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公开(公告)号：CN116401985A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211691051.4
申请日：2022-12-27
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G06F30/331 , G06F30/3312
Abstract: 一种集成电路单粒子软错误仿真等效故障注入方法，基于地面加速器试验粒子注入位置分布和故障引入机制分析、芯片集成的各单元电路单粒子敏感区域占比分析、数量占比分析等因素考虑，通过等效故障注入样本集抽样方法，为芯片级单粒子软错误仿真输入条件确定提供支持，更加准确的仿真地面试验粒子引发的集成电路单粒子软错误截面。
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公开(公告)号：CN116227424A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211691056.7
申请日：2022-12-27
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G06F30/398 , G06F30/394 , G06F119/10
Abstract: 一种低压差线性稳压器噪声抑制通用板、设计及测试方法，能够全面的对器件噪声抑制功能进行验证，对于低压差稳压器的器件应用验证具有重要意义，可对不同型号的低压差线性稳压器进行验证，是一种通用型的验证方法，并且其设计简单，对测试设备要求低，开发的验证装置可覆盖不同类型的低压差线性稳压器，大大提高了验证效率。
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公开(公告)号：CN114944335A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210398920.8
申请日：2022-04-15
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: H01L21/331 , H01L21/26
Abstract: 一种硅PNP晶体管抗电离总剂量辐射加固工艺，包括：选择合适掺杂浓度的硅外延片，通过四次氧化工艺，基区、发射区的光刻和杂质注入，重金属掺杂，合金化，钝化，刻蚀等工艺流程，可以制作出一种硅基PNP晶体管。本发明能大幅度降低电离辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态影响，可以大大增强双极器件的抗总剂量辐照性能，能有效提高硅PNP晶体管抗电离总剂量辐射能力。
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公开(公告)号：CN111025110A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911158149.1
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R31/26 , G01R31/265 , G01R31/303
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅器件单粒子效应的检测系统及方法。所述检测系统包括：BNC转接装置设置于真空罐之上，计算机分别与高阻表、直流源和第二DB9转接装置连接；高阻表的高压输出High端口与BNC转接装置连接；直流源的电压输出端口与第二DB9转接装置连接；BNC转接装置、第二DB9转接装置和第一DB9转接装置分别与检测装置连接；第一DB9转接装置和高阻表上的仪表输入High端口分别与保护装置连接；高阻表的高压输出Low端口与高阻表上的仪表输入Low端口内部连接；检测装置置于真空罐内，粒子束流通过加速器管道输送至检测装置上的辐照区域。本发明能精确检测出碳化硅器件发生单粒子效应的电压值。
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公开(公告)号：CN119853669A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411772672.4
申请日：2024-12-04
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: H03K19/094 , H03K19/003 , H03K19/00
Abstract: 本发明公开了一种用于SiC MOSFET空间应用的加固电路，包括：MOSFET器件Q1、MOSFET器件Q2、电阻R1、高压电源、第一驱动器和第二驱动器；其中，MOSFET器件Q1的源极和MOSFET器件Q2的漏极相连接；MOSFET器件Q1的漏极与电阻R1的一端相连接，电阻R1的一端与高压电源的正极相连接；MOSFET器件Q2的源极与高压电源的负极相连接后一同接地；第一驱动器的输出端与MOSFET器件Q1的栅极相连接，第一驱动器的参考端和MOSFET器件Q1的源极相连接；第二驱动器的输出端与MOSFET器件Q2的栅极相连接，第二驱动器的参考端和MOSFET器件Q2的源极相连接；第一驱动器和第二驱动器均与方波输入信号相连接。本发明增强了器件在空间辐射环境中的抗单粒子效应能力，提升了器件的整体可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117890818A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311776741.4
申请日：2023-12-21
Applicant: 中国空间技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种宇航用电源类器件单粒子效应高精度检测装置，包括主控模块，通信协议模块、数据采集模块、电源模块、隔离驱动模块、矩阵开关模块、电子负载模块、效应检测模块、数据存储模块、试验子板群模块；本发明兼具数据采集记录和图像显示功能，能够有效、直观检测不同类型电源类器件单粒子锁定、单粒子烧毁与单粒子瞬态现象，同时结合数据保存功能，提供足量数据进行试验后分析。该试验子板兼容不同封装宇航用电源类器件，具有三通道实时监测功能，可实现三只器件顺序开展试验，可大幅度减少试验成本。本发明系统集成度高，通用性强、覆盖器件广，检测精度高，具有工程化特点。
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公开(公告)号：CN116314256A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211706458.X
申请日：2022-12-29
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种抗单粒子加固的P‑GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法，包括由下至上依次层叠的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、P型氮化物材料层、原位生长材料层和栅极；P型氮化物材料层的一侧与第一钝化层、源极依次连接，另一侧与第二钝化层、漏极依次连接；原位生长材料层设置于所述P型氮化物材料层上方两侧，两侧原位生长材料层之间露出P型氮化物材料层，两侧原位生长材料层上方部分区域及露出的P型氮化物材料层上沉积有栅极，原位生长材料层、P型氮化物材料层与所述栅极形成具有终端结构的栅极。该晶体管的设计可以缓解器件栅极边缘靠近漏极一侧的电场，提高器件的击穿电压，提升抗单粒子特性。
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公开(公告)号：CN116167208A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211706489.5
申请日：2022-12-29
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种元器件总剂量效应仿真计算软件宇航应用验证方法，包括：S1、选取一款典型的元器件a，对其进行总剂量效应仿真计算，给出总剂量计算结果；S2、判断是否存在在轨飞行数据；S3、判断是否存在地面模拟试验数据；S4、与成熟软件计算数据进行比对；S5、根据S2、S3、S4的对比计算结果，判断元器件总剂量辐射效应计算软件的准确性，并确定偏差结果，根据偏差结果，调整软件的相关参数。本发明通过合理的软件验证评估流程，及时验证并修正仿真系统模型，降低仿真应用风险，提高仿真计算精度。
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公开(公告)号：CN114460429A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202111394943.3
申请日：2021-11-23
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种SiC MOSFET器件总剂量效应试验方法，主要应用于SiC MOSFET总剂量效应试验。本发明可以解决SiC MOSFET的总剂量试验问题，实现了对SiC MOSFET复杂总剂量效应的验证，在试验过程中，对总剂量辐射诱生缺陷引起的阈值电压漂移和SiC MOSFET界面附近固有的近界面陷阱电荷引起的阈值电压漂移分别测量，对测试结果进行综合分析计算，可以给出SiC MOSFET器件抗总剂量效应能力，给用户进行应用抗辐射加固设计和生产厂家进行器件加固起到一定的指导作用。
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公开(公告)号：CN116223940A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211689709.8
申请日：2022-12-27
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开一种模拟类器件单粒子瞬态通用检测系统，包括模拟量输入通道、ADC数据采集电路等；模拟量输入通道对所需采集的模拟信号进行放大滤波调理；ADC数据采集电路通过模拟量输入通道采集模拟信号，将模拟信号转为数字信号发送给FPGA控制器；FPGA控制器接收上位机指令，控制ADC数据采集电路工作，将采集数据发送至上位机；SDRAM存储器用于缓存采集数据；PCI通信接口实现FPGA控制器与上位机的通信，实现FPGA控制器与上位机之间的指令的传递和试验数据的传输；触发电路用于实现模拟信号的电平突变触发，当模拟信号满足所设置的触发条件时，触发FPGA控制器控制SDRAM存储器保存数据触发时和触发之后的数据；试验电路通用子板用于加载被测器件。
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