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公开(公告)号:CN111146059A
公开(公告)日:2020-05-12
申请号:CN202010003592.8
申请日:2020-01-03
Applicant: 中国船舶重工集团公司第七0七研究所
IPC: H01J37/02 , H01J37/04 , H01J37/305
Abstract: 本发明涉及用于离子束刻蚀预热稳定装置及离子束刻蚀预热稳定方法,稳定装置包括屏蔽挡板和连接屏蔽挡板的侧面旋转支架,屏蔽挡板和侧面旋转支架位于离子束刻蚀机的真空室舱门内,侧面旋转支架的外端连接旋转操作杆,旋转操作杆的外段为螺纹杆段,旋转操作杆密封穿过真空室外壁,通过连接螺纹杆段的锁紧螺母与真空室舱壁可调节式固定连接;在屏蔽挡板转至竖直状态下,屏蔽挡板与工作台呈平行设置,屏蔽挡板位于工作台的正前方和离子源的离子输出端的后方,在屏蔽挡板转至水平状态下,屏蔽挡板位于工作台的上方。本发明装置结构简单、操作方便,该方法易于实现,解决了加工件蚀槽深超差的问题。
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公开(公告)号:CN109411321A
公开(公告)日:2019-03-01
申请号:CN201811282216.6
申请日:2018-10-29
Applicant: 中国船舶重工集团公司第七0七研究所
IPC: H01J37/30 , H01J37/305
CPC classification number: H01J37/3002 , H01J37/3053
Abstract: 本发明涉及一种应用于离子束刻蚀溅射防护的装置和方法,该装置主要包括正面支架上的圆柱形屏蔽筒和底座支架。该装置整体置于真空室舱门内,工件台的正前方,通过底座支架和正面支架可以调节圆柱形屏蔽筒的位置,使之与工件台止推板处于同一水平面。在止推板安装到工件台靶位之后,对止推板进行溅射防护,从而减小了离子束刻蚀过程中由离子溅射引起的刻蚀止推板槽深超差,满足了陀螺仪精度的要求。
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公开(公告)号:CN112992644A
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN202110026600.5
申请日:2021-01-08
Applicant: 中国船舶重工集团公司第七0七研究所
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种应用于离子束非金属刻蚀中和器系统,包括离子源、中和器和工作台;在所述离子源的前方在所述离子源用于产生匀速直线运动的带正电的氩离子,所述中和器用于产生带负电荷的电子,该带负电荷的电子与离子源产生的带正电的氩离子产生中和效应后,使匀速直线运动的不带电的氩离子轰击工件台上的待刻蚀的工件;所述工作台用于固定待刻蚀的工件。本发明能够通过减小频率裂解,使谐振陀螺在精度、斜漂、分辨率等各项性能指标中都更加趋于完善。
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公开(公告)号:CN109411321B
公开(公告)日:2021-02-12
申请号:CN201811282216.6
申请日:2018-10-29
Applicant: 中国船舶重工集团公司第七0七研究所
IPC: H01J37/30 , H01J37/305
Abstract: 本发明涉及一种应用于离子束刻蚀溅射防护的装置和方法,该装置主要包括正面支架上的圆柱形屏蔽筒和底座支架。该装置整体置于真空室舱门内,工件台的正前方,通过底座支架和正面支架可以调节圆柱形屏蔽筒的位置,使之与工件台止推板处于同一水平面。在止推板安装到工件台靶位之后,对止推板进行溅射防护,从而减小了离子束刻蚀过程中由离子溅射引起的刻蚀止推板槽深超差,满足了陀螺仪精度的要求。
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