公开(公告)号：CN108470731A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201810107342.1

申请日：2018-02-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤 ,  宫田征典

IPC: H01L27/02 ,  H03K17/081

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L28/20 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/04042

Abstract: 本发明提供一种能够抑制对感测二极管施加过电压的半导体装置。该半导体装置包括：半导体基板；配置在所述半导体基板的上方的上方主电极；配置在所述半导体基板的上方的感测阳极电极；第一电阻层；以及配置在所述半导体基板的下方的下方主电极。所述第一电阻层配置在所述半导体基板的上方，具有大于所述上方主电极以及所述感测阳极电极的电阻率，并连接所述上方主电极和所述感测阳极电极。所述半导体基板包括开关元件和感测二极管。所述开关元件连接在所述上方主电极和所述下方主电极之间。所述感测二极管包括：p型的第一阳极区域，其与所述感测阳极电极连接；以及n型的第一阴极区域，其与所述下方主电极连接。