触控基板及触控显示面板

    公开(公告)号:CN107168585B

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN201710536925.1

    申请日:2017-07-04

    Abstract: 本发明提供一种触控基板及触控显示面板,属于显示技术领域,其可解决现有的触控显示面板整体容值不均一的问题。本发明的触控基板,包括触控区和位于触控区的至少部分侧边外的走线区;走线区中设有与触控区邻近的信号线;触控区分为与走线区相邻的附加感应区和除附加感应区外的正常感应区,且附加感应区和正常感应区内均设有多个触控电极块,其中,附加感应区中的每个触控电极块的面积均小于正常感应区的每个触控电极块的面积。

    探测基板及探测装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118571883A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410704126.0

    申请日:2024-05-31

    Abstract: 本公开提供了一种探测基板及探测装置,涉及光电技术领域,探测基板,包括:衬底基板,以及设置在衬底基板一侧的探测区和非探测区,探测区包括多个探测单元,探测单元包括:薄膜晶体管;感光器件,位于薄膜晶体管远离衬底基板的一侧,包括依次层叠设置的第一电极、光电二极管以及第二电极,第一电极靠近薄膜晶体管设置,第一电极和第二电极分别与光电二极管连接,第一电极还与薄膜晶体管的第一极连接;第二电极背离衬底基板的表面上设置有绝缘层,在绝缘层与第二电极之间无其它膜层设置,在衬底基板上的正投影中,位于探测单元内的绝缘层没有设置过孔。

    一种阵列基板、显示面板

    公开(公告)号:CN108493194A

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201810269512.6

    申请日:2018-03-28

    Abstract: 本发明公开了一种阵列基板、显示面板。阵列基板包括依次设置的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和第二绝缘层,还包括暴露第一金属层的第一过孔和暴露第二金属层的第二过孔,还包括与第二金属层同层设置的辅助金属块和暴露辅助金属块的辅助过孔,第一过孔、第二过孔和辅助过孔采用一次刻蚀工艺形成。当刻蚀第二绝缘层后,在形成第一过孔而刻蚀第一绝缘层的过程中,第二过孔和辅助过孔暴露出的金属的刻蚀面积之和大于第二过孔暴露出的金属的刻蚀面积,增加了对第二金属层的刻蚀负载,降低了第二过孔处的第二金属层的刻蚀速率,降低了第二过孔的过刻,避免了集成电路与数据线的接触电阻增大,提高了显示面板的产品良率。

    触控基板及触控显示面板

    公开(公告)号:CN107168585A

    公开(公告)日:2017-09-15

    申请号:CN201710536925.1

    申请日:2017-07-04

    CPC classification number: G06F3/0412 G06F3/044

    Abstract: 本发明提供一种触控基板及触控显示面板,属于显示技术领域,其可解决现有的触控显示面板整体容值不均一的问题。本发明的触控基板,包括触控区和位于触控区的至少部分侧边外的走线区;走线区中设有与触控区邻近的信号线;触控区分为与走线区相邻的附加感应区和除附加感应区外的正常感应区,且附加感应区和正常感应区内均设有多个触控电极块,其中,附加感应区中的每个触控电极块的面积均小于正常感应区的每个触控电极块的面积。

    一种平板探测器
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119092522A

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202411187920.9

    申请日:2024-08-27

    Abstract: 本申请提供一种平板探测器,属于平板探测技术领域,包括:像素区以及绑定区;所述平板探测器在所述像素区包括:衬底;多个薄膜晶体管,设置在所述衬底的一侧,所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极;光电转换层,设置在所述薄膜晶体管背离所述衬底的一侧;栅极走线,设置在所述衬底背离所述薄膜晶体管的一侧,所述栅极走线通过开设在所述衬底上的多个第一通孔与各个所述薄膜晶体管的所述栅极连接;其中,所述光电转换层在所述衬底上的正投影与所述栅极走线在所述衬底上的正投影至少部分交叠。通过本申请提供的一种平板探测器,可以提升平板探测器的像素填充率。

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