公开(公告)号：CN116710597A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202280009029.9

申请日：2022-01-04

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 谷口敬寿 ,  林志坚 ,  宫崎达夫

IPC: C23F1/18

Abstract: 本公开的湿式蚀刻溶液，其为针对由钨系材料制成的第一金属层与由钴和/或铜系材料制成的第二金属层共存、且至少钴和/或铜系材料的表层形成有氧化物层的半导体基板，一面抑制上述第一金属层的蚀刻一面选择性地去除上述第二金属层的蚀刻溶液。上述蚀刻溶液包含使键合有三氟甲基与羰基的β‑二酮溶解于有机溶剂中而获得的溶液。

公开(公告)号：CN119278504A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202380043184.7

申请日：2023-05-31

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 谷口敬寿 ,  林志坚 ,  宫崎达夫 ,  奥村雄三 ,  照井贵阳

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明的基材的处理方法具有下述工序：准备工序，准备在表面具有第1表面及第2表面的基材，所述第1表面含有Si，所述第2表面与第1表面化学组成不同且含有Si；表面改性工序，在施加使硅烷基化剂接触第1表面及第2表面的硅烷基化处理后，施加相对于第1表面而言将第2表面的拒水性选择性地降低的拒水性调整处理；以及加工工序，在表面改性工序之后，对于第2表面选择性施加加工处理。