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公开(公告)号：CN106471623A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201580036816.2
申请日：2015-05-08
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 三角忠司
IPC: H01L29/739 , H01L27/04 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种能够通过温度传感器而适当地实施温度检测的半导体装置。在本说明书所公开的半导体装置(2)中，表面绝缘膜(70)中的第一部分(70a)(即，沿着表面电极(40)的位于温度传感器(50)侧的第一边(40a)而延伸的部分中的、形成在有源区(100)的上部处的部分)的第一宽度(W1)，与表面绝缘膜(70)中的第二部分(70b)(即，沿着表面电极(40)的第二边(40b)而延伸的部分中的、形成在有源区(100)的上部处的部分)的第二宽度(W2)相比而较宽。
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公开(公告)号：CN106558502A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610847101.1
申请日：2016-09-23
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及绝缘栅型开关元件及其制造方法，并提供在具有连接区域的绝缘栅型开关元件中抑制栅极阈值的偏差的技术。在绝缘栅型开关元件的制造方法中，在半导体基板上形成具有第一部分和第二部分的栅极沟槽，第一部分在第一方向上具有第一宽度，第二部分在第一方向上具有与第一宽度相比较宽的第二宽度。在倾斜注入工序中，以绕与第一方向正交的轴倾斜的照射角度照射第二导电型杂质。第一宽度、第二宽度及照射角度被设定为，在第一部分的第一侧面上抑制向与第二半导体区的下端的位置相比靠下侧的注入，并且在第二部分的第二侧面上向与第二半导体区的下端的位置相比靠下侧进行注入。通过向第二侧面的注入而形成对体区与底部区域进行连接的连接区域。
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公开(公告)号：CN106558502B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201610847101.1
申请日：2016-09-23
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及绝缘栅型开关元件及其制造方法，并提供在具有连接区域的绝缘栅型开关元件中抑制栅极阈值的偏差的技术。在绝缘栅型开关元件的制造方法中，在半导体基板上形成具有第一部分和第二部分的栅极沟槽，第一部分在第一方向上具有第一宽度，第二部分在第一方向上具有与第一宽度相比较宽的第二宽度。在倾斜注入工序中，以绕与第一方向正交的轴倾斜的照射角度照射第二导电型杂质。第一宽度、第二宽度及照射角度被设定为，在第一部分的第一侧面上抑制向与第二半导体区的下端的位置相比靠下侧的注入，并且在第二部分的第二侧面上向与第二半导体区的下端的位置相比靠下侧进行注入。通过向第二侧面的注入而形成对体区与底部区域进行连接的连接区域。
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公开(公告)号：CN106471623B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201580036816.2
申请日：2015-05-08
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 三角忠司
IPC: H01L29/739 , H01L27/04 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种能够通过温度传感器而适当地实施温度检测的半导体装置。在本说明书所公开的半导体装置(2)中，表面绝缘膜(70)中的第一部分(70a)(即，沿着表面电极(40)的位于温度传感器(50)侧的第一边(40a)而延伸的部分中的、形成在有源区(100)的上部处的部分)的第一宽度(W1)，与表面绝缘膜(70)中的第二部分(70b)(即，沿着表面电极(40)的第二边(40b)而延伸的部分中的、形成在有源区(100)的上部处的部分)的第二宽度(W2)相比而较宽。
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公开(公告)号：CN102104074B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201010589260.9
申请日：2010-12-09
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/32 , H01L21/329 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L29/32 , H01L29/6609 , H01L29/861 , H01L29/868 , Y10S438/92
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括半导体基板、形成在半导体基板的第一主面上的第一电极以及形成在半导体基板的第二主面上的第二电极。半导体基板包括第一区域和第二区域，在所述第一区域中，氧空位缺陷的浓度大于空位团缺陷的浓度，并且在所述第二区域中，空位团缺陷的浓度大于氧空位缺陷的浓度。本发明还提供了一种半导体器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN102414805B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN200980159078.5
申请日：2009-05-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/329 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/861 , H01L29/36 , H01L29/66136 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供一种二极管的制造方法以及二极管，该制造方法能够高效率地制造不易产生恢复浪涌电压的二极管。所述制造方法为如下的二极管的制造方法，所述二极管具有：高浓度n型半导体层；中浓度n型半导体层，其被形成在高浓度n型半导体层上；低浓度n型半导体层，其被形成在中浓度n型半导体层上；p型半导体层，其被形成在低浓度n型半导体层上。该制造方法具有：在n型半导体基板上，使n型杂质浓度低于n型半导体基板的低浓度n型半导体层外延生长的工序；通过向n型半导体基板的下表面注入n型杂质，从而形成高浓度n型半导体层的工序。
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公开(公告)号：CN102414805A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200980159078.5
申请日：2009-05-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/329 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/861 , H01L29/36 , H01L29/66136 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供一种二极管的制造方法以及二极管，该制造方法能够高效率地制造不易产生恢复浪涌电压的二极管。所述制造方法为如下的二极管的制造方法，所述二极管具有：高浓度n型半导体层；中浓度n型半导体层，其被形成在高浓度n型半导体层上；低浓度n型半导体层，其被形成在中浓度n型半导体层上；p型半导体层，其被形成在低浓度n型半导体层上。该制造方法具有：在n型半导体基板上，使n型杂质浓度低于n型半导体基板的低浓度n型半导体层外延生长的工序；通过向n型半导体基板的下表面注入n型杂质，从而形成高浓度n型半导体层的工序。
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公开(公告)号：CN102104074A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010589260.9
申请日：2010-12-09
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/32 , H01L21/329 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L29/32 , H01L29/6609 , H01L29/861 , H01L29/868 , Y10S438/92
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括半导体基板、形成在半导体基板的第一主面上的第一电极以及形成在半导体基板的第二主面上的第二电极。半导体基板包括第一区域和第二区域，在所述第一区域中，氧空位缺陷的浓度大于空位团缺陷的浓度，并且在所述第二区域中，空位团缺陷的浓度大于氧空位缺陷的浓度。本发明还提供了一种半导体器件的制造方法。
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