公开(公告)号：CN106233438B

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201580020907.7

申请日：2015-02-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大西彻 ,  大木周平 ,  池田知治 ,  R·MD·塔斯比尔

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/41 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 公开：在通过在蚀刻后对半导体基板进行离子注入而形成扩散层从而制造半导体装置的情况下，能够抑制在制造出的半导体装置之间产生特性不均的技术。半导体装置(2)具有半导体基板(10)。在半导体基板(10)形成有发射区(12)、顶体区(14)、势垒区(16)、底体区(18)、漂移区(20)、集电区(22)、沟槽(30)、栅绝缘膜(32)以及栅电极(34)。栅电极(34)的表面设置于比半导体基板(10)的表面深的位置。栅电极(34)中的沟槽(30)的宽度方向中央的第1部分(34a)的表面设置于比与栅绝缘膜(32)相接的第2部分(34b)的表面浅的位置。

公开(公告)号：CN106233438A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580020907.7

申请日：2015-02-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大西彻 ,  大木周平 ,  池田知治 ,  R·MD·塔斯比尔

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/41 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 公开：在通过在蚀刻后对半导体基板进行离子注入而形成扩散层从而制造半导体装置的情况下，能够抑制在制造出的半导体装置之间产生特性不均的技术。半导体装置(2)具有半导体基板(10)。在半导体基板(10)形成有发射区(12)、顶体区(14)、势垒区(16)、底体区(18)、漂移区栅电极(34)。栅电极(34)的表面设置于比半导体基板(10)的表面深的位置。栅电极(34)中的沟槽(30)的宽度方向中央的第1部分(34a)的表面设置于比与栅绝缘膜(32)相接的第2部分(34b)的表面浅的位置。(20)、集电区(22)、沟槽(30)、栅绝缘膜(32)以及