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公开(公告)号：CN118367029A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310076431.5
申请日：2023-01-17
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本发明实施例公开一种阵列基板、显示面板及显示装置。在一个具体实施方式中，该阵列基板包括衬底及在衬底上依次层叠设置的薄膜晶体管的第一极、介质层、有源层、栅绝缘层和薄膜晶体管的栅极，有源层与第一极连接，介质层开设有第一过孔，有源层包括沟道部，至少部分沟道部为有源层的形成在第一过孔内的部分，栅极在衬底上的正投影与沟道部在衬底上的正投影存在交叠；其中，阵列基板还包括设置在第一极与介质层之间的缓冲层，和/或，第一极在衬底上的正投影与栅极在衬底上的正投影不存在交叠。该实施方式可减小垂直TFT结构中TFT的例如源极的第一极与栅极之间的寄生电容，提升显示效果。
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公开(公告)号：CN118055624A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211459284.1
申请日：2022-11-17
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明实施例公开一种碳纳米管异质结器件和包括该器件的光电探测器。在一具体实施方式中，该碳纳米管异质结二极管包括：第一金属电极；形成在所述第一金属电极层上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体选自In、Ga、Sn、Zn中氧化物中一种或多种；形成在所述氧化物半导体层上的碳纳米管层；以及形成在所述碳纳米管层上的第二电极。该实施方式构建了一种氧化物半导体碳纳米管异质结。氧化物半导体与碳纳米管异质结在红外光照射时，可实现光电信号的快速响应。由此，该实施方式构建的氧化物半导体与碳纳米管异质结可应用于红外光的光电检测。
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公开(公告)号：CN117810289A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211164552.7
申请日：2022-09-23
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L31/113 , H01L31/028 , H01L31/18 , B82Y30/00
Abstract: 本公开提供一种光电晶体管及其制备方法，属于显示技术领域。本公开的光电晶体管，其包括衬底基板，设置在所述衬底基板上的栅极、源极、漏极、半导体有源层和光敏层；所述源极电连接所述半导体有源层的源极接触区；所述漏极电连接所述半导体有源层的漏极接触区；所述栅极和所述光敏层分别位于所述半导体有源层在所述衬底基板厚度方向上的两相对侧；其中，所述光敏层与所述半导体有源层的沟道区至少部分接触，且所述光敏层为碳纳米管。
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公开(公告)号：CN117712182A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410009959.5
申请日：2024-01-03
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
Inventor： 顾鹏飞
IPC: H01L29/786 , H10K59/121 , H01L27/12 , H01L27/15 , H01L21/336
Abstract: 本申请提供了一种TFT及其制备方法。所述TFT包括墙壁结构、电路版图层、以及设置于所述墙壁结构和所述电路版图层之间的缓冲层，其中，所述缓冲层和所述电路版图层包覆于所述墙壁结构的上表面和侧面，所述侧面垂直于所述墙壁结构的厚度方向。相比于平面结构的TFT，由于电路版图层的面积由墙壁结构的上表面延伸至墙壁结构的侧面，使得TFT在平面上占用更小的面积，以此来满足高像素密度的需求，且不会因缩小电路版图层的总面积而对TFT的性能造成影响。
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公开(公告)号：CN116799015A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310945823.0
申请日：2023-07-28
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
Abstract: 本公开提供了一种阵列基板及制造方法、显示面板，涉及显示技术领域。该阵列基板包括驱动层，驱动层中：半导体层包括晶体管的有源部，有源部包括非导体化区，以及位于非导体化区两侧的第一导体区和第二导体区；栅金属层包括导电部，导电部的正投影至少覆盖非导体化区的正投影。本公开实施方式中，导电部的正投影覆盖非导体化区的正投影，从而在晶体管工作时，能够保证第一转接片在有源部上的正投影与导电部在有源部上的正投影之间的区域，以及第二转接片在有源部上的正投影与导电部在有源部上的正投影之间的区域均为导体化结构，以避免第一转接片与导电部之间，以及避免第二转接片与导电部之间出现大电阻的情况，保证晶体管工作时的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116547817A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180003781.8
申请日：2021-12-02
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L31/032
Abstract: 一种光电传感器和基板，该光电传感器包括光电转换层(103)、第一电极(101)和第二电极(102)，第一电极(101)设置在光电转换层(103)的一侧，第二电极(102)设置在光电转换层(103)的一侧，且与第一电极(101)间隔；其中，第一电极(101)和第二电极(102)配置为驱动光电转换层(103)，在垂直于光电转换层(103)的表面的方向上，第一电极(101)和第二电极(102)分别与光电转换层(103)重叠，光电转换层(103)包括氧化物半导体材料。在上述光电传感器中，光电转换层采用氧化物半导体材料，具有较高的信号选择比；另外，光电传感器的制作过程与具有基于氧化物半导体作为有源层的TFT的制作过程相兼容，因此可以简化光电传感器用于基板时的制备工艺。
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公开(公告)号：CN116206564A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310002318.2
申请日：2023-01-03
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G09G3/3225 , G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G3/36 , G02F1/1333
Abstract: 本发明实施例公开了一种像素电路、其驱动方法及显示装置，由于驱动晶体管的沟道材料为具有迟滞效应的材料，因此该驱动晶体管具有迟滞效应；在数据写入阶段，驱动晶体管开启以写入数据电压；在发光阶段，由于驱动晶体管的迟滞效应，即使关断驱动晶体管的栅极电压，驱动晶体管的源漏电流仍然大于其关态电流，驱动晶体管仍然处于开启状态，因此发明实施例提供的像素电路不需要额外设置电容器件即可实现存储功能，从而可以使得像素电路节省一个电容器件，由于像素电路中没有电容器件，从而可以节省制作电容器件的工艺流程，降低成本，同时还可以提升发光亮度、降低功耗，以及可以释放像素空间、减小像素尺寸、提升像素分辨率。
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公开(公告)号：CN115008981A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110246164.2
申请日：2021-03-05
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种贴膜装置、电子装置，涉及电子控制技术领域。其中，贴膜装置包括依次连接的检测模组、控制模组、柔性透明贴膜，柔性透明贴膜包括第一柔性基底、第一电极层、光学层、第二电极层、第二柔性基底，第一电极层包括分立的多个第一电极；检测模组检测人眼观察区、强光光源位置；控制模组根据二者确定柔性透明贴膜上的目标区域，并将第一信号输入目标区域中的第一电极，将第二信号输入第二电极层；光学层在电极电场作用下，使目标区域的透明度小于预设透明度。本发明中，可以根据人眼观察区和强光光源位置，确定待调控的贴膜区域，并施加电场，实现局部区域的透明度调控，避免强光在局部区域产生高亮区域，避免眼睛受损，减少安全隐患。
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公开(公告)号：CN107086227B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201710329943.2
申请日：2017-05-11
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Inventor： 顾鹏飞
IPC: H01L27/15 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 一种发光电路、电子装置、双栅薄膜晶体管及其制备方法。该发光电路包括：双栅薄膜晶体管以及发光元件，其中，所述双栅薄膜晶体管包括第一栅极、第二栅极、第一电极和第二电极，所述发光元件包括第一端和第二端；所述第一栅极和所述第二栅极配置为电连接到不同的信号线，所述第一电极配置为电连接到第一电源端，所述第二电极电连接到所述发光元件的第一端，所述发光元件的第二端配置为电连接到第二电源端；仅当所述第一栅极和第二栅极上同时接收导通信号时，所述双栅薄膜晶体管导通以驱动所述发光元件。本公开提供的发光电路可以简化电路结构并降低成本。
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公开(公告)号：CN109360849A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811296849.2
申请日：2018-11-01
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L27/32 , H01L23/552
Abstract: 本发明提供了基板及其制作方法以及透明显示装置。其中，基板包括：多个像素单元，至少部分所述像素单元包括发光区和透明区，所述发光区中包括薄膜晶体管；挡光部件，所述挡光部件设置在所述发光区中，用于阻挡通过所述透明区射向所述薄膜晶体管的光线。发明人发现，该基板结构简单、易于实现，挡光部件可以有效减少外界射向透明区的光线照射到薄膜晶体管，从而有效保证了薄膜晶体管的稳定性。
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