公开(公告)号：CN114944335B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202210398920.8

申请日：2022-04-15

Applicant: 中国空间技术研究院

Inventor： 吕贺 ,  梅博 ,  安兆嵬 ,  孙毅 ,  王乾元 ,  曹爽 ,  莫日根 ,  李鹏伟 ,  于庆奎 ,  张洪伟 ,  赵玉玲 ,  张礼 ,  杨剑群

IPC: H10D10/01 ,  H01L21/26

Abstract: 一种硅PNP晶体管抗电离总剂量辐射加固工艺，包括：选择合适掺杂浓度的硅外延片，通过四次氧化工艺，基区、发射区的光刻和杂质注入，重金属掺杂，合金化，钝化，刻蚀等工艺流程，可以制作出一种硅基PNP晶体管。本发明能大幅度降低电离辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态影响，可以大大增强双极器件的抗总剂量辐照性能，能有效提高硅PNP晶体管抗电离总剂量辐射能力。

公开(公告)号：CN114944335A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210398920.8

申请日：2022-04-15

Applicant: 中国空间技术研究院

Inventor： 吕贺 ,  梅博 ,  安兆嵬 ,  孙毅 ,  王乾元 ,  曹爽 ,  莫日根 ,  李鹏伟 ,  于庆奎 ,  张洪伟 ,  赵玉玲 ,  张礼 ,  杨剑群

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/26

Abstract: 一种硅PNP晶体管抗电离总剂量辐射加固工艺，包括：选择合适掺杂浓度的硅外延片，通过四次氧化工艺，基区、发射区的光刻和杂质注入，重金属掺杂，合金化，钝化，刻蚀等工艺流程，可以制作出一种硅基PNP晶体管。本发明能大幅度降低电离辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态影响，可以大大增强双极器件的抗总剂量辐照性能，能有效提高硅PNP晶体管抗电离总剂量辐射能力。