公开(公告)号：CN115504475B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202210696090.7

申请日：2022-06-20

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 川浦宏之 ,  近藤康仁 ,  铃木凉 ,  野崎洋 ,  吉田淳 ,  早稻田哲也 ,  大泷光俊

IPC: C01B33/021 ,  H01M4/38 ,  H01M10/0525

Abstract: 本公开涉及多孔质硅材料的制造方法、多孔质硅材料及蓄电器件。多孔质硅材料的制造方法包括：将包含50质量％以上的作为第一元素的Al和50质量％以下的S i的原料熔解从而得到硅合金的粒子化工序；将硅合金中的第一元素除去从而得到多孔质材料的多孔化工序；和对多孔质材料进行加热以使Si以外的元素向表面扩散的热处理工序。

公开(公告)号：CN111668484A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010137643.6

申请日：2020-03-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 川浦宏之 ,  近藤康仁 ,  牧村嘉也 ,  早稻田哲也 ,  足立真辉 ,  吉田淳 ,  山口裕之

IPC: H01M4/62 ,  H01M4/38 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及负极活性物质材料和蓄电装置。本公开的用于蓄电装置的负极活性物质材料包含硅相和由基本组成式MSi2表示的硅化物相(其中M为Cr、Ti、Zr、Nb、Mo和Hf中的一种以上)，具有在上述硅相中分散有上述硅化物相的结构。

公开(公告)号：CN115504475A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210696090.7

申请日：2022-06-20

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 川浦宏之 ,  近藤康仁 ,  铃木凉 ,  野崎洋 ,  吉田淳 ,  早稻田哲也 ,  大泷光俊

IPC: C01B33/021 ,  H01M4/38 ,  H01M10/0525

Abstract: 本公开涉及多孔质硅材料的制造方法、多孔质硅材料及蓄电器件。多孔质硅材料的制造方法包括：将包含50质量％以上的作为第一元素的Al和50质量％以下的S i的原料熔解从而得到硅合金的粒子化工序；将硅合金中的第一元素除去从而得到多孔质材料的多孔化工序；和对多孔质材料进行加热以使Si以外的元素向表面扩散的热处理工序。

公开(公告)号：CN113764648A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110600737.7

申请日：2021-05-31

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 早稻田哲也 ,  吉田淳 ,  川浦宏之 ,  近藤康仁 ,  铃木凉 ,  中野广幸 ,  荻原信宏

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  C01B33/02

Abstract: 本公开的主要目的是提供生产性高的活性物质的制造方法。本公开通过提供包含以下工序的活性物质的制造方法解决了上述课题：准备含有金属元素M的离子即金属离子和还原状态的芳香烃化合物的掺杂溶液的准备工序；在含有Si元素的Si原料中掺杂所述掺杂溶液中所含的金属元素M来制备前体合金的前体合金制作工序；以及使用提取剂从所述前体合金中提取所述金属元素M来形成孔隙的孔隙形成工序。