-
公开(公告)号:CN102487240B
公开(公告)日:2014-02-05
申请号:CN201010569395.9
申请日:2010-12-01
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H02M1/088
Abstract: 一种电压转换速率控制电路和输出电路,所述电压转换速率控制电路包括:至少两个不同驱动能力的反相器,一个所述反相器对应一种电压转换速率;根据需要的电压转换速率,选择对应的反相器输出信号。本发明的电压转换速率控制电路能在高频输入条件下区分输出信号的电压转换速率,区分率达90%。所述电压转换速率控制电路与电压转换电路、反相电路结合,产生具有包络特性的两个信号并分别用于控制输出PMOS驱动管和输出NMOS驱动管,可以避免在输出PMOS驱动管和输出NMOS驱动管产生漏电流。
-
公开(公告)号:CN102487240A
公开(公告)日:2012-06-06
申请号:CN201010569395.9
申请日:2010-12-01
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H02M1/088
Abstract: 一种电压转换速率控制电路和输出电路,所述电压转换速率控制电路包括:至少两个不同驱动能力的反相器,一个所述反相器对应一种电压转换速率;根据需要的电压转换速率,选择对应的反相器输出信号。本发明的电压转换速率控制电路能在高频输入条件下区分输出信号的电压转换速率,区分率达90%。所述电压转换速率控制电路与电压转换电路、反相电路结合,产生具有包络特性的两个信号并分别用于控制输出PMOS驱动管和输出NMOS驱动管,可以避免在输出PMOS驱动管和输出NMOS驱动管产生漏电流。
-
公开(公告)号:CN102386750B
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201010267080.9
申请日:2010-08-27
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明的电压转换速率控制电路包括至少两个不同尺寸的反相器和一逻辑控制单元;所述逻辑控制单元包括一个驱动输入端、两个驱动输出端、至少一个反相器选择输入端,对应于每个所述反相器选择输入端,所述逻辑控制单元设有两个反相器选择输出端;所述两个驱动输出端分别与一个反相器的两个控制端连接;所述反相器选择输入端所对应的两个反相器选择输出端分别与一个反相器的两个控制端连接;每个所述反相器的输出端分别与P通道输出端和N通道输出端连接;一个所述反相器对应一档电压转换速率;根据需要的电压转换速率,由所述逻辑控制单元控制选择对应的反相器传输信号。本发明的电压转换速率控制电路能在高频条件下能区电压转换速率。
-
公开(公告)号:CN102386750A
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN201010267080.9
申请日:2010-08-27
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明的电压转换速率控制电路包括至少两个不同尺寸的反相器和一逻辑控制单元;所述逻辑控制单元包括一个驱动输入端、两个驱动输出端、至少一个反相器选择输入端,对应于每个所述反相器选择输入端,所述逻辑控制单元设有两个反相器选择输出端;所述两个驱动输出端分别与一个反相器的两个控制端连接;所述反相器选择输入端所对应的两个反相器选择输出端分别与一个反相器的两个控制端连接;每个所述反相器的输出端分别与P通道输出端和N通道输出端连接;一个所述反相器对应一档电压转换速率;根据需要的电压转换速率,由所述逻辑控制单元控制选择对应的反相器传输信号。本发明的电压转换速率控制电路能在高频条件下能区电压转换速率。
-
公开(公告)号:CN206116344U
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201621147484.3
申请日:2016-10-21
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/30
Abstract: 本实用新型提供一种离子源终止器,位于离子注入腔室的内壁,适于阻止离子束轰击所述离子注入腔室的内壁,所述离子源终止器包括若干个石墨条,所述石墨条均为三棱柱形结构,所述石墨条由上至下依次横向平行排列于所述离子注入腔室的内壁,其中,所述石墨条接受水平方向上离子束轰击的一侧面与所述离子注入腔室的内壁形成一锐角,适于改变因离子束轰击产生的石墨污染颗粒的溅射方向。本实用新型用于解决现有技术中离子源终止器因整块设计更换不易、以及在使用过程中石墨污染颗粒的溅射面积大污染晶圆的问题。
-
-
-
-