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公开(公告)号：CN114698401B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202080002595.8
申请日：2020-10-30
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 一种发光二极管基板及其制作方法和显示装置。该发光二极管基板的制作方法包括：在衬底上形成M个发光二极管芯片的外延层组；将N个衬底上的N个外延层组转移到中载基板上，N个衬底上的N个外延层组密集排列在中载基板上；以及将中载基板上的N个外延层组对应的N*M个发光二极管芯片中至少部分发光二极管芯片转移到驱动基板上。中载基板的面积大于等于N个衬底的面积之和，M为大于等于2的正整数，N为大于等于2的正整数。由此，该发光二极管基板的制作方法可大大提高取用效率和转移效率。
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公开(公告)号：CN113644181B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010395225.7
申请日：2020-05-11
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例提供了一种发光基板及其制造方法和显示装置。所述发光基板包括：第一基板，所述第一基板包括：第一衬底；设置在所述第一衬底上的发光二极管；和设置在所述第一衬底上的第一导电垫；第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对设置，所述第二基板包括：第二衬底；和设置在所述第二衬底上的第二导电垫；以及键合引线结构，所述键合引线结构包括键合引线，其中，所述第一导电垫位于所述第一基板远离所述第二基板的表面，所述第二导电垫位于所述第二基板远离所述第一基板的表面，所述键合引线电连接所述第一导电垫与所述第二导电垫。
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公开(公告)号：CN114698401A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202080002595.8
申请日：2020-10-30
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 一种发光二极管基板及其制作方法和显示装置。该发光二极管基板的制作方法包括：在衬底上形成M个发光二极管芯片的外延层组；将N个衬底上的N个外延层组转移到中载基板上，N个衬底上的N个外延层组密集排列在中载基板上；以及将中载基板上的N个外延层组对应的N*M个发光二极管芯片中至少部分发光二极管芯片转移到驱动基板上。中载基板的面积大于等于N个衬底的面积之和，M为大于等于2的正整数，N为大于等于2的正整数。由此，该发光二极管基板的制作方法可大大提高取用效率和转移效率。
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公开(公告)号：CN111584444B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010399738.5
申请日：2020-05-12
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/427 , H01L27/32
Abstract: 本公开提供一种显示模组和显示装置，属于显示技术领域。显示模组包括：显示面板；金属散热组件，设置于所述显示面板的远离出光面的一侧，所述金属散热组件在所述显示面板上的正投影全部或部分覆盖所述显示面板的表面，所述金属散热组件用于将热量进行垂直于显示面板方向和平行于显示面板方向的传导散发。本公开提供的显示模组中，金属散热组件设置于显示面板的一侧，金属散热组件中含有的金属材料，可使显示面板的热量经由金属散热组件进行多方向的传导散发，从而降低显示面板的温度，提高显示面板的器件性能。
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公开(公告)号：CN114551668A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210179597.5
申请日：2022-02-25
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供了一种发光器件、显示面板及电子设备，发光器件至少包括：第一外延结构、第二外延结构，第一外延结构和第二外延结构能够发出不同波段的光；第一外延结构和第二外延结构沿第一方向依次设置，每个外延结构均包括：N型半导体层、P型半导体层、多量子阱层；第一外延结构和第二外延结构之间设置有导电键合层，包括：第一导电材料层和第二导电材料层，第一导电材料层还与第一外延结构的N型半导体层连接，第二导电材料层还与第二外延结构的P型半导体层连接；第二导电材料层的表面面积小于或等于第一导电材料层的表面面积；第二导电材料层的表面面积与第二外延结构的P型半导体层的表面面积之比的取值范围为0.2‑1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110112092B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201910418812.0
申请日：2019-05-20
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，提出一种器件转移装置，该器件转移装置包括：结构主体、柔性膜层以及两电极。结构主体具有容纳高压流体的容纳腔以及工作面，所述工作面上设置有连通所述容纳腔的开口；柔性膜层设置于所述工作面上；两电极分别设置于所述柔性膜层位于所述开口位置的两侧，两所述电极用于在异性电荷作用下挤压所述柔性膜层，以使所述柔性膜层的位于所述开口位置变薄。本公开提供的器件转移装置可以提高待转移件的转接速度。
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公开(公告)号：CN109917503B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201910204650.0
申请日：2019-03-18
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明实施例提供了一种光栅器件的制造方法，包括：在衬底基板上制作光栅材料层；通过构图工艺在光栅材料层上制作牺牲层，牺牲层制作在非取光区内，用于在后续刻蚀过程中保护该牺牲层下方的光栅材料层；对制作有光栅材料层和牺牲层的衬底基板进行纳米压印和刻蚀处理，使得在取光区内形成光栅结构。本发明实施例还公开了一种光栅器件和显示装置。由于本发明实施例的光栅器件仅在取光区内的衬底基板上设置光栅结构，而在非取光区内没有留有光栅结构，避免了光栅器件在进行取光时，影响取光角度变大且峰值变宽的技术缺陷，增强显示装置的整体显示效果。
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公开(公告)号：CN109742200A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910027341.0
申请日：2019-01-11
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置，本发明采用的显示面板的制备方法通过将第一SiO2层和第二SiO2层之间的直接键合，然后剥离晶片衬底和缓冲层，这样在转移时不需要过渡基板，因此可以降低转移过程的复杂性和成本；并对外延结构进行刻蚀形成多个独立的无机发光二极管，这样不需要现有技术中进行对位的工艺，降低了现有技术中Micro LED向目标基板转移的对位精度的问题。
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公开(公告)号：CN114641808B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202080002097.3
申请日：2020-09-24
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G06V40/13 , H01L31/0216
Abstract: 一种纹路识别模组(100)、其制作方法及显示装置，在纹路识别模组(100)中的基底(1)上制作完成光学传感结构(2)后直接制作结构相对简单的至少两层遮光层(31)和透光层(32)即可达到较好的准直效果，且器件结构较轻薄，可以降低器件的加工工艺难度。避免采用在纹路识别模组(100)之上采用光学胶(OCA)(300)贴合准直结构(3)的方式带来的起泡等影响良率的问题。并且，由于在光学传感结构(2)之上直接制作膜层形成准直结构(3)，因此，可以采用阵列基板之上膜层制作通用的设备完成准直结构(3)的制作，无需增加新的制作设备。
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公开(公告)号：CN117480612A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202280001270.7
申请日：2022-05-18
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L27/15
Abstract: 一种发光芯片及其制备方法、发光基板、显示装置，发光芯片包括：硅基衬底(1)，包括多个子像素开口(2，R，G，B)；多个发光器件(3)，在硅基衬底(1)的一侧形成；发光器件(3)与子像素开口(2，R，G，B)一一对应，发光器件(3)在硅基衬底(1)的正投影与子像素开口(2，R，G，B)具有交叠；多个光致发光彩膜(4)，位于至少部分子像素开口(2，R，G，B)内。
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