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公开(公告)号：CN101458720A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710094484.0
申请日：2007-12-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 一种减小SRAM阱邻近效应的方法，提供至少三个SRAM初始布图，所述每一个SRAM初始布图中具有邻接边界的相邻N阱和P阱；将单个SRAM初始布图同一阱中两条边界向相反方向移动相同距离获得对应的SRAM更新布图；所述各个SRAM更新布图N阱宽度不同；测量至少3个根据SRAM更新布图形成的SRAM器件的电性参数，得到测得的电性参数变化趋势；若所测得的电性参数变化趋势与对应目标值的变化趋势相同，则比较所测得电性参数与对应的目标值；若所述测得的电性参数与对应目标值的差值在容忍范围之内，则采用该电性参数对应的SRAM更新布图。所述减小SRAM阱邻近效应的方法较直观并且效率较高。
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公开(公告)号：CN101281877A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200710039249.3
申请日：2007-04-03
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 黄艳
Abstract: 一种MOS晶体管失配特性的测量方法，包括：生成至少一组包含两个或两个以上相同MOS晶体管的第一版图图案；至少生成一组与所述第一版图图案相同但摆放角度不同的第二版图图案；将所述第一和第二版图图案转移到半导体晶片上，在所述半导体晶片上生成至少两组具有不同摆放角度的半导体器件；测量所述半导体器件中的MOS晶体管的电性参数；计算所述每一组半导体器件中结构及制造工艺相同的MOS晶体管的电性参数的差异；计算相同摆放角度半导体器件的所述差异的标准差，并比较不同摆放角度的半导体器件的所述标准差的大小。本发明还提供一种版图图案及其形成的方法。本发明能够较真实和全面的反映相同的MOS晶体管的失配特性。
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公开(公告)号：CN104183268B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201310190614.6
申请日：2013-05-21
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C8/16 , G11C5/06 , G11C7/12 , G11C11/412 , G11C11/419
Abstract: 一种静态随机存储器结构，包括：存储区，所述存储区具有第一存储节点和与所述第一存储节点互补的第二存储节点；读取区，第一读取传输管的栅极和第二读取传输管的栅极与读取字线电连接，第一读取传输管的漏极和源极分别与第一读位线和第一存储节点电连接，第二读取传输管的漏极和源极分别与第二读位线和第二存储节点电连接；写入区，第一写入传输管的栅极和第二写入传输管的栅极与写入字线电连接，第一写入传输管的漏极和源极分别与第一写位线和第一存储节点电连接，第二写入传输管的漏极和源极分别与第二写位线和第二存储节点电连接。本发明的静态随机存储器的读写稳定性高。
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公开(公告)号：CN101819940B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200910046706.0
申请日：2009-02-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 黄艳
IPC: H01L21/66 , H01L21/60 , H01L23/544 , G01R31/28
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种测试晶片的方法及测试结构，包括模拟晶片、要测试晶片及电连接模拟晶片和要测试晶片的两个接点的金属引线，使模拟晶片和要测试晶片进行测试信号交互，得到要测试晶片的测试结果，对要测试晶片测试之前，在所述金属引线及模拟晶片周围设置多条金属线。本发明提供的方法及测试结构保证测试晶片时，得到的晶片测试结果准确。
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公开(公告)号：CN101989456A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200910056134.4
申请日：2009-08-07
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G11C11/412 , H01L27/11
Abstract: 本发明公开了一种静态随机存取存储器(SRAM)，在制作SRAM时，重新制造掩模版上的AA图形，使该掩膜版的AA图形中，接近场效应晶体管PG_1的栅极区域的拐角区域为非直角，接近场效应晶体管PG_r的栅极区域的拐角区域为非直角，非直角的拐角区域可以为曲面或楼梯形。因此，本发明防止了最终形成的SRAM性能失配。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101281877B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710039249.3
申请日：2007-04-03
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 黄艳
Abstract: 一种MOS晶体管失配特性的测量方法，包括：生成至少一组包含两个或两个以上相同MOS晶体管的第一版图图案；至少生成一组与所述第一版图图案相同但摆放角度不同的第二版图图案；将所述第一和第二版图图案转移到半导体晶片上，在所述半导体晶片上生成至少两组具有不同摆放角度的半导体器件；测量所述半导体器件中的MOS晶体管的电性参数；计算所述每一组半导体器件中结构及制造工艺相同的MOS晶体管的电性参数的差异；计算相同摆放角度半导体器件的所述差异的标准差，并比较不同摆放角度的半导体器件的所述标准差的大小。本发明还提供一种版图图案及其形成的方法。本发明能够较真实和全面的反映相同的MOS晶体管的失配特性。
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公开(公告)号：CN101452742A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710094402.2
申请日：2007-12-07
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G11C11/417 , G11C29/00
Abstract: 一种改善SRAM匹配度的方法，包括，测量根据SRAM布图形成的SRAM中的一对对称MOS管的电性参数；根据所述电性参数判断所述对称MOS管是否匹配，若所述对称MOS管不匹配，则改变不匹配的MOS管中与所测量的电性参数相关的布图特征量，并重复上述步骤直到所述对称MOS管匹配。所述改善SRAM匹配度的方法通过改变所述不匹配管的电学性能，从而改善SRAM的匹配度。
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公开(公告)号：CN101290807A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200710126501.4
申请日：2007-06-22
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种静态随机存取存储器电路稳定性的仿真方法，针对沟道宽度或/和沟道长度与设计尺寸不同的MOS管，至少挑选两个；测量所挑选的MOS管的阈值电压；根据所测量的MOS管的阈值电压建立覆盖阈值电压变化分布的MOS管模型；根据所建立的模型仿真得到不同的输入电压下相应的静态随机存取存储器电路的稳定性参数，得到静态随机存取存储器电路的稳定性随阈值电压变化的关系；根据所建立的模型仿真得到不同的输入电压下，不同沟道宽度或沟道长度的MOS管对应的静态随机存取存储器电路的稳定性参数，得到静态随机存取存储器电路的稳定性随沟道宽度或沟道长度变化的关系。本发明静态随机存取存储器电路稳定性的仿真方法结果更精确。
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公开(公告)号：CN101989456B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200910056134.4
申请日：2009-08-07
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G11C11/412 , H01L27/11
Abstract: 本发明公开了一种静态随机存取存储器(SRAM)，在制作SRAM时，重新制造掩模版上的AA图形，使该掩膜版的AA图形中，接近场效应晶体管PG_1的栅极区域的拐角区域为非直角，接近场效应晶体管PG_r的栅极区域的拐角区域为非直角，非直角的拐角区域可以为曲面或楼梯形。因此，本发明防止了最终形成的SRAM性能失配。
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公开(公告)号：CN101458721B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200710094485.5
申请日：2007-12-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G06F17/50 , H01L27/02 , H01L27/11 , H01L21/82 , H01L21/8244
Abstract: 一种减小窄沟道反向效应的方法，提供至少三个SRAM初始布图，所述每一个SRAM初始布图中具有邻接边界的相邻N阱和P阱；移动单个SRAM初始布图中N阱和P阱的邻接边界获得对应的SRAM更新布图；所述各个SRAM更新布图N阱宽度不同；测量至少3个根据SRAM更新布图形成的SRAM器件的电性参数，得到测得的电性参数变化趋势；若所测得的电性参数变化趋势与对应目标值的变化趋势相同，则比较所测得电性参数与对应的目标值；若所述测得的电性参数与对应目标值的差值在容忍范围之内，则采用该电性参数对应的SRAM更新布图。所述减小窄沟道反向效应的方法调试效率较高。
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