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公开(公告)号：CN109755294A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811309013.1
申请日：2018-11-05
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种能够抑制电场集中并且导通电阻较低的开关元件及其制造方法。一种开关元件的制造方法，其具有：在半导体基板的上表面上形成平行地延伸的多个沟槽的工序；将具有遮挡部和开口部的掩膜，以所述遮挡部和所述开口部沿着各所述沟槽的长边方向被反复地配置在各所述沟槽上的方式而形成的工序；通过经由所述掩膜而向各所述沟槽的底面注入p型杂质，从而形成多个底部p型区域的工序。
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