-
公开(公告)号：CN112099284B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202011054906.3
申请日：2020-09-28
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种显示面板及其显示方法、显示装置，包括：显示基板，被配置为实现透射式或反射式显示；光线调节结构，设置于所述显示基板的出光侧，被配置为在电压控制下透射或吸收所述显示基板的出射光线或入射光线，以使所述显示面板显示亮态或暗态。本发明提供的显示面板及其显示方法、显示装置，能够较好地实现防反射显示。
-
-
公开(公告)号：CN113921573A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111161470.2
申请日：2021-09-30
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 一种显示基板及其制备方法、显示装置，显示基板包括依次叠设于衬底上的驱动结构层和发光结构层，发光结构层包括第一电极层、像素界定层、发光功能层和第二电极层；第一电极层包括设置在驱动结构层上的多个第一电极，像素界定层设于多个第一电极的远离衬底一侧并设有多个像素开口，像素界定层还设有呈网格状的隔离槽结构，隔离槽结构包括多个网格单元，隔离槽结构的每个网格单元将一个像素开口包围；发光功能层包括至少一个共有层，共有层设置在多个第一电极和像素界定层的远离衬底一侧，至少一个共有层被隔离槽结构隔断；第二电极层设置在发光功能层的远离衬底一侧。本公开实施例的显示基板有利于改善相邻子像素的串色问题。
-
公开(公告)号：CN113972226A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111265690.X
申请日：2021-10-28
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种阵列基板以及包括该阵列基板的显示面板和显示装置。所述阵列基板包括低温多晶硅薄膜晶体管阵列、电容结构和氧化物薄膜晶体管阵列，采用双层氧化物有源层工艺，以及由一层或多层栅线驱动的上下双层沟道区，可以减少导电层层数，有利于提升分辨率和背板透过率，保障器件的开态电流，使器件的整体结构可塑性更强，具有更广泛的应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114492276A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011267528.7
申请日：2020-11-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G06F30/367 , G06F30/23 , G06T17/00 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管的特性预测方法、装置及系统，所述方法包括：将用于制作待测薄膜晶体管的工艺条件、所述待测薄膜晶体管的二维结构参数以及物理参数输入至预先建立的器件特性模型，确定所述待测薄膜晶体管在标准温度值下的第一伏安特性曲线以及工作功率；将所述工作功率以及所述待测薄膜晶体管的三维结构参数和热量参数输入至预先建立的温度预测模型，确定所述待测薄膜晶体管在所述工作功率下的温度分布以及最高温度值；将所述最高温度值输入至所述器件特性模型，确定所述待测薄膜晶体管在所述最高温度值下的第二伏安特性曲线；根据所述第二伏安特性曲线与所述第一伏安特性曲线间的偏差，确定所述待测薄膜晶体管的特性变化趋势。
-
公开(公告)号：CN112382682A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011256874.5
申请日：2020-11-11
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0288 , H01L31/105 , H01L31/20 , H01L27/146 , G06K9/00
Abstract: 本文公开了一种光电探测基板及其制备方法、显示装置。光电探测基板包括：衬底基板和设置于衬底基板上的光电二极管，光电二极管包括光电转换层，光电转换层包括第一半导体层和第二半导体层以及设置于第一半导体层和第二半导体层之间的本征层，第二半导体层位于第一半导体层远离衬底基板的一侧，本征层邻近第二半导体层一侧的带隙大于本征层邻近第一半导体层一侧的带隙。本文通过将本征层邻近第二半导体层一侧的带隙设置为大于本征层邻近第一半导体层一侧的带隙，本征层靠近第二半导体层的一侧的宽带隙能够减少对指纹反射光的吸收，本征层靠近第一半导体层的一侧的窄带隙能够增加对指纹反射光的吸收，提升了光电探测基板的检测灵敏度。
-
公开(公告)号：CN114492276B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202011267528.7
申请日：2020-11-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G06F30/367 , G06F30/23 , G06T17/00 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管的特性预测方法、装置及系统，所述方法包括：将用于制作待测薄膜晶体管的工艺条件、所述待测薄膜晶体管的二维结构参数以及物理参数输入至预先建立的器件特性模型，确定所述待测薄膜晶体管在标准温度值下的第一伏安特性曲线以及工作功率；将所述工作功率以及所述待测薄膜晶体管的三维结构参数和热量参数输入至预先建立的温度预测模型，确定所述待测薄膜晶体管在所述工作功率下的温度分布以及最高温度值；将所述最高温度值输入至所述器件特性模型，确定所述待测薄膜晶体管在所述最高温度值下的第二伏安特性曲线；根据所述第二伏安特性曲线与所述第一伏安特性曲线间的偏差，确定所述待测薄膜晶体管的特性变化趋势。
-
公开(公告)号：CN112099284A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011054906.3
申请日：2020-09-28
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种显示面板及其显示方法、显示装置，包括：显示基板，被配置为实现透射式或反射式显示；光线调节结构，设置于所述显示基板的出光侧，被配置为在电压控制下透射或吸收所述显示基板的出射光线或入射光线，以使所述显示面板显示亮态或暗态。本发明提供的显示面板及其显示方法、显示装置，能够较好地实现防反射显示。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.029 seconds)
