公开(公告)号：CN110226235A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201880008427.2

申请日：2018-01-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 竹内有一 ,  铃木优 ,  杉本雅裕 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 具备元件分离层(14)以将主单元区域(Rm)与感测单元区域(Rs)之间电分离，在元件分离层(14)的底部具备电场缓和层(15)以缓和电场集中。此外，将电场缓和层(15)以直线状构成，将相邻的电场缓和层(15)以与相邻的p型深层(5)的间隔(Wd)相同的间隔形成，抑制电场的进入。进而，在从主单元区域(Rm)侧突出的电场缓和层(15)与从感测单元区域(Rs)侧突出的电场缓和层(15)之间，也使两者的间隔(Wp)为相邻的p型深层(5)的间隔(Wd)以下，抑制电场的进入。

公开(公告)号：CN107431093A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680017258.X

申请日：2016-03-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 三村智博 ,  金村高司 ,  杉本雅裕 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 半导体装置具备：漏极区(1)；漂移层(2)，其由与所述漏极区相比杂质浓度较低的第一导电型半导体构成；基极区(4)，其由第二导电型半导体构成；源极区(5)，其由高浓度的第一导电型半导体构成；接触区(6)，其由被设为高浓度的第二导电型半导体构成；沟槽栅结构，其被配置在沟槽(7)的入口侧且具有被配置到与所述基极区相比而较深处为止的第一栅绝缘膜(8a)、与第一栅电极(9a)，并包含底部绝缘膜(8b)；源电极(10)，其与所述源极区以及所述接触区电连接；漏电极(12)，其被配置在所述漏极区的背面侧。所述沟槽被配置到与所述基极区相比而较深处为止。此外，所述第一栅绝缘膜由与所述底部绝缘膜相比介电常数较高的绝缘材料构成。

公开(公告)号：CN102844867B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201280001099.6

申请日：2012-02-06

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 登尾正人 ,  山本建策 ,  松木英夫 ,  高谷秀史 ,  杉本雅裕 ,  副岛成雅 ,  石川刚 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种SiC器件包括反型MOSFET，其具有：按照顺序叠置的衬底（1）、漂移层（2）以及基底区域（3）；基底区域（3）的上部中的源极和接触区域（4、5）；穿透源极和基底区域（4、3）的沟槽（6）；沟槽（6）中的栅极绝缘膜（8）上的栅电极（9）；与源极和基底区域（4、3）耦合的源电极（11）；衬底（1）的背面上的漏电极（13）；以及多个深层（10），所述深层位于漂移层（2）的上部中、比沟槽（6）更深、并且在与沟槽的纵向方向交叉的方向上延伸。每个深层（10）在深度方向上具有杂质浓度分布，并且在施加栅电压时，在沟槽侧上的深层（10）的一部分中提供反型层。

公开(公告)号：CN102403338B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201110281178.4

申请日：2011-09-14

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 山本敏雅 ,  杉本雅裕 ,  高谷秀史 ,  森本淳 ,  副岛成雅 ,  石川刚 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068

Abstract: 一种SiC半导体器件，包括：按下述顺序堆叠的衬底(1)、漂移层(2)和基极区(3)；第一和第二源极区(4a，4b)和基极区中的接触层(5)；穿透所述源极和基极区的沟槽(6)；沟槽中的栅电极(8)；覆盖栅电极，具有接触孔的层间绝缘膜(10)；经由所述接触孔与所述源极区和所述接触层耦合的源电极(9)；衬底上的漏电极(11)；以及金属硅化物膜(30)。高浓度的第二源极区比低浓度的第一源极区更浅，且高浓度的第二源极区具有被层间绝缘膜覆盖的部分，该部分包括表面附近的低浓度的第一部以及比第一部深的高浓度的第二部。第二部上的金属硅化物膜的厚度大于第一部上的金属硅化物膜的厚度。

公开(公告)号：CN102856382A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210226273.9

申请日：2012-06-29

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 宫原真一朗 ,  杉本雅裕 ,  高谷秀史 ,  渡边行彦 ,  副岛成雅 ,  石川刚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅半导体器件。在碳化硅半导体器件中，多个沟槽（7）具有一个方向上的纵向方向并且以条纹图案布置。每个所述沟槽（7）均具有在所述纵向方向上延伸的第一侧壁和第二侧壁。所述第一侧壁与（11-20）平面和（1-100）平面中的一个平面成第一锐角，所述第二侧壁与（11-20）平面和（1-100）平面的所述一个平面成第二锐角，并且所述第一锐角小于所述第二锐角。第一导电类型区（5）仅与每个所述沟槽（7）的所述第一侧壁和所述第二侧壁中的所述第一侧壁接触，并且电流通路仅形成在所述第一侧壁和所述第二侧壁中的所述第一侧壁上。

公开(公告)号：CN102301481A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080006058.7

申请日：2010-01-29

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 关章宪 ,  杉本雅裕 ,  川桥宪 ,  高桥康夫 ,  前田将克

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种p型SiC半导体元件的欧姆电极，其包括由Ti3SiC2制成并且直接形成在p型SiC半导体的表面上的欧姆电极层。本发明还提供一种形成p型SiC半导体元件的欧姆电极的方法。所述欧姆电极包括欧姆电极层，该欧姆电极层由Ti3SiC2制成并且直接形成在p型SiC半导体的表面上。该方法包括：在p型SiC半导体的表面上以原子组成比例Ti∶Si∶C为3∶1∶2的方式来包括Ti、Si和C的三元混合膜，以制造层压膜；以及在真空下或者在惰性气体气氛下对所制造的层压膜退火。

公开(公告)号：CN101202304A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710198750.4

申请日：2007-12-12

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 树神雅人 ,  林荣子 ,  上杉勉 ,  杉本雅裕

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供一种将MIS结构内置的HEMT。该HEMT(10)具有：与漏电极形成电连接的漏极区域(32)、与源电极形成电连接的源极区域(34)、形成在漏极区域(32)和源极区域(34)之间的第一半导体区域(22)、MIS结构(40)和异质结构。MIS结构具有隔着栅极绝缘膜(42)与第一半导体区域(22)表面的一部分相对的栅电极(44)。异质结构具有第二半导体区域(24)，该第二半导体区域(24)与第一半导体区域(22)的表面的其余部分相邻接，并且具有比第一半导体区域(22)的带隙更宽的带隙。漏极区域(32)和源极区域(34)通过MIS结构(40)和异质结构的组合结构而形成电连接。

公开(公告)号：CN107431092A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680017256.0

申请日：2016-03-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 三村智博 ,  金村高司 ,  水野祥司 ,  杉本雅裕 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 半导体装置具备：漏极区(1)，其由第一或第二导电型半导体构成；漂移层(2)，其由第一导电型半导体构成；基极区(4)，其由第二导电型半导体构成；源极区(5)，其由高浓度的第一导电型半导体构成；接触区(6)，其由高浓度的第二导电型半导体构成；沟槽栅结构，其包含上段侧栅结构以及下段侧栅结构；源电极(10)，其与所述源极区以及所述接触区连接；漏电极(12)，其被配置在所述漏极区的背面侧。所述上段侧栅结构被配置在沟槽(7)内的上段侧，并具有第一栅绝缘膜(8a)和第一栅电极(9a)。此外，所述下段侧栅结构被配置在所述沟槽内的下段侧，并具有由较高的介电常数的绝缘材料构成的第二栅绝缘膜(8b)和第二栅电极(9b)。

公开(公告)号：CN104380471B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201380031045.9

申请日：2013-06-06

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  高谷秀史 ,  添野明高 ,  森本淳 ,  竹内有一 ,  铃木巨裕 ,  副岛成雅 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/308 ,  H01L21/761 ,  H01L21/8213 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/157 ,  H01L29/158 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: SiC半导体装置具备以埋入沟槽(5a)内的方式具有低浓度区域(5b)和高浓度区域(5c)的p型区域(5)，该沟槽(5a)形成在单元区域中，由低浓度区域(5b)构成p型柱，并且由高浓度区域(5c)构成p+型深层。由此，能够由基于低浓度区域(5b)的p型柱和基于n型漂移层(2)的n型柱构成SJ构造，所以实现了导通电阻的降低。此外，通过基于高浓度区域(5c)的p+型深层在截止时阻断漏极电位，所以能够缓和对栅极绝缘膜(8)施加的电场，能够防止栅极绝缘膜(8)被破坏。因此，SiC半导体装置能够实现降低导通电阻和防止栅极绝缘膜(8)破坏这双方。

公开(公告)号：CN106024886A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610169667.3

申请日：2016-03-23

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  渡边行彦 ,  宫原真一朗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管。在俯视观察半导体基板(20)的表面(23)时，源极区(11)和第一接触区(141)在与栅极沟槽(30)的侧面(301)相接的范围内，在沿着栅极沟槽(30)的方向上邻接形成，第二接触区(142)在远离栅极沟槽(30)的范围内，与源极区(11)和第一接触区(141)邻接形成。第一接触区(141)的杂质浓度与第二接触区(142)的杂质浓度相比较低。