公开(公告)号：CN113614891A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202080022923.0

申请日：2020-03-02

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 大森启之 ,  古谷俊太

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于：针对具有硅化合物膜的基板，介由形成在前述硅化合物膜上的具有规定开口图案的掩膜，将干蚀刻剂等离子化后对所述硅化合物膜进行蚀刻，前述干蚀刻剂包含以下的所有第1气体至第4气体。第1气体：选自由碘氟碳化合物和溴氟碳化合物组成的组中的1种以上的化合物；第2气体：由CnFm表示的不饱和氟碳；第3气体：由CxHyFz表示的含氢不饱和氟碳；第4气体：氧化性气体。

公开(公告)号：CN109502617A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811056906.X

申请日：2018-09-11

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 大森启之 ,  古谷俊太 ,  长友真圣 ,  八尾章史 ,  高木敦 ,  塚本将功

IPC: C01F7/56

Abstract: 本发明涉及碱性氯化铝溶液和其制造方法。本发明的目的在于，提供：能以低成本生产具有高的絮凝性能和高的保存稳定性的碱性氯化铝溶液的制造方法。本发明的解决手段为使用碱性氯化铝溶液的制造方法，该制造方法包括：对于包含由[Al2(OH)nCl(6-n)]m(0