公开(公告)号：CN113611760B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202110768999.4

申请日：2021-07-07

Applicant: 中山德华芯片技术有限公司

Inventor： 牛文龙 ,  杨文奕 ,  刘建庆 ,  吴倩

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/036 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种锗太阳能电池及其制备方法和应用，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的锗太阳能电池，包括依次叠加设置的锗衬底和外延片；锗衬底远离外延片一侧表面，设置有沟槽；沟槽的设置方向与锗衬底的 晶向相交错。本发明的锗太阳能电池通过优化结构设计，能够实现常规刚性太阳能电池的球面弯曲，同时降低了传统锗太阳能电池的重量。

公开(公告)号：CN113611760A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202110768999.4

申请日：2021-07-07

Applicant: 中山德华芯片技术有限公司

Inventor： 牛文龙 ,  杨文奕 ,  刘建庆 ,  吴倩

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/036 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种锗太阳能电池及其制备方法和应用，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的锗太阳能电池，包括依次叠加设置的锗衬底和外延片；锗衬底远离外延片一侧表面，设置有沟槽；沟槽的设置方向与锗衬底的 晶向相交错。本发明的锗太阳能电池通过优化结构设计，能够实现常规刚性太阳能电池的球面弯曲，同时降低了传统锗太阳能电池的重量。