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公开(公告)号：CN117623314A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311574925.2
申请日：2023-11-23
Applicant: 青海亚洲硅业多晶硅有限公司 , 亚洲硅业(青海)股份有限公司 , 青海亚洲硅业半导体有限公司 , 青海亚洲硅业硅材料有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C01B33/03 , C25B1/34 , C01B7/01 , C01B33/107
Abstract: 本申请提供一种多晶硅生产工艺及系统，涉及多晶硅生产技术领域。氯碱电解所产生的H2作为氯化氢合成工序、多晶硅还原工序和冷氢化工序的氢气原料使用，氯碱电解产生的Cl2作为氯化氢合成工序的氯原料使用，氯化氢合成工序所产生的氯化氢提供给冷氢化工序使用，将硅粉、SiCl4、HCl以及H2在冷氢化反应器内反应，冷氢化工序所产生的粗三氯氢硅提供给精馏进行分馏，中间产物二氯二氢硅由固定床生产硅烷；中间产物四氯化硅及氢气作为冷氢化工序的原料用于生成三氯氢硅，而三氯氢硅作为多晶硅还原工序的原料之一用于生成多晶硅。其能够充分利用原料和副产物，降低生产体系对外界的依赖程度，且能够有效地降低三废排放量。
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公开(公告)号：CN111517827A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010358057.4
申请日：2020-04-29
Applicant: 亚洲硅业(青海)股份有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C04B41/87 , C01B33/021
Abstract: 本发明公开了一种石墨卡件，该石墨卡件通过在石墨座与石墨帽连接后的外侧裸露部分喷涂陶瓷材料，将裸露的石墨包裹起来，减少裸露面积，尽可能隔绝与炉子内部反应物料的接触，从而减少碳含量，提高多晶硅品质。所述石墨卡件包括石墨卡瓣、石墨帽和石墨底座；其中，石墨底座轴心上设有石墨卡瓣，石墨帽穿过石墨卡瓣安装在石墨底座上，硅芯穿过由石墨卡瓣围成的空腔，硅芯通过石墨帽与石墨底座的连接螺纹固定在石墨底座上，所述组装好后的石墨底座与石墨帽外壁上、安装在所述石墨底座上的电极皆喷涂有陶瓷材质的喷涂层。本发明还提供了上述石墨卡件的制备方法。
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公开(公告)号：CN117797745A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311859549.1
申请日：2023-12-30
Applicant: 亚洲硅业(青海)股份有限公司 , 青海亚洲硅业多晶硅有限公司 , 青海亚洲硅业半导体有限公司 , 青海亚洲硅业硅材料有限公司 , 海东红狮半导体有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: B01J19/00 , C30B28/14 , C30B29/06 , B01J4/00 , B01J4/02 , B01F33/80 , B01F33/82 , B01F35/71 , B01F35/75 , B01F35/80 , B01D1/00 , B01F23/70 , C01B33/035
Abstract: 本发明提供了一种氯硅烷低温汽化的多晶硅生产系统及工艺，属于多晶硅生产领域。多晶硅生产系统包括氢气输送管、氯硅烷输送管、第一混合器和汽化器。其中，氢气输送管一端与氢气源连接，另一端分叉为第一支管和第二支管，氯硅烷输送管一端与储存容器连接，储存容器中存放有液态的高纯三氯氢硅。第一混合器包括第一出气口和两个进气口，其中一个进气口与上述第一支管连接，另一个进气口与氯硅烷输送管连接。为了便于控制第一混合器的进料比及进料量，第一支管和氯硅烷输送管上均设置有控制阀。利用上述系统及工艺来生产多晶硅，其能够提高多晶硅整体的沉积效率，并降低雾化的概率。
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公开(公告)号：CN119238328A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411359700.X
申请日：2024-09-27
Applicant: 青海亚洲硅业多晶硅有限公司 , 亚洲硅业(青海)股份有限公司 , 青海亚洲硅业硅材料有限公司 , 青海亚洲硅业半导体有限公司 , 海东红狮半导体有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
Abstract: 本发明涉及多晶硅技术领域，具体涉及一种多晶硅还原炉电极打磨装置。所述的装置包括：底盘(1)、旋转座(2)、打磨座(9)、锥齿轮箱(91)、驱动轴(92)、打磨锥筒(93)和电机(10)；所述的底部带凸缘的环形底盘(1)顶端轴对称设置两个旋转座(2)，打磨座(9)活动设置在两个旋转座(2)之间；打磨座(9)底部设置电机(10)，电机(10)与驱动轴(92)连接，驱动轴(92)上设置若干锥齿轮箱(91)，锥齿轮箱(91)的底部与打磨座(9)连接，另一端设置打磨锥筒(93)。本发明的优点：打磨效率高、精度高。清理效果好。操作方便。安全环保。
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公开(公告)号：CN109399641B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201811594289.9
申请日：2018-12-25
Applicant: 亚洲硅业(青海)股份有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及一种进料流速可变的还原炉底盘装置，属于还原炉技术领域，包括炉体和底盘；其特征在于：所述底盘的下端连接有与炉体相通的多个进料管；所述进料管朝向底盘的一端为喷料口，所述喷料口的内孔呈锥形；所述进料管内滑动设置有滑杆，所述滑杆的一端固定有挡板，另一端穿出进料管连接有伸缩机构；所述挡板靠近喷料口设置。本发明的有益效果是：在进料管内的流量不变的情况下，过料通道越小，从过料通道通过的物料的流速越大，喷射出的物料速度越大，通过调整挡板的位置，实现调整进料的流速，操作灵活方便，结构简单，利于推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109879287B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201910287734.5
申请日：2019-04-11
Applicant: 亚洲硅业(青海)股份有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C01B33/03
Abstract: 一种用于颗粒多晶硅的制备装置及方法，涉及晶体硅制备技术领域，该装置设置有微波加热装置、晶种加入管、旋风分离器、水平晃动器、进料混合器、旋转电机、成品出口、反应旋转盘；该方法采用上述装置加入晶种后加热至反应温度，通入反应气体，反应生成的高纯硅沉积在预先加入的晶种表面，最后生成粒度、纯度等均符合要求的颗粒状多晶硅，在反应旋转盘旋转力的作用下，达到一定粒度的颗粒硅被甩出并收集。本发明的有益效果在于：本发明提供的装置及方法克服流化床沸腾时颗粒与反应器内壁之间产生的磨损，防止反应器内壁破损，有利于实现产业化生产；减少颗粒多晶硅之间的磨损，提高产品的品质；减少硅粉末的产生，提高成品率。
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公开(公告)号：CN219058588U
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202223122937.5
申请日：2022-11-23
Applicant: 青海亚洲硅业硅材料有限公司 , 亚洲硅业(青海)股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种高盐废水节能处理设备，属于高盐废水处理技术领域，其包括冷氢化反应器、换热结构和高盐废水蒸发结构。通过换热结构能够将从冷氢化反应器出来的高温气体内的热量传递至高盐废水蒸发器内，令高盐废水蒸发器内的高盐废水升温并蒸发，利用蒸发冷凝器来收取蒸发的液体，利用脱水处理器可以对浓度升高至一定程度的废水进行脱水处理。本实用新型公开的高盐废水节能处理设备合理利用冷氢化反应器反应时产生的热量，即避免了热量大量散失在大气内，也无需重新给高盐废水蒸发结构增加热源，从而保证能源合理利用，避免浪费。
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公开(公告)号：CN217291247U
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202220745462.6
申请日：2022-04-01
Applicant: 亚洲硅业(青海)股份有限公司 , 青海亚洲硅业半导体有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: B23P19/06
Abstract: 本实用新型提供了一种螺栓紧固装置，涉及工业生产的技术领域，螺栓紧固装置包括旋转机构、咬合机构、紧固机构以及支座；旋转机构分别与咬合机构和紧固机构连接，旋转机构能够分别带动咬合机构和紧固机构同轴转动；咬合机构用于与螺栓配合，以带动螺栓转动；紧固机构用于与螺母配合，以带动螺母转动；支座与旋转机构固定连接，且支座用于放置在法兰上，与法兰保持相对静止；紧固机构上设置有用于容纳螺栓和咬合机构的第一容纳部。上述设置无需在下部法兰下方操作或者设置结构件，能够重复使用，并可完成紧固和拆卸两种功能。同时，能够实现旋转受力均匀容易一次紧固到位，从而节省操作时间，降低作业人员的操作难度，提高安全性和工作效率。
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公开(公告)号：CN222257743U
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202323669936.7
申请日：2023-12-29
Applicant: 青海亚洲硅业多晶硅有限公司 , 亚洲硅业(青海)股份有限公司 , 青海亚洲硅业半导体有限公司 , 青海亚洲硅业硅材料有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种还原炉余热高效利用系统，属于余热再利用技术领域，其包括过滤器、TCS汽化系统、H2加热器和TCS预热器。底盘上的出口与过滤器的热程通道连通，过滤器、TCS汽化系统、H2加热器和TCS预热器的热程通道依次连通，TCS预热器和TCS汽化系统的冷程通道依次连通后与底盘上的入口连通，H2加热器的冷程通道也与底盘上的入口连通。本实用新型公开的还原炉余热高效利用系统通过尾气热量的多次利用，一方面能够对SiHCl3进行多次加热，另一方面，每个环节内尾气和SiHCl3的温差都被控制在一定范围内，且当尾气经过TCS预热器时，具有更低的温度，也就令尾气排放时具有更低的温度，这样能够有效地减少热量浪费，从而有效地提升了还原炉余热的利用率。
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公开(公告)号：CN212142093U
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202020268360.0
申请日：2020-03-06
Applicant: 亚洲硅业(青海)股份有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种多晶硅还原炉废气抽真空淋洗装置,涉及多晶硅生产领域，包括还原炉、射流真空泵、水封槽和淋洗塔，且淋洗塔安装在水封槽内；所述还原炉上安装有尾气输送管，且尾气输送管的出口端与淋洗塔的下端连接；所述射流真空泵安装在尾气输送管上，且射流真空泵上还安装有进水管。本实用新型在对废气进行淋洗过程中，不需要对还原炉内进行多次加压，有效防止还原炉内的硅棒或硅芯倒炉，使硅棒或硅芯的质量得到保证；同时，能有效使进入还原炉内的氮气能与多晶硅在还原过程中产生的废气进行充分置换，有效避免氮气浪费。
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