公开(公告)号：CN118712308A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410853580.2

申请日：2024-06-28

Applicant: 京东方华灿光电(浙江)有限公司

Inventor： 芮哲 ,  吴俊磊 ,  秦双娇 ,  马国强 ,  游云梦 ,  魏柏林 ,  田艳红

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/44 ,  H01L33/60 ,  H01L33/00

Abstract: 本公开提供了一种提高亮度的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层、第一绝缘层和金属反射层，所述第一绝缘层和所述金属反射层依次层叠在所述外延层的表面上，所述第一绝缘层至少覆盖所述外延层的表面，所述第一绝缘层具有第一通孔，所述金属反射层通过所述第一通孔与所述外延层电连接；所述第一绝缘层包括依次层叠在所述外延层上的第一反光层和第一反射层，所述第一反射层包括交替层叠的第一材料层和第二材料层，所述第一材料层的折射率小于所述第二材料层的折射率。本公开实施例能改善发光二极管的反射效果，提升发光亮度。

公开(公告)号：CN118588835A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410620674.5

申请日：2024-05-20

Applicant: 京东方华灿光电(浙江)有限公司

Inventor： 马国强 ,  魏柏林 ,  崔伟豪 ,  冯怡宁

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00

Abstract: 本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：衬底、外延结构、银镜结构、绝缘结构、电极结构。绝缘结构包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层和第二绝缘层在银镜结构处开设第一绝缘层通孔和第二绝缘层通孔，第一绝缘层通孔和第二绝缘层通孔一次成型。避免了相关技术中开设第二绝缘层通孔时可能导致已经成型的第一绝缘层通孔再次腐蚀，从而使得第一绝缘层向通孔两侧收缩，可能导致电极结构短路的问题，提高了发光二极管的可靠性。同时，采用一次成型制作第一绝缘层通孔和第二绝缘层通孔，简化了制作工艺。

公开(公告)号：CN118610350A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410596917.6

申请日：2024-05-14

Applicant: 京东方华灿光电(浙江)有限公司

Inventor： 魏柏林 ,  韩艺蕃 ,  夏群 ,  刘战祥 ,  田宇航 ,  马国强 ,  游云梦 ,  芮哲 ,  王佳

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/00

Abstract: 本公开实施例提供了一种发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括外延层、依次层叠在外延层上的连接电极层、第一绝缘层、金属插入层和第二绝缘层以及焊盘电极层，金属插入层在外延层上的正投影与第一连接电极在外延层上的正投影部分重叠；第一焊盘电极的部分贯穿第一绝缘层和第二绝缘层且与第一连接电极连接，第二焊盘电极的部分贯穿第一绝缘层和第二绝缘层且与第二连接电极连接，第二焊盘电极在外延层上的正投影与第一连接电极在外延层上的正投影间隔，且与金属插入层在外延层上的正投影间隔，第一焊盘电极和第二焊盘电极均与金属插入层绝缘。本公开实施例能提高LED固晶的可靠性。

公开(公告)号：CN118588836A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410633116.2

申请日：2024-05-21

Applicant: 京东方华灿光电(浙江)有限公司

Inventor： 芮哲 ,  吴俊磊 ,  马国强 ,  游云梦 ,  田宇航 ,  魏柏林 ,  田艳红

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00

Abstract: 本公开提供了一种发光二极管和发光二极管的制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；透明导电层，所述透明导电层位于所述第二半导体层上，所述透明导电层具有多个第一通孔；银镜结构，所述银镜结构位于所述第二半导体层上且覆盖所述透明导电层，所述银镜结构包括依次层叠在所述透明导电层上的绝缘层和银反射层，所述绝缘层具有多个第二通孔，所述银反射层通过所述多个第二通孔与所述透明导电层连接，所述多个第一通孔在所述第二半导体层上的投影分布在所述多个第二通孔在所述第二半导体层上的投影之间。

公开(公告)号：CN119317280A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411157688.4

申请日：2024-08-22

Applicant: 京东方华灿光电(浙江)有限公司

Inventor： 田宇航 ,  王佳 ,  魏柏林 ,  游云梦 ,  芮哲 ,  马国强

IPC: H10H29/14 ,  H10H20/831 ,  H10H20/833 ,  H10H20/841

Abstract: 本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：外延结构、银镜结构、绝缘结构、第一电极和第二电极。第一电极和第二电极包括依次层叠的第一接触层、第一反射层、包裹层、第二反射层、第一粘附层、反射层保护层、第二粘附层、电极保护层和第二接触层。其中，反射层保护层用于保护第一反射层和第二反射层，避免第一反射层和第二反射层的中活泼的反射金属和焊盘中的Au等金属反应，并且由于反射层保护层的材料熔点高于第一反射层和第二反射层的材料熔点，能够使得发光二极管在工作时即使温度较高，也不会发生熔化，保护性能更稳定。避免了绝缘结构破裂造成的短路，提高了LED良率。

公开(公告)号：CN118588817A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410589455.5

申请日：2024-05-13

Applicant: 京东方华灿光电(浙江)有限公司

Inventor： 游云梦 ,  王佳 ,  芮哲 ,  田宇航 ,  马国强 ,  夏群 ,  刘战祥

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/44

Abstract: 本公开提供了一种发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片，属于半导体技术领域。发光二极管芯片的制备方法，包括：生长外延层；在外延层的一侧制备光刻胶层，光刻胶层具有光刻透孔；基于光刻胶层，制备银镜层，使得银镜层位于光刻透孔内；烘烤光刻胶层，使得光刻透孔的孔径增大；基于光刻胶层，制备银镜保护层，使得银镜保护层覆盖在银镜层外。本公开可以有效的提高制备效率。