微焊盘上叠加进行球形焊接的方法及微焊盘叠加键合结构

    公开(公告)号:CN105845655B

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201610172241.3

    申请日:2016-03-24

    Abstract: 本发明公开了一种微焊盘上叠加进行球形焊接的方法及微焊盘叠加键合结构,所述方法包括以下步骤:在第二基材的微焊盘上单独植球,获得包括焊球的微焊盘;用普通键合模式键合第一引线,将微焊盘上的焊球作为第一引线的第二键合点并将第一引线的一端键合在第一引线的第二键合点上;用普通键合模式键合第二引线,将第一引线的第二键合点作为第二引线的第二键合点并将第二引线的一端叠加键合在焊球上方第一引线的第二键合点上;重复操作直至完成最后一根引线的叠加键合;各引线的第一键合点位于第一基材的微焊盘上并且第一键合点为独立键合,引线的数量为至少两根且不超过十根。微焊盘叠加键合结构采用上述微焊盘上叠加进行球形焊接的方法制备得到。

    半导体装置封装体
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105023898B

    公开(公告)日:2017-12-08

    申请号:CN201410161971.4

    申请日:2014-04-21

    Inventor: 林立凡 廖文甲

    Abstract: 一种半导体装置封装体包含基板、晶体管与导线架。晶体管置于基板上。晶体管包含有源层、至少一源极、至少一漏极、至少一栅极、第一绝缘层、第一源极垫、第一漏极垫、至少一源极插塞与至少一漏极插塞。源极、漏极皆位于有源层上。源极与漏极在有源层上的正投影分别形成源极区域与漏极区域。第一绝缘层至少覆盖部分源极与部分漏极。第一源极垫位于第一绝缘层上,且第一源极垫在有源层上的正投影形成源极垫区域。源极垫区域与漏极区域至少部分重叠。第一漏极垫位于第一绝缘层上。导线架置于基板相对晶体管的一侧,且电性连接栅极。

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