MEMS一氧化碳传感器气敏薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN114624293A

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202111149527.7

    申请日:2021-09-29

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS一氧化碳传感器气敏薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1:将二氧化锡靶材和金靶材分别安装在磁控溅射仪的不同的磁控溅射靶上,将高纯度的氩气接入磁控溅射仪的进气口,将微加热板放入磁控溅射仪内,调整磁控溅射靶与微加热板之间的溅射距离H;S2:将磁控溅射仪的工作靶材选为二氧化锡靶材,开启磁控溅射仪的总电源,开始抽真空,将真空室的气压调整至5*10‑3Pa以下,设置微加热板的温度为25℃;S3:打开射频溅射电源开始在微加热板表面镀二氧化锡薄膜;S4:镀二氧化锡薄膜结束后,在二氧化锡薄膜表面镀金薄膜;镀金薄膜结束后,得到金修饰的二氧化锡气敏薄膜。利用本发明,能够提高MEMS一氧化碳传感器的响应灵敏度、稳定性,并能够批量化制备MEMS一氧化碳传感器。

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