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公开(公告)号：CN104409635A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410784404.4
申请日：2014-12-16
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0015 , H01L29/786 , H01L51/002 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/105 , H01L51/107 , H01L51/0508 , H01L51/05 , H01L51/10 , H01L2251/10
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，用以实现在对有机薄膜晶体管的有机半导体层进行图形化时，不需要采用刻蚀的方法，进而提高有机薄膜晶体管的性能。所述方法包括有机半导体层的制作，其中，制作有机半导体层后，所述方法还包括：将所述有机半导体层进行部分遮挡，在所述有机半导体层上形成遮挡区域和未遮挡区域，其中，所述遮挡区域对应需要形成有机薄膜晶体管的有源层的区域；对所述有机半导体层进行掺杂，所述遮挡区域对应的有机半导体层未被掺杂，所述未遮挡区域对应的有机半导体层被掺杂。
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公开(公告)号：CN104183648A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410360841.3
申请日：2014-07-25
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0516 , H01L27/12 , H01L27/283 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/7869 , H01L51/052 , H01L51/0545 , H01L51/102 , H01L51/105 , H01L27/1214 , H01L29/42384 , H01L29/66742 , H01L2029/42388
Abstract: 本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，涉及薄膜晶体管技术领域，解决了现有的薄膜晶体管的结构中由于源漏电极与绝缘层之间存在段差且不在同一界面，使得最终在形成有源层时，在源漏电极和绝缘层上的膜厚不易控制，出现源漏极的沟道处的有源层断线的问题，提高了薄膜晶体管的性能和稳定性，降低了生产成本。该薄膜晶体管包括:栅极和栅绝缘层，其中，栅绝缘层上与所述栅极对应的位置处设置有凹槽。本发明应用于显示技术领域中。
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公开(公告)号：CN104409635B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410784404.4
申请日：2014-12-16
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0015 , H01L29/786 , H01L51/002 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/105 , H01L51/107
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，用以实现在对有机薄膜晶体管的有机半导体层进行图形化时，不需要采用刻蚀的方法，进而提高有机薄膜晶体管的性能。所述方法包括有机半导体层的制作，其中，制作有机半导体层后，所述方法还包括：将所述有机半导体层进行部分遮挡，在所述有机半导体层上形成遮挡区域和未遮挡区域，其中，所述遮挡区域对应需要形成有机薄膜晶体管的有源层的区域；对所述有机半导体层进行掺杂，所述遮挡区域对应的有机半导体层未被掺杂，所述未遮挡区域对应的有机半导体层被掺杂。
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公开(公告)号：CN104409361A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410784031.0
申请日：2014-12-16
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/786 , H01L29/423
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0018 , H01L51/0541 , H01L51/0562 , H01L51/0508 , H01L27/1214 , H01L51/0001
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置，由于钝化层的材料为负性光刻胶或正性光刻胶，因此，在通过一次构图工艺形成有源层的图形、以及覆盖有源层的钝化层的图形时，可以利用钝化层作为制备有源层的图形的光刻胶，并且，在构图后不对残留在有源层上的负性光刻胶或正性光刻胶材料的钝化层进行去胶处理，因此，与现有技术相比，可以避免在去胶过程中存在的对有源层的性能的直接破坏作用，从而保证薄膜晶体管的性能。另外，保留的钝化层可以作为有源层的保护层防止杂质从有源层的上方进入有源层，从而进一步保证薄膜晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN104218151A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410413117.2
申请日：2014-08-20
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
CPC classification number: H01L51/105 , H01L51/0018 , H01L51/0529 , H01L51/0545 , H01L51/055 , H01L51/107
Abstract: 本发明的实施例提供一种有机薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，涉及薄膜晶体管技术领域，解决了薄膜晶体管中的电极层的接触角较大使得有机半导体层形成效果不佳，容易出现断线的问题，保证了薄膜晶体管的质量和性能，避免了对原材料的浪费，降低了生产成本。该薄膜晶体管包括：源极、漏极和设置于所述源极和漏极上方的有机半导体层，该有机薄膜晶体管还包括：修饰层，其中：修饰层设置于有机半导体层的下方与源极和漏极对应的位置处；修饰层覆盖源极和漏极；修饰层用于改变源极和漏极的接触角。本发明应用于显示技术领域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104091886B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201410319179.7
申请日：2014-07-04
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L51/0018 , H01L51/052 , H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 本发明实施例提供一种有机薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可在封装和保护有机半导体有源层的同时，形成厚度较薄成膜均匀的有机绝缘层，降低形成过孔的工艺难度，提高工艺可靠性。该方法包括形成包括源极、漏极的源漏金属层，以及有机半导体有源层；所述有机半导体有源层与所述源极、所述漏极接触；在形成有包括所述源极、所述漏极的源漏金属层以及所述有机半导体有源层上形成有机绝缘薄膜，采用刻蚀减薄工艺减薄所述有机绝缘薄膜的厚度，并采用固化工艺固化减薄后的所述有机绝缘薄膜，形成有机绝缘层；其中，所述方法还包括形成栅极。用于有机薄膜晶体管及包括该有机薄膜晶体管的阵列基板的制备。
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公开(公告)号：CN104485420A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410818567.X
申请日：2014-12-24
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0508 , H01L51/0001
Abstract: 本发明提供一种有机薄膜晶体管及其制备方法，涉及有机半导体器件领域，通过该制备方法，可以降低有机薄膜晶体管的关态电流，进而提高其开关比。一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底上形成栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，还包括：至少对所述有机半导体层用于形成沟道的部分进行等离子表面处理。用于有机薄膜晶体管、包含该有机薄膜晶体管的显示面板或者显示装置的制备。
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公开(公告)号：CN104091886A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410319179.7
申请日：2014-07-04
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L51/0018 , H01L51/052 , H01L51/0545 , H01L51/105 , H01L51/107 , H01L51/0003 , H01L51/102
Abstract: 本发明实施例提供一种有机薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可在封装和保护有机半导体有源层的同时，形成厚度较薄成膜均匀的有机绝缘层，降低形成过孔的工艺难度，提高工艺可靠性。该方法包括形成包括源极、漏极的源漏金属层，以及有机半导体有源层；所述有机半导体有源层与所述源极、所述漏极接触；在形成有包括所述源极、所述漏极的源漏金属层以及所述有机半导体有源层上形成有机绝缘薄膜，采用刻蚀减薄工艺减薄所述有机绝缘薄膜的厚度，并采用固化工艺固化减薄后的所述有机绝缘薄膜，形成有机绝缘层；其中，所述方法还包括形成栅极。用于有机薄膜晶体管及包括该有机薄膜晶体管的阵列基板的制备。
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公开(公告)号：CN104485420B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201410818567.X
申请日：2014-12-24
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种有机薄膜晶体管及其制备方法，涉及有机半导体器件领域，通过该制备方法，可以降低有机薄膜晶体管的关态电流，进而提高其开关比。一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底上形成栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，还包括：至少对所述有机半导体层用于形成沟道的部分进行等离子表面处理。用于有机薄膜晶体管、包含该有机薄膜晶体管的显示面板或者显示装置的制备。
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公开(公告)号：CN104183648B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201410360841.3
申请日：2014-07-25
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0516 , H01L27/12 , H01L27/283 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/7869 , H01L51/052 , H01L51/0545 , H01L51/102 , H01L51/105
Abstract: 本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，涉及薄膜晶体管技术领域，解决了现有的薄膜晶体管的结构中由于源漏电极与绝缘层之间存在段差且不在同一界面，使得最终在形成有源层时，在源漏电极和绝缘层上的膜厚不易控制，出现源漏极的沟道处的有源层断线的问题，提高了薄膜晶体管的性能和稳定性，降低了生产成本。该薄膜晶体管包括:栅极和栅绝缘层，其中，栅绝缘层上与所述栅极对应的位置处设置有凹槽。本发明应用于显示技术领域中。
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