真空钎焊的方式进行焊接；(2)将钎焊后样品放入真空热处理炉中随炉升温至低于热处理温度10℃～50℃，保温5～20min；(3)随后升温至热处理温度650℃～850℃，保温1～18h；(4)随炉冷却至室温。该热处理工艺实现了钎焊接头显微组织优化，并提高了其力学性能。
-
公开(公告)号：CN106925906B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201710057267.8
申请日：2017-01-20
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及高温钎料及其制备方法和钎焊工艺，具体为一种用于TiAl基合金钎焊的高温Ti‑Zr基钎料及其制备方法和钎焊工艺，解决了现有钎料焊后接头力学性能和高温性能差、钎料熔点低、钎料制备和钎焊工艺复杂等问题。本发明的钎料按重量百分比由Zr：10.0％～40.0％；Fe：10％～30％、Mn：10％～30％；Al、B、Co、Cr、Mg、Ag、Nb和Zn之一或两种以上，添加量为0～5％；其余为Ti。制备方法：一、称取原料；二、将原料装入熔炼设备中抽真空并冲入氩气，接着进行多次熔炼并冷却；三、将熔炼后的母合金进行急冷甩带，即得本发明的钎料。将急冷钎料箔带按照1100℃～1250℃、0～120min的钎焊工艺进行钎焊。本发明所制备的钎料与现有的钎料相比，具有高熔点、优秀的润湿性和力学性能，钎料制备和钎焊工艺简单。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
85
records
(took 0.047 seconds)
