公开(公告)号：CN1841726A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610058500.6

申请日：2006-03-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 水野崇人 ,  山本炼 ,  胁田茂

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H05K1/18 ,  H05K1/02 ,  H05K3/32

CPC classification number: H05K3/328 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/13055 ,  H05K1/0263 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/243 ,  H05K2201/10272 ,  H05K2203/0285 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及电路装置及其制造方法。该电路装置包括陶瓷基底，设置在陶瓷基底上的铝配线层以及电连接到配线层上的半导体装置和母线。配线层的一部分上镀有镍层。因而，提供了其中配线层覆盖有焊料润湿性优于铝的镍的被覆盖区域，以及其中从陶瓷基底上方看配线层被暴露的暴露区域。半导体装置通过焊料连接到被覆盖区域中的镍层。母线通过超声波接合到从陶瓷基底上方看被暴露的暴露区域内的配线层。因此，提供了包括以足够的接合强度接合到陶瓷基底上的半导体装置和母线的电路装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN100390989C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200610058500.6

申请日：2006-03-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 水野崇人 ,  山本炼 ,  胁田茂

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H05K1/18 ,  H05K1/02 ,  H05K3/32

CPC classification number: H05K3/328 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/13055 ,  H05K1/0263 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/243 ,  H05K2201/10272 ,  H05K2203/0285 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及电路装置及其制造方法。该电路装置包括陶瓷基底，设置在陶瓷基底上的铝配线层以及电连接到配线层上的半导体装置和母线。配线层的一部分上镀有镍层。因而，提供了其中配线层覆盖有焊料润湿性优于铝的镍的被覆盖区域，以及其中从陶瓷基底上方看配线层被暴露的暴露区域。半导体装置通过焊料连接到被覆盖区域中的镍层。母线通过超声波接合到从陶瓷基底上方看被暴露的暴露区域内的配线层。因此，提供了包括以足够的接合强度接合到陶瓷基底上的半导体装置和母线的电路装置及其制造方法。