公开(公告)号：CN101202304A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710198750.4

申请日：2007-12-12

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 树神雅人 ,  林荣子 ,  上杉勉 ,  杉本雅裕

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供一种将MIS结构内置的HEMT。该HEMT(10)具有：与漏电极形成电连接的漏极区域(32)、与源电极形成电连接的源极区域(34)、形成在漏极区域(32)和源极区域(34)之间的第一半导体区域(22)、MIS结构(40)和异质结构。MIS结构具有隔着栅极绝缘膜(42)与第一半导体区域(22)表面的一部分相对的栅电极(44)。异质结构具有第二半导体区域(24)，该第二半导体区域(24)与第一半导体区域(22)的表面的其余部分相邻接，并且具有比第一半导体区域(22)的带隙更宽的带隙。漏极区域(32)和源极区域(34)通过MIS结构(40)和异质结构的组合结构而形成电连接。