公开(公告)号：CN106865551B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201710185866.8

申请日：2017-03-24

Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司

Inventor： 唐国强 ,  张宝顺 ,  宗冰 ,  蔡延国 ,  惠庆华 ,  鲍守珍 ,  王体虎

IPC: C01B33/035

Abstract: 本发明提供了一种用于48对棒多晶硅还原炉的喷嘴，属于多晶硅生产领域。喷嘴主要包括芯体，芯体包括第一内管和第一外管，第一外管套设于第一内管上，第一内管包括主通道，并且主通道的出气孔的通流面积比进气口的小。第一外管与第一内管之间的间隙形成辅通道。芯体通过连接部安装在底盘上。由于主通道的进气口的通流面积大于出气口的通流面积，气体在通过主通道时速度越来越快并最终到达还原炉的顶部。进入到辅助通道的气体通过辅助通道后，一部分气体到达还原炉的中部，另一部分从第一外管上的侧通气孔出来到达还原炉的底部。因此物料气体可以比较均匀地分布于整个还原炉中，使得还原反应充分进行。

公开(公告)号：CN106865551A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710185866.8

申请日：2017-03-24

Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司

Inventor： 唐国强 ,  张宝顺 ,  宗冰 ,  蔡延国 ,  惠庆华 ,  鲍守珍 ,  王体虎

IPC: C01B33/035

Abstract: 本发明提供了一种用于48对棒多晶硅还原炉的喷嘴，属于多晶硅生产领域。喷嘴主要包括芯体，芯体包括第一内管和第一外管，第一外管套设于第一内管上，第一内管包括主通道，并且主通道的出气孔的通流面积比进气口的小。第一外管与第一内管之间的间隙形成辅通道。芯体通过连接部安装在底盘上。由于主通道的进气口的通流面积大于出气口的通流面积，气体在通过主通道时速度越来越快并最终到达还原炉的顶部。进入到辅助通道的气体通过辅助通道后，一部分气体到达还原炉的中部，另一部分从第一外管上的侧通气孔出来到达还原炉的底部。因此物料气体可以比较均匀地分布于整个还原炉中，使得还原反应充分进行。