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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117031624A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311144014.6
申请日：2023-09-05
Applicant: 中山大学
Abstract: 一种用于增强二次谐波效应的光子晶体平板集成结构，由上至下依次包括光子晶体平板层、非线性光学材料层、波导层和衬底层，所述光子晶体平板层采用光栅或二维光子晶体设置并呈周期性阵列排布，用于对入射光进行衍射，使入射光与非线性光学材料层耦合；所述非线性光学材料层，用于激光的非线性频率转换；所述波导层，用于增长入射光与非线性光学薄膜材料耦合的距离，从而增强非线性光学材料层对入射光的响应；所述衬底层，起承载作用。通过使用本发明，能够显著增强薄膜材料的二次谐波转换效率。本发明可广泛应用于量子光源技术领域。
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公开(公告)号：CN115341273B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202211008146.1
申请日：2022-08-22
Applicant: 中山大学
IPC: C30B25/00 , C30B29/46 , H10N10/852 , H10N10/01
Abstract: 本发明属于碲化铋单晶制备技术领域，具体涉及一种大尺寸二维热电材料碲化铋单晶的制备。为制备大尺寸Bi2Te3单晶，本发明在化学气相沉积法(CVD)的基础上，使用单温区水平管式炉通过氢气辅助的方法，并精确控制H2与惰性气体的比例，增强Te的还原性，使H2首先与Te反应生成H2Te气体，由于H2Te具有很强的还原性，可以与Bi反应生成Bi2Te3，从而提高生长速度，同时利用氢气降低衬底的吸附能，降低成核密度，还通过精确控制衬底温度(生长温度)，保证充足的Bi源和Te源供给，进而实现了大尺寸Bi2Te3单晶的制备，且制备成本低，操作简单，可批量生产。
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公开(公告)号：CN115341273A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211008146.1
申请日：2022-08-22
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明属于碲化铋单晶制备技术领域，具体涉及一种大尺寸二维热电材料碲化铋单晶的制备。为制备大尺寸Bi2Te3单晶，本发明在化学气相沉积法(CVD)的基础上，使用单温区水平管式炉通过氢气辅助的方法，并精确控制H2与惰性气体的比例，增强Te的还原性，使H2首先与Te反应生成H2Te气体，由于H2Te具有很强的还原性，可以与Bi反应生成Bi2Te3，从而提高生长速度，同时利用氢气降低衬底的吸附能，降低成核密度，还通过精确控制衬底温度(生长温度)，保证充足的Bi源和Te源供给，进而实现了大尺寸Bi2Te3单晶的制备，且制备成本低，操作简单，可批量生产。
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公开(公告)号：CN115341272B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202210922764.0
申请日：2022-08-02
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明属于拓扑绝缘体制备技术领域，具体涉及一种毫米级二维拓扑材料硒化铋单晶的制备方法。为解决目前的Bi2Se3制备方法仍无法满足低成本、可批量制备、大尺寸、高均匀性需求的问题，本发明通过限时通气(在升温过程保持真空，达到设定温度后通气的方法)，以低熔点的Bi粉和Se粉为前驱体源，精确控制衬底温度(生长温度)等方法，有效解决了成核不均匀的问题，并实现了Bi2Se3单晶片的均匀可控生长，最终获得了毫米级Bi2Se3单晶片。
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公开(公告)号：CN115341272A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210922764.0
申请日：2022-08-02
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明属于拓扑绝缘体制备技术领域，具体涉及一种毫米级二维拓扑材料硒化铋单晶的制备方法。为解决目前的Bi2Se3制备方法仍无法满足低成本、可批量制备、大尺寸、高均匀性需求的问题，本发明通过限时通气(在升温过程保持真空，达到设定温度后通气的方法)，以低熔点的Bi粉和Se粉为前驱体源，精确控制衬底温度(生长温度)等方法，有效解决了成核不均匀的问题，并实现了Bi2Se3单晶片的均匀可控生长，最终获得了毫米级Bi2Se3单晶片。
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