公开(公告)号：CN108878650A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201710324191.0

申请日：2017-05-10

Applicant: 元太科技工业股份有限公司

Inventor： 林冠峄 ,  唐文忠 ,  陈柏炜 ,  许毓麟

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10

CPC classification number: H01L51/0558 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/105 ,  H01L51/107

Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管，包含基板、源极/漏极层、第一缓冲层、半导体层、栅极绝缘层与栅极。源极/漏极层位于基板上。源极/漏极层具有源极区与漏极区。第一缓冲层位于源极区与漏极区之间，且第一缓冲层覆盖至少部分的源极区与至少部分的漏极区。半导体层位于源极/漏极层与第一缓冲层上。第一缓冲层位于半导体层、源极区、漏极区与基板之间。栅极绝缘层覆盖源极/漏极层与半导体层。栅极位于栅极绝缘层上，且栅极绝缘层的一部分位于栅极与半导体层之间。第一缓冲层可用来填补源极区与漏极区之间的空间，避免半导体层形成在源极区与漏极区的楔形底切结构上，使半导体层具有均匀的厚度，能提升有机薄膜晶体管的电性稳定性。

公开(公告)号：CN105612629B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201480049057.9

申请日：2014-09-02

Applicant: 欧司朗OLED股份有限公司

Inventor： 迈克尔·波普 ,  理查德·贝尔

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L51/107 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/5231 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/558

Abstract: 提出一种有机光电子器件，所述有机光电子器件具有衬底(101)，在所述衬底上设置有第一电极(102)，在所述第一电极上方设置有具有至少一个有机光电子层的有机功能层堆(103)并且在所述有机功能层堆上方设置有第二电极(104)。在第二电极(104)上方设置有薄膜封装件(107)并且在有机功能层堆(103)和薄膜封装件(107)之间除了第二电极(104)之外设置有至少一个第一中间层(121)，所述第一中间层具有与直接相邻的层不同的硬度。

公开(公告)号：CN104769017B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201380042382.8

申请日：2013-03-01

Applicant: 3M创新有限公司

Inventor： 托马斯·P·克伦 ,  艾伦·K·纳赫蒂加尔 ,  约瑟夫·C·斯帕尼奥拉 ,  马克·A·勒里希 ,  詹妮弗·K·施诺布利希 ,  盖伊·D·乔利 ,  克里斯托弗·S·莱昂斯

IPC: C08J5/00 ,  C08J7/04 ,  C08G18/00 ,  C07F7/10 ,  C07F7/18

CPC classification number: C09D143/04 ,  B05D1/60 ,  B05D3/067 ,  B05D3/068 ,  B05D3/101 ,  B32B27/308 ,  B32B2250/04 ,  B32B2307/7242 ,  B32B2307/7244 ,  C07F7/1804 ,  C08F130/08 ,  C08J7/045 ,  C08J2333/12 ,  C08K3/34 ,  C09D133/14 ,  C09D135/02 ,  C09J133/14 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  H01L51/004 ,  H01L51/107 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5253 ,  Y10T428/1064 ,  Y10T428/31507 ,  Y10T428/31551 ,  Y10T428/31609 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明提供了氨基甲酸酯(多)‑(甲基)丙烯酸酯(多)‑硅烷组合物和包含至少一种氨基甲酸酯(多)‑(甲基)丙烯酸酯(多)‑硅烷前体化合物的(共)聚合物反应产物的制品。本发明还提供了制品，其包含基底、基底的主表面上的基础(共)聚合物层、基础(共)聚合物层上的氧化物层；和在所述氧化物层上的保护性(共)聚合物层，其中所述保护性(共)聚合物层包含至少一种氨基甲酸酯(多)(甲基)丙烯酸酯(多)‑硅烷前体化合物的反应产物。所述基底可为(共)聚合物膜或电子器件如有机发光器件、电泳发光器件、液晶显示器、薄膜晶体管或它们的组合。本发明还描述了制备氨基甲酸酯(多)‑(甲基)丙烯酸酯(多)‑硅烷前体化合物的方法及其在复合多层阻挡膜中的用途。本发明还描述了在选自固态照明装置、显示装置以及它们的组合的制品中使用此类阻挡膜的方法。

公开(公告)号：CN105264685B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201480032213.0

申请日：2014-09-30

Applicant: 乐金显示有限公司

Inventor： 咸允慧 ,  李政炯

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5246 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/102 ,  H01L51/107 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5256 ,  H01L51/5268 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/558 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本申请涉及一种有机电子器件的制造方法、由此制造的有机电子器件、以及所述有机电子器件的用途。在制造有机电子器件的工艺中，以简单的工艺使垫片区域的暴露可以有效地进行，从而阻止污染等的渗入，并且提供通过所述方法制造的有机电子器件以及所述有机电子器件的用途。

公开(公告)号：CN107078164A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580052734.7

申请日：2015-10-27

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 池田典昭

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/105 ,  H01L51/107

Abstract: 本发明提供在利用印刷法等湿式成膜法形成半导体层的有机半导体薄膜晶体管中显示良好特性的薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管在第1基板上至少具有栅电极、栅极绝缘层、源电极、漏电极、连接于源电极及漏电极的半导体层、以及保护层，源电极及漏电极表面具有凹凸构造。

公开(公告)号：CN104409635B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201410784404.4

申请日：2014-12-16

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 谢应涛 ,  欧阳世宏 ,  蔡述澄 ,  石强 ,  刘则 ,  方汉铿

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0015 ,  H01L29/786 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/105 ,  H01L51/107

Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，用以实现在对有机薄膜晶体管的有机半导体层进行图形化时，不需要采用刻蚀的方法，进而提高有机薄膜晶体管的性能。所述方法包括有机半导体层的制作，其中，制作有机半导体层后，所述方法还包括：将所述有机半导体层进行部分遮挡，在所述有机半导体层上形成遮挡区域和未遮挡区域，其中，所述遮挡区域对应需要形成有机薄膜晶体管的有源层的区域；对所述有机半导体层进行掺杂，所述遮挡区域对应的有机半导体层未被掺杂，所述未遮挡区域对应的有机半导体层被掺杂。

公开(公告)号：CN105140261A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510451019.2

申请日：2015-07-28

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 刘则

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/40 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/107 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0014 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/055 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/105 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0508

Abstract: 本发明公开一种有机薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置，属于薄膜晶体管领域，所述制备方法包括：制备样本结构，所述样本结构包括制备有机半导体层之前制备的各个膜层；在所述样本结构上制备图案化的修饰层；在包括所述图案化的修饰层的样本结构上制备有机半导体层。有机薄膜晶体管包括：样本结构，所述样本结构包括制备有机半导体层之前制备的各个膜层；在所述样本结构上制备的图案化的修饰层；在包括所述图案化的修饰层的样本结构上制备的有机半导体层。本发明通过在制备有机半导体层之前制备得到的样本结构上制备图案化的修饰层，能够对修饰层的接触角进行调整，可以避免在修饰层上制备有机半导体层时出现分布不均匀的现象。

公开(公告)号：CN105098076A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510335120.1

申请日：2015-06-16

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  上海交通大学

Inventor： 黄维

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/107 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/105 ,  H01L2251/303

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，该薄膜晶体管包括：有机半导体层和源漏电极层，还包括金属氧化物绝缘层，所述金属氧化物绝缘层设置在所述有机半导体层和所述源漏电极层之间，功函高于所述源漏电极层的功函。本发明提供的薄膜晶体管中，功函较高的金属氧化物绝缘层能够产生界面偶极势垒以降低源漏电极中的载流子进入到有机半导体层中的难度，从而能够减小源漏电极层与半导体层之间的接触电阻，提高薄膜晶体管的电学性能。

公开(公告)号：CN104882541A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510281075.6

申请日：2015-05-28

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨尊先 ,  郭太良 ,  徐胜 ,  周雄图 ,  钱堃 ,  杨洋

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/05 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0032 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/107

Abstract: 本发明涉及一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出金属量子点层、有机半导体层，随后，通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金属量子点/有机半导体复合导电沟道层表面及其硅片衬底背面上分别形成Cr/Au复合金属电极，作为相应的源极、漏极和栅极，再通过旋涂有机物实现对量子点导电沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，有效提高了金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的开关比及其电流值，因此，在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。

公开(公告)号：CN104425624A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410397278.7

申请日：2014-08-13

Applicant: 索尼公司

Inventor： 秋山龙人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/107 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明涉及电子器件、图像显示装置以及用于构成图像显示装置的基板。所述电子器件包括：单独地形成于基底上的第一电极和第二电极；功能层，其包括有机半导体材料层并形成于在所述第一电极与第二电极之间的所述基底上；功能层延伸部，其包括所述有机半导体材料层并从所述功能层延伸；保护膜，其至少形成于所述功能层上；以及绝缘层，其覆盖整个表面，其中，所述保护膜被图案化成至少包括以锐角彼此交叉的两条侧边，且所述保护膜的所述两条侧边彼此交叉的顶点部被倒角。本发明可以使得包括有机半导体材料层的功能层得到可靠地保护，且能够在覆盖电子器件的整个表面的绝缘层中确保高的粘附性。