一种温度校准的装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108562378B

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN201810275623.8

    申请日:2018-03-30

    Abstract: 本发明实施例涉及一种温度校准的装置,包括:样品台(1),样品台(1)处于真空红外加热条件下;石英托管(5),连接并支撑样品台(1),处于真空红外加热条件下;K型热电偶(2),穿过所述石英托管(5),其测温端置于所述样品台(1)之内;块状介质(3),位于样品台(1)之内,块状介质(3)加工有孔;S型热电偶(4),穿过石英托管(5),其测温端插入所述块状介质(3)的孔之内,根据所述S型热电偶(4)测得的温度,对所述K型热电偶(2)所测量到的温度进行校准;其中,所述块状介质(3)的红外辐射吸收率不低于0.90,导热系数不低于60~70W/(m·K)。本发明实施例提供的温度校准的装置能够针对真空红外加热的特殊环境,对K偶进行温度校准。

    一种温度测量的装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108195478A

    公开(公告)日:2018-06-22

    申请号:CN201810275515.0

    申请日:2018-03-30

    Abstract: 本发明实施例涉及一种温度测量的装置,包括:样品台(1),所述样品台(1)处于真空红外加热条件下;石英托管(2),所述石英托管(2)连接并支撑样品台(1),处于真空红外加热条件下;块状介质(3),位于所述样品台(1)之内,所述块状介质(3)加工有孔;热电偶(4),所述热电偶(4)穿过石英托管(2),其测温端插入块状介质(3)的所述孔之内;其中,块状介质(3)的红外辐射吸收率不低于0.90,导热系数不低于60~70W/(m·K)。本发明实施例提供一种温度测量的装置能够针对真空红外加热的特殊环境,准确测量样品台内的温度。

    一种温度校准的装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108562378A

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201810275623.8

    申请日:2018-03-30

    Abstract: 本发明实施例涉及一种温度校准的装置,包括:样品台(1),样品台(1)处于真空红外加热条件下;石英托管(5),连接并支撑样品台(1),处于真空红外加热条件下;K型热电偶(2),穿过所述石英托管(5),其测温端置于所述样品台(1)之内;块状介质(3),位于样品台(1)之内,块状介质(3)加工有孔;S型热电偶(4),穿过石英托管(5),其测温端插入所述块状介质(3)的孔之内,根据所述S型热电偶(4)测得的温度,对所述K型热电偶(2)所测量到的温度进行校准;其中,所述块状介质(3)的红外辐射吸收率不低于0.90,导热系数不低于60~70W/(m·K)。本发明实施例提供的温度校准的装置能够针对真空红外加热的特殊环境,对K偶进行温度校准。

    一种温度校准的装置
    4.
    实用新型

    公开(公告)号:CN207964129U

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201820442162.4

    申请日:2018-03-30

    Abstract: 本实用新型实施例涉及一种温度校准的装置,包括:样品台,样品台处于真空红外加热条件下;石英托管,连接并支撑样品台,处于真空红外加热条件下;K型热电偶,穿过所述石英托管,其测温端置于所述样品台之内;块状介质,位于样品台之内,块状介质加工有孔;S型热电偶,穿过石英托管,其测温端插入所述块状介质的孔之内,根据所述S型热电偶测得的温度,对所述K型热电偶所测量到的温度进行校准;其中,所述块状介质的红外辐射吸收率不低于0.90,导热系数不低于60~70W/(m·K)。本实用新型实施例提供的温度校准的装置能够针对真空红外加热的特殊环境,对K偶进行温度校准。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种温度测量的装置
    5.
    实用新型

    公开(公告)号:CN207964111U

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201820442406.9

    申请日:2018-03-30

    Abstract: 本实用新型实施例涉及一种温度测量的装置,包括:样品台(1),所述样品台(1)处于真空红外加热条件下;石英托管(2),所述石英托管(2)连接并支撑样品台(1),处于真空红外加热条件下;块状介质(3),位于所述样品台(1)之内,所述块状介质(3)加工有孔;热电偶(4),所述热电偶(4)穿过石英托管(2),其测温端插入块状介质(3)的所述孔之内;其中,块状介质(3)的红外辐射吸收率不低于0.90,导热系数不低于60~70W/(m·K)。本实用新型实施例提供一种温度测量的装置能够针对真空红外加热的特殊环境,准确测量样品台内的温度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种光学一体化设置的薄膜材料相变温度测量装置及方法

    公开(公告)号:CN119147580A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202411323925.X

    申请日:2024-09-23

    Abstract: 本发明公开了一种光学一体化设置的薄膜材料相变温度测量装置及方法,属于薄膜热性能检测技术领域,包括光学组件固定架和真空腔,真空腔通过法兰连接在光学组件固定架的下方;光学组件固定架上设置有光电探测器、第一分光组件、第二分光组件、第一聚焦镜、CCD传感器、反光镜、第二聚焦镜和激光器;第二分光组件设置在激光器的发射端,第一聚焦镜设置在第二分光组件的下方,第一分光组件和光电探测器依次设置在第二分光组件的上方,第二聚焦镜和反光镜依次设置在第一分光组件的右侧,本发明所提供的装置及方法,简化了相变薄膜材料相变温度测量的过程,同时提高了相变薄膜材料相变温度测量的准确性及多样性。

    一种样品稳定装卸的薄膜材料相变温度测量装置

    公开(公告)号:CN119147579A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202411323919.4

    申请日:2024-09-23

    Abstract: 本发明公开了一种样品稳定装卸的薄膜材料相变温度测量装置,属于半导体薄膜热性能测量领域,包括快关门、真空腔体、匣板阀、进样舱室、磁力进样杆,快关门设置在真空腔体的一侧,进样舱室设置在真空腔体远离快关门的一侧,匣板阀安装在进样舱室靠近真空腔体的一侧,磁力进样杆安装在进样舱室远离匣板阀的一侧,真空腔体的底部设置有电控位移平台,真空腔体的内部设置有接收架,电控位移平台的外部套设有蒸发源,蒸发源位于接收架的正下方;本发明通过装置中磁力进样杆、接收架与蒸发源的相互配合;解决了进样过程中样品不固定的问题,保证了光路稳定;同时也保证了样品台的稳定和腔室的密闭性;并且样品与热电偶可稳定压力接触。

    基于库尔特原理的Zeta电位检测装置和方法

    公开(公告)号:CN119165035A

    公开(公告)日:2024-12-20

    申请号:CN202411311671.X

    申请日:2024-09-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于库尔特原理的Zeta电位检测装置和方法,装置包括样品池、微流芯片和电压回路;其中,所述样品池的一端通入第一预设浓度的待测样品,所述样品池的另一端通入第二预设浓度的待测样品,所述微流芯片设置于所述样品池内,且所述微流芯片上开设有供所述待测样品中粒子通过的微流通道;所述电压回路与所述样品池中的待测样品形成导电回路,以对所述样品池施加直流电压。在检测过程中,在样品池两侧接电极,施加直流电压,粒子发生电泳;当粒子通过样品池中心的微流通道时,产生微电流信号波动,通过该微电流信号波动得到电泳迁移率;解决了现有Zeta电位测量中粒子会受到布朗运动影响的缺点,提高了Zeta电位测量的精度。

    一种基于石墨烯材料散热膜散热性能的测量方法

    公开(公告)号:CN116183667A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202310419642.4

    申请日:2023-04-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯材料散热膜散热性能的测量方法,在每个气罐顶部的竖直透明管顶部敞开,竖直透明管内具有能上下滑动的浮板,气罐内的储液桶的四周均布有若干散热翅片,且在左侧储液桶上的每块散热翅片上覆盖有散热膜,每个储液桶顶部与大气连通;朝两个气罐内注入压缩气体,浮板上移一定距离,两浮板所处高度一致;通过一个呈山字形的连通管同时朝两个储液桶内注入加热后的热油,热油同时流向左右两侧的两个侧部管段内,并进入到每个储液桶内,中部管段内的液面稳定后,关闭储液桶底端处的控制阀,静置后观察左右两侧的两个竖直透明管内的浮板上升情况。本发明测量精度较高,测量结果直观易懂,更具体地动态体现散热性。

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