公开(公告)号：CN119923106A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510051721.3

申请日：2025-01-13

Applicant: 合肥维信诺科技有限公司

Inventor： 靳海旭

IPC: H10K59/122 ,  H10K59/80 ,  H10K59/38 ,  H10K71/00 ,  H10H29/14 ,  H10H20/841 ,  H10H29/851 ,  H10H29/853

Abstract: 本申请实施例提供一种显示面板、显示面板的制造方法及显示装置，显示面板包括：基板、发光层和功能层；发光层设置于基板一侧，发光层包括多个间隔设置的发光单元；功能层，设置于发光层背离基板一侧，功能层包括光反射层和第一封装层，光反射层包括光反射部件，光反射部件围合形成出光口，出光口在基板上的正投影与发光单元在基板上的正投影至少部分交叠；第一封装层包括多个第一封装部，至少部分第一封装部位于出光口。光反射部件用于反射发光单元的大角度光线，提升发光单元的出光效率，至少部分第一封装部位于出光口，减少第一封装部和光反射部件对显示面板厚度的影响，提升显示面板的使用性能。

公开(公告)号：CN119907377A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202510388465.7

申请日：2025-03-31

Applicant: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司

Inventor： 郭凯 ,  李晋闽

IPC: H10H20/831 ,  H10H20/857 ,  H10H20/858 ,  H10H20/84 ,  H10H20/01 ,  H10H29/14

Abstract: 本发明属于深紫外LED芯片技术领域，具体涉及一种深紫外LED芯片及其制备方法，包括蓝宝石衬底、外延层、深刻蚀区域、n刻蚀区域、n第一电极、p第一电极、n第二电极、p第二电极、第一钝化层、连接/反射层、第二钝化层、p厚金层、n厚金层、导热厚金层，蓝宝石衬底表面生长有外延层，外延层的中心和两端刻蚀有深刻蚀区域，外延层上刻蚀有两个n刻蚀区域，两个n刻蚀区域表面分别生长有n第一电极和n第二电极，外延层表面分别生长有p第一电极和p第二电极。本发明连接/反射层结构的设置，同时实现大面积光束反射、p电极与n电极电流扩展以及相邻单元p电极与n电极的串联作用，提升了光提取效率及器件可靠性。

公开(公告)号：CN118486771B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202410782332.3

申请日：2024-06-18

Applicant: 华引芯(武汉)科技有限公司

Inventor： 请求不公布姓名 ,  徐晓丽 ,  刘芳 ,  孙雷蒙

IPC: H10H20/819 ,  H10H20/821 ,  H10H29/01 ,  H10H29/14

Abstract: 本申请提供一种微型发光二极管显示模组及其制备方法，微型发光二极管显示模组包括驱动基板和多个发光结构，多个发光结构设置于驱动基板的一侧，并与驱动基板电性连接，每个发光结构包括在背离驱动基板的方向上依次层叠设置的P型半导体层、量子阱发光层、N型半导体层；其中，每个发光结构中的P型半导体层、量子阱发光层、N型半导体层的截面长度依次减小，多个发光结构中的多个N型半导体层相互间隔设置。本申请提供的微型发光二极管显示模组中，发光结构的发光亮度较高，能够改善相关技术中存在的LED芯片的亮度较低的问题，且多个发光结构中的多个N型半导体层相互间隔设置，能够改善相邻的多个LED芯片光串扰的问题。

公开(公告)号：CN115036406B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202210729826.6

申请日：2022-06-24

Applicant: 苏州华星光电技术有限公司

Inventor： 陈璐 ,  刘琼 ,  李君杰 ,  曹丹

IPC: H10H29/851 ,  H10H29/852 ,  H10H29/01 ,  H10H29/14

Abstract: 本申请实施例公开了一种显示面板及其制作方法、移动终端，显示面板包括：发光基板和色转换层，发光基板包括基板以及设置于基板上的多个光源；色转换层设置于发光基板的出光面一侧，色转换层包括量子点层、以及设置于量子点层两侧的保护层；其中，量子点层包括第一转换部和第二转换部，第二转换部设置于第一转换部的端面且包围第一转换部，在垂直发光基板的方向上，第二转换部的厚度大于第一转换部的厚度；本申请的实施例解决了显示面板边缘处因色转换层周侧的量子点裸露容易被水氧侵蚀失效导致的色转换层周侧失效，显示面板边缘处漏蓝光的技术问题，有效提升了Mini LED显示面板的显示效果。

公开(公告)号：CN115000262B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202210626486.4

申请日：2022-06-02

Applicant: 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 ,  杭州士兰集成电路有限公司

Inventor： 郭茂峰 ,  蔡立鹤 ,  何小可 ,  沈侠强 ,  李世焕 ,  边福强 ,  李士涛

IPC: H10H20/816 ,  H10H20/84 ,  H10H20/857 ,  H10H20/01 ,  H10H29/14

Abstract: 本发明提供了一种正装发光二极管及其制备方法，在透明导电层的第一部分与外延层之间形成透明电介质层，透明导电层的第一部分、透明电介质层及外延层可以构成MIS电容结构，而透明导电层的第二部分用于欧姆接触和电流扩展，可以令第二电极连接相对较高的电位，第三电极连接相对较低的电位，使得外延层中的发光层发光，同时，令第一电极连接相对较高的电位，令第三电极连接相对较低的电位，使得电子从第一半导体层向发光层聚集，空穴从第二半导体层向发光层中聚集，且透明导电层的第一部分和第二部分利用不同工作原理提高了空穴注入效率，增加发光层中的辐射复合效率，在不降低辐射复合发光的透射效率的同时提高了光电转化效率，且成本较低。

公开(公告)号：CN119894302A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510121964.X

申请日：2025-01-23

Applicant: 合肥维信诺科技有限公司

Inventor： 米磊 ,  丁亚楠

IPC: H10K59/35 ,  H10K59/10 ,  H10K59/82 ,  H10H29/14 ,  H10H20/857 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/133

Abstract: 本申请涉及一种透明显示面板及显示装置。所述透明显示面板包括：基板；多个像素单元，设于所述基板的一侧，且与所述多个子区一一对应；每一所述像素单元的至少部分位于对应的所述子区的所述电路区和所述走线区；多个驱动电路组，设于所述基板与所述像素单元之间，且与所述多个子区一一对应；每一所述驱动电路组位于对应的所述子区的所述电路区，且与该所述子区对应的所述像素单元电连接；多个子走线组，设于所述基板与所述像素单元之间，且与所述多个子区一一对应；每一所述子走线组位于对应的所述子区的所述走线区，且与该所述子区对应的所述驱动电路组电连接。本申请能够提升显示效果和使用寿命。

公开(公告)号：CN119866115A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202311352947.4

申请日：2023-10-18

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方技术开发有限公司

Inventor： 张粲 ,  陈小川 ,  王灿 ,  周影

IPC: H10H20/83 ,  H10H20/831 ,  H10H20/832 ,  H10H29/01 ,  H10H29/14

Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制备方法、发光基板、显示装置，通过层叠设置在衬底上的第一电极、第一半导体层、发光层、第二半导体层和第二电极，其中，第二电极包括第一导电层和第二导电层，第二导电层设置在第一导电层之中且第二导电层的电阻率小于第一导电层的电阻率，利用电阻率较小的第二导电层降低第一导电层的方阻，可以降低半导体器件的压降，提升发光基板的亮度均匀性，从而提升显示产品的画质。

公开(公告)号：CN115917767B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202080102500.X

申请日：2020-07-16

Applicant: 苏州晶湛半导体有限公司

Inventor： 程凯 ,  刘撰

IPC: H10H20/831 ,  H10H20/01 ,  H10H29/14 ,  H10H20/841

Abstract: 本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构的制作方法中：对于自下而上依次分布的衬底、第一导电类型的半导体层、发光层与第二导电类型的半导体层，去除第一预定区域的第二导电类型的半导体层、发光层与第一导电类型的半导体层形成凹槽，保留第二、第三预定区域的第二导电类型的半导体层、发光层与第一导电类型的半导体层，第二预定区域保留的各层形成阵列式排布的发光单元，第三预定区域保留的各层形成连接相邻发光单元的连接柱；在行与列方向上，第三预定区域的宽度都小于第二预定区域的宽度。如此，对于镂空的第一导电类型的半导体层、发光层与第二导电类型的半导体层，可自凹槽湿法腐蚀去除衬底，大批量形成多个小尺寸LED结构。

公开(公告)号：CN119855338A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411998626.6

申请日：2024-12-31

Applicant: 安徽三安光电有限公司

Inventor： 孙旭 ,  晋沙沙 ,  林兓兓

IPC: H10H29/14 ,  H10H20/831

Abstract: 本申请提供了一种高压发光二极管及发光装置，高压发光二极管包括衬底和形成于衬底上方的N个发光单元，N≥2，相邻发光单元之间通过隔离槽间隔，发光单元按照预设排列方向通过互联电极依次电连接；互联电极包括分别位于相邻发光单元的第一互联段、第二互联段，以及连接二者的连接段；第一互联段包括第一子段和第二子段，第一子段与连接段连接，至少部分第一子段与隔离槽平行，且至少部分第一子段位于隔离槽中。本申请技术方案通过改变互联电极的结构参数，将部分互联电极设置于隔离槽中，在确保良好的电流扩展效果的前提下，尽可能减少电极遮光面积，以提升产品发光亮度。

公开(公告)号：CN119855337A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411997429.2

申请日：2024-12-31

Applicant: 鸿利智汇集团股份有限公司

Inventor： 欧显雯 ,  尹键 ,  丁鹏 ,  揭秒业 ,  刘烔辉 ,  曾富城 ,  杨梅刚

IPC: H10H29/14 ,  H10H20/84 ,  H10H29/85

Abstract: 本申请提供了一种发光芯片及LED封装结构，包括衬底，所述衬底上设置有层叠的P型半导体层、发光层和N型半导体层；所述发光芯片还包括隔离件，所述隔离件至少将所述发光层和所述N型半导体层分隔成多段，以形成多段发光部。如此，可以减少基板上的芯片数量，简化固晶工艺，减小因位置偏差对产品光斑质量造成的影响，可以节省基板上芯片的占用空间，有利于安装更多的芯片，以提升产品光效。