湿式蚀刻方法
    1.
    发明公开
    湿式蚀刻方法 审中-实审

    公开(公告)号:CN116324036A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202180070131.5

    申请日:2021-10-11

    Abstract: 本公开中提出的湿式蚀刻方法,其为利用表面改质液对基板上的含金属膜进行预处理,接着使用蚀刻液进行蚀刻的湿式蚀刻方法,前述蚀刻液为包含键合有三氟甲基及羰基的β‑二酮和有机溶剂的溶液,前述含金属膜包含能够与前述β‑二酮形成络合物的金属元素,前述表面改质液包含对前述金属元素的氧化性物质,前述湿式蚀刻方法包括:第一工序,使前述表面改质液与前述含金属膜接触而在前述含金属膜的表面形成前述金属元素的氧化膜;和第二工序,使前述蚀刻液与具有前述氧化膜的前述含金属膜接触。

    基板、选择性膜沉积方法、有机物的沉积膜及有机物

    公开(公告)号:CN116685715A

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202280009700.X

    申请日:2022-01-28

    Abstract: 本发明涉及一种选择性膜沉积方法,其特征在于,将具有露出了含有金属元素的第一表面区域与含有非金属无机材料的第二表面区域这两者的结构的基板暴露于含有下述通式(1)所表示的有机物与溶剂的溶液中,使所述有机物的膜较之所述第二表面区域选择性地沉积于所述第一表面区域,R1(X)m (1)在通式(1)中,R1为碳原子数为4~100的任选具有杂原子或卤素原子的烃基,所述烃基的m个氢原子被X取代。X为‑PO3(R2)2、‑O‑PO3(R2)2、‑CO2R2、‑SR2或‑SSR1。R2各自为氢原子或碳原子数为1~6的烷基。m为正整数,当将该烃基的碳原子数设为r时,m/r为0.01~0.25。

    基材的处理方法及基材的制造方法

    公开(公告)号:CN119278504A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202380043184.7

    申请日:2023-05-31

    Abstract: 本发明的基材的处理方法具有下述工序:准备工序,准备在表面具有第1表面及第2表面的基材,所述第1表面含有Si,所述第2表面与第1表面化学组成不同且含有Si;表面改性工序,在施加使硅烷基化剂接触第1表面及第2表面的硅烷基化处理后,施加相对于第1表面而言将第2表面的拒水性选择性地降低的拒水性调整处理;以及加工工序,在表面改性工序之后,对于第2表面选择性施加加工处理。

    湿式蚀刻溶液及湿式蚀刻方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116710597A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202280009029.9

    申请日:2022-01-04

    Abstract: 本公开的湿式蚀刻溶液,其为针对由钨系材料制成的第一金属层与由钴和/或铜系材料制成的第二金属层共存、且至少钴和/或铜系材料的表层形成有氧化物层的半导体基板,一面抑制上述第一金属层的蚀刻一面选择性地去除上述第二金属层的蚀刻溶液。上述蚀刻溶液包含使键合有三氟甲基与羰基的β‑二酮溶解于有机溶剂中而获得的溶液。

Patent Agency Ranking