公开(公告)号：CN102104074B

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201010589260.9

申请日：2010-12-09

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉山隆英 ,  三角忠司 ,  岩畸真也

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/32 ,  H01L21/329 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/32 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  Y10S438/92

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括半导体基板、形成在半导体基板的第一主面上的第一电极以及形成在半导体基板的第二主面上的第二电极。半导体基板包括第一区域和第二区域，在所述第一区域中，氧空位缺陷的浓度大于空位团缺陷的浓度，并且在所述第二区域中，空位团缺陷的浓度大于氧空位缺陷的浓度。本发明还提供了一种半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN102104074A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010589260.9

申请日：2010-12-09

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉山隆英 ,  三角忠司 ,  岩畸真也

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/32 ,  H01L21/329 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/32 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  Y10S438/92

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括半导体基板、形成在半导体基板的第一主面上的第一电极以及形成在半导体基板的第二主面上的第二电极。半导体基板包括第一区域和第二区域，在所述第一区域中，氧空位缺陷的浓度大于空位团缺陷的浓度，并且在所述第二区域中，空位团缺陷的浓度大于氧空位缺陷的浓度。本发明还提供了一种半导体器件的制造方法。