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公开(公告)号：CN118480830A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410555951.9
申请日：2024-05-07
Applicant: 九江德福科技股份有限公司 , 九江烁金能源工业有限公司
IPC: C25D1/04
Abstract: 本发明公开了一种分段式阴极辊及其制造方法，包括钛层、导电铜层和支撑钢层，所述钛层由辊面钛层、侧钛封板以及钛保护套组成；所述导电铜层由边侧导电铜钢复合层、中间导电铜钢复合层、导电铜板、轴外层导电铜套、轴内层导电铜套、外侧导电铜环以及内侧导电铜环组成；所述支撑钢层由支撑钢板、加强板、加强筋、阴极辊辊轴以及隔绝层组成，本发明涉及电解铜箔装备制造技术领域。该分段式阴极辊及其制造方法，阴极辊表面中部电流更高，铜箔面密度更均匀；阴极辊端部电流密度低，发热量小，抑制阴极辊边部氧化速率；阳极板端部电流密度低，涂层损耗速率降低。
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公开(公告)号：CN115216814B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202210832661.5
申请日：2022-07-15
Applicant: 九江德福科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种通过整平阴极辊面抑制铜箔柱状晶生长的方法，属于电子电路铜箔技术领域，以解决电子电路铜箔生产工艺中缺乏对阴极辊面凹凸点点位置形成晶粒的抑制和调控方法，进而影响成品物理性能的问题。方法包括电解液制备；电解制备生箔；生箔表面处理；收卷、分切为成品箔。本发明在铜箔整平的基础上，还能对阴极辊面上晶粒的形核、生长产生正向的影响，从微观上抑制晶粒在垂直方向的生长，避免了柱状晶的形成，从而大大提升了铜箔材料的力学性能。
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公开(公告)号：CN116657200A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310550161.7
申请日：2023-05-16
Applicant: 九江德福科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及铜箔制取领域，公开了一种高模量低翘曲铜箔的制备方法。该方法包括：S1、制备电镀液；S2、对铜箔原料使用磨辊工艺进行打磨；S3、电解制备生箔，所述电解制备生箔包括：在预设电解液温度和预设电流强度条件下，进行电解制备生箔，所述预设电解液温度为45‑70℃，所述电流大小为25000‑360000A；S4、对生箔表面进行处理；S5、将生箔收卷、分切为成品箔，能够在提高铜箔模量的同时降低铜箔的翘曲率。
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公开(公告)号：CN114214623B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202111543622.5
申请日：2021-12-16
Applicant: 九江德福科技股份有限公司 , 甘肃德福新材料有限公司
IPC: C23C28/00 , C23C4/134 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C4/18 , C25D5/12 , C25D5/34 , C25D5/48 , C25D7/06 , B08B7/00
Abstract: 本发明涉及一种RTF反转处理铜箔的方法，包括如下步骤：依次进行：电解生箔光面等离子体清洗活化；电解生箔光面等离子喷涂氧化铝；电解生箔毛面清洗预处理；电解生箔毛面灰化镀锌处理；电解生箔毛面钝化处理；电解生箔光面涂覆硅烷偶联剂；成品箔烘干处理。本发明选用氧化铝陶瓷绝缘材料作为处理层，从根本上杜绝了现有的铜基处理层在PCB蚀刻过程中因蚀刻不净导致的短路风险，同时由于处理层为非导电层，趋肤效应仅仅局限于铜层，与铜箔后处理层的厚度和粗糙度无关。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116574998A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310492234.1
申请日：2023-05-05
Applicant: 九江德福科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种增强聚合物薄膜与金属镀层结合力的方法，包括如下步骤：(1)真空镀金属打底层；(2)激光熔融处理；(3)镀金属层。本发明利用超薄金属熔点降低、表面能降低驱动的球形化和快速高能处理聚合物薄膜表面软化三个特点，通过精确控制激光能量，实现了聚合物薄膜与金属镀层结合力大幅增强，且该方法具有一定的普适性，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN116288571A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310492235.6
申请日：2023-05-05
Applicant: 九江德福科技股份有限公司 , 甘肃德福新材料有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高速线路板外层用铜箔表面处理方法，包括如下步骤：将待处理的电解铜箔生箔通过酸洗槽去除表面的氧化层；使用含有粗化添加剂的电镀液进行粗化电镀；固化处理；黑化镀镍、灰化镀锌、钝化镀铬；硅烷偶联剂涂覆，烘干，即可。本发明通过改变表面处理过程中铜瘤的分布情况，抑制顶端生长，使得铜瘤沿着铜箔轮廓生长，进而使得增加铜箔与基材结合面积的同时，得到了较低的轮廓粗糙度。
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公开(公告)号：CN115198320A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210833659.X
申请日：2022-07-15
Applicant: 九江德福科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低轮廓电解铜箔添加剂及其应用，属于电解铜箔技术领域，以解决现有电解铜箔工艺中所用的多种添加剂配方复杂，工艺难管控的问题。该添加剂具有以下结构通式GSR：本发明的低轮廓电解铜箔添加剂与具有润湿作用的聚醚类化合物组合添加后可以在生产电解铜箔中实现品质的大幅提升，包括有效地降低毛面粗糙度，提升电解生箔的物理性能，如常温和高温条件下的抗拉强度和延伸率等。
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公开(公告)号：CN112226790A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011116297.X
申请日：2020-10-19
Applicant: 九江德福科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种超薄高强度电子铜箔的生产方法，包括以下步骤：制备电解液，加入混合添加剂，将厚度为18‑35微米的铜箔为阴极载体制作隔离层，电沉积一层厚度2.5‑5微米的超薄铜箔层，形成载体铜箔，对载体铜箔的毛面进行化学微粗化处理，进行有机膜涂覆，形成超薄高强度电子铜箔。采用18‑35微米铜箔为阴极载体，在电解液和添加剂混合液中于载体表面上进行电化学沉积形成厚度2.5‑5微米的超薄铜箔层，经过微粗化可提高比表面积；通过涂覆有机层可提高抗剥离强度并能有效地防止箔材的氧化；通过在载体上制备隔离层，使超薄铜箔与载体之间的结合力下降，通过机械力很容易将两者分离；该工艺步骤简单，可连续化生产，是一种高效的载体高强度超薄铜箔生产工艺。
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公开(公告)号：CN111910222A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010847385.0
申请日：2020-08-21
Applicant: 九江德福科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种兼具光亮及整平作用的电解铜箔添加剂及应用，该电解铜箔添加剂化学结构由二硫代甲酸丙磺酸盐与含N小分子脂肪类或芳香类杂环化合物组成。本发明的兼具光亮及整平作用的电解铜箔添加剂用于制造电解铜箔，可有效降低添加剂过程管控的失效风险，电解铜箔物性波动范围大大缩小，添加本发明的兼具光亮及整平作用的电解铜箔添加剂制造的锂电铜箔抗拉强度及延伸率均取得良好效果，并且铜箔颜色、光亮度稳定易控，显著提高了产品稳定性。
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