公开(公告)号：CN104871312A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201280077788.5

申请日：2012-12-20

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 亀山悟 ,  木村圭佑

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明公开一种半导体装置，其为IGBT区域和二极管区域被形成在同一半导体基板上的半导体装置。IGBT区域具备集电层、IGBT漂移层、体层、栅电极、发射层。二极管区域具备阴极层、二极管漂移层、阳极层、沟槽电极、阳极接触层。二极管区域通过栅电极或沟槽电极而被划分为单位二极管区域。在与IGBT区域邻接的单位二极管区域中，在俯视观察半导体基板的表面时，阳极层与阳极接触层混合地被配置，并且至少在隔着栅电极而与发射层对置的位置处配置有阳极接触层。

公开(公告)号：CN104995737B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201380072872.2

申请日：2013-02-13

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 木村圭佑 ,  龟山悟

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L27/0727 ,  H01L27/0761 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095

Abstract: 本说明书公开了一种半导体装置，其在半导体基板上形成有至少包含IGBT区域的元件区域。IGBT区域具备集电层、漂移层、体层、被配置在从半导体基板的表面到达至漂移层的沟槽的内部的栅电极、发射层、与体层相比杂质浓度较高的接触层。在该半导体装置中，在将沿着半导体基板的表面且沟槽延伸的方向设为X方向，将沿着半导体基板的表面且与X方向正交的方向设为Y方向时，从接触层至发射层的X方向上的间隔与从接触层至沟槽的Y方向上的间隔相比较大。

公开(公告)号：CN104054179A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201380006534.9

申请日：2013-01-23

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 木村圭佑 ,  龟山悟 ,  小山雅纪 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 半导体装置的半导体基板在从上方观看时，隔离区、IGBT区和二极管区都彼此相邻地形成。连接至主体区和阳极区的深区形成在隔离区中。在半导体基板内跨所述隔离区、所述IGBT区和所述二极管区延伸形成了漂移区。跨所述隔离区、所述IGBT区和所述二极管区延伸形成的集电极区，以及位于二极管区中的阴极区形成在暴露于半导体基板下表面上的区域中。集电极区与阴极区之间的边界位于二极管区中，处在切过隔离区与二极管区之间的边界、将所述隔离区与所述二极管区切分的剖面内。形成在隔离区中的集电极区具有比IGBT区中的集电极区更高浓度的掺杂杂质。

公开(公告)号：CN106030797B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201480075282.X

申请日：2014-09-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 木村圭佑 ,  龟山悟

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/407 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具有形成有IGBT的主IGBT区、形成有二极管的主二极管区、形成有IGBT的感测IGBT区、和形成有二极管的感测二极管区。体区与阳极区之间的间隔长于二者之间的n型区的移动率与寿命的乘积。阳极区与集电区之间的间隔长于二者之间的n型区的移动率与寿命的乘积。集电区的端部与体区之间的间隔长于二者之间的n型区的移动率与寿命的乘积。

公开(公告)号：CN104054179B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201380006534.9

申请日：2013-01-23

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 木村圭佑 ,  龟山悟 ,  小山雅纪 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 半导体装置的半导体基板在从上方观看时，隔离区、IGBT区和二极管区都彼此相邻地形成。连接至主体区和阳极区的深区形成在隔离区中。在半导体基板内跨所述隔离区、所述IGBT区和所述二极管区延伸形成了漂移区。跨所述隔离区、所述IGBT区和所述二极管区延伸形成的集电极区，以及位于二极管区中的阴极区形成在暴露于半导体基板下表面上的区域中。集电极区与阴极区之间的边界位于二极管区中，处在切过隔离区与二极管区之间的边界、将所述隔离区与所述二极管区切分的剖面内。形成在隔离区中的集电极区具有比IGBT区中的集电极区更高浓度的掺杂杂质。

公开(公告)号：CN104871312B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201280077788.5

申请日：2012-12-20

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 亀山悟 ,  木村圭佑

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明公开一种半导体装置，其为IGBT区域和二极管区域被形成在同一半导体基板上的半导体装置。IGBT区域具备集电层、IGBT漂移层、体层、栅电极、发射层。二极管区域具备阴极层、二极管漂移层、阳极层、沟槽电极、阳极接触层。二极管区域通过栅电极或沟槽电极而被划分为单位二极管区域。在与IGBT区域邻接的单位二极管区域中，在俯视观察半导体基板的表面时，阳极层与阳极接触层混合地被配置，并且至少在隔着栅电极而与发射层对置的位置处配置有阳极接触层。

公开(公告)号：CN104995737A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201380072872.2

申请日：2013-02-13

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 木村圭佑 ,  龟山悟

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L27/0727 ,  H01L27/0761 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095

Abstract: 本说明书公开了一种半导体装置，其在半导体基板上形成有至少包含IGBT区域的元件区域。IGBT区域具备集电层、漂移层、体层、被配置在从半导体基板的表面到达至漂移层的沟槽的内部的栅电极、发射层、与体层相比杂质浓度较高的接触层。在该半导体装置中，在将沿着半导体基板的表面且沟槽延伸的方向设为X方向，将沿着半导体基板的表面且与X方向正交的方向设为Y方向时，从接触层至发射层的X方向上的间隔与从接触层至沟槽的Y方向上的间隔相比较大。

公开(公告)号：CN110085671A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201910070123.5

申请日：2019-01-24

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 木村圭佑

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有半导体基板、沟槽、栅极绝缘膜和栅极。半导体基板具有与栅极绝缘膜接触的n型发射极区、在发射极区的下侧与栅极绝缘膜接触的p型的上部体区、在上部体区的下侧与栅极绝缘膜接触的n型的中间区域、在中间区域的下侧与栅极绝缘膜接触的p型的下部体区、在下部体区的下侧与栅极绝缘膜接触的n型的漂移区、以及从下侧与漂移区接触的p型的集电极区。下部体区具有第1范围、以及晶体缺陷密度高于第1范围的第2范围。第2范围与栅极绝缘膜接触。第1范围在栅极绝缘膜的相对侧与第2范围接触。

公开(公告)号：CN105027289B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201380072378.6

申请日：2013-02-13

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 木村圭佑 ,  龟山悟 ,  小山雅纪 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095

Abstract: 本说明书公开了一种IGBT区域与二极管区域被形成在同一半导体基板上的半导体装置。IGBT区域具备：第一导电型的体层，其被形成在半导体基板的表面上；第一导电型的体接触层，其被局部地形成在体层的表面上，并且与体层相比第一导电型的杂质浓度较高；第二导电型的发射层，其被局部地形成在体层的表面上；第二导电型的漂移层，其被形成于体层的背面侧；第一导电型的集电层，其被形成于漂移层的背面侧；栅电极，其通过绝缘膜而被覆盖并被配置于沟槽的内部。在该半导体装置中，距二极管区域的距离较远的位置处的体接触层与距二极管区域的距离较近的位置处的体接触层相比被形成为较大。

公开(公告)号：CN106030797A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201480075282.X

申请日：2014-09-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 木村圭佑 ,  龟山悟

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/407 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具有形成有IGBT的主IGBT区、形成有二极管的主二极管区、形成有IGBT的感测IGBT区、和形成有二极管的感测二极管区。体区与阳极区之间的间隔长于二者之间的n型区的移动率与寿命的乘积。阳极区与集电区之间的间隔长于二者之间的n型区的移动率与寿命的乘积。集电区的端部与体区之间的间隔长于二者之间的n型区的移动率与寿命的乘积。