公开(公告)号：CN110875395A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910777379.X

申请日：2019-08-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 渡部敦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种开关元件，使电子蓄积层的电阻降低并实现较高的栅极阈值。开关元件具有n型的源极层、与所述源极层接触的p型的主体层、n型的漂移层、栅极绝缘膜和栅电极。所述栅电极具有第一导电体和功函数比所述第一导电体低的第二导电体。所述第一导电体与所述栅极绝缘膜的覆盖所述主体层的部分接触。所述第二导电体与所述栅极绝缘膜的覆盖所述漂移层的部分接触。

公开(公告)号：CN116364764A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211686457.3

申请日：2022-12-26

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 渡部敦 ,  永冈达司

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体器件包括具有矩形形状的半导体衬底，所述矩形形状包括在第一方向上延伸的边和在第二方向上延伸的另一边。所述半导体衬底在第一方向上的热导率不同于所述半导体衬底在第二方向上的热导率。所述半导体衬底配置为满足L1/L2＝(K1/K2)0.5的数学关系且容差范围为‑5％至+5％，其中L1表示所述半导体衬底在第一方向上的长度，L2表示半导体衬底在第二方向上的长度，K1表示半导体衬底在第一方向上的热导率，并且K2表示半导体衬底在第二方向上的热导率。

公开(公告)号：CN110310995A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910221349.0

申请日：2019-03-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 渡部敦 ,  上田博之 ,  森朋彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括n型第一漂移层、设置在所述第一漂移层的顶部的i型或n型耐压层、设置在所述耐压层的顶部的p型主体层、设置在所述第一漂移层的顶部并且与所述耐压层和所述主体层的侧表面接触的n型第二漂移层、设置在所述主体层的顶部并且通过所述主体层而隔离于所述第一漂移层、所述第二漂移层和所述耐压层的n型源极层、以及通过栅极绝缘膜面对所述主体层的栅电极，所述主体层位于所述第二漂移层与所述源极层之间。所述耐压层由具有大于所述第一漂移层的带隙的带隙的材料制成。

公开(公告)号：CN108470767A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201810123384.4

申请日：2018-02-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 渡部敦 ,  上田博之 ,  森朋彦

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/20

Abstract: 一种氮化物半导体器件，具备半导体衬底、源电极、漏电极以及隔着栅极绝缘膜设置于半导体衬底上的栅电极。半导体衬底具有由GaN构成的第一部分以及由AlxGa(1-X)N(0＜x≤1)构成的第二部分。第一部分具有：n型源区，与源电极接触；n型漏区，与漏电极接触；p型体区，介于源区与漏区之间并且与源电极接触；以及n型漂移区，介于体区与漏区之间并且载流子浓度低于漏区。第二部分具有势垒区，该势垒区与源电极、体区以及漂移区分别接触。