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公开(公告)号：CN101971095A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980109009.3
申请日：2009-02-12
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: G03F7/075 , B41C1/1008 , B41C1/1016 , B41C2201/02 , B41C2201/14 , B41C2210/04 , B41C2210/06 , B41C2210/10 , B41C2210/20 , B41C2210/22 , B41C2210/24 , B41C2210/266 , G03F7/0047
Abstract: 用辐射敏感性可成像层制备的负性工作可成像元件，该辐射敏感性可成像层含有表面改性的二氧化硅颗粒例如热解法二氧化硅颗粒和溶胶凝胶二氧化硅颗粒，所述颗粒按大约1-大约40重量％的量存在，具有大约1-大约500nm的平均粒度，具有表面羟基，并具有大约0.5-大约15重量％的源自含1-30个碳原子的表面疏水性基团的碳含量。所述表面改性的二氧化硅颗粒的存在提供改进的耐磨性、降低的粘性和各种其它期望的性能。
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公开(公告)号：CN101971095B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN200980109009.3
申请日：2009-02-12
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: G03F7/075 , B41C1/1008 , B41C1/1016 , B41C2201/02 , B41C2201/14 , B41C2210/04 , B41C2210/06 , B41C2210/10 , B41C2210/20 , B41C2210/22 , B41C2210/24 , B41C2210/266 , G03F7/0047
Abstract: 用辐射敏感性可成像层制备的负性工作可成像元件，该辐射敏感性可成像层含有表面改性的二氧化硅颗粒例如热解法二氧化硅颗粒和溶胶凝胶二氧化硅颗粒，所述颗粒按大约1-大约40重量％的量存在，具有大约1-大约500nm的平均粒度，具有表面羟基，并具有大约0.5-大约15重量％的源自含1-30个碳原子的表面疏水性基团的碳含量。所述表面改性的二氧化硅颗粒的存在提供改进的耐磨性、降低的粘性和各种其它期望的性能。
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公开(公告)号：CN101959686B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200980107263.X
申请日：2009-03-03
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: C09B1/51 , B41C1/1008 , B41C1/1016 , B41C2201/02 , B41C2201/14 , B41C2210/04 , B41C2210/06 , B41C2210/22 , B41C2210/24 , B41M5/368 , B41M5/465 , C08F2/50 , C09B5/60 , C09B69/06 , G03F7/029 , Y10T428/24802
Abstract: 辐射敏感组合物和负性工作可成像元件，包括具有四芳基硼酸盐抗衡阴离子的阳离子IR吸收剂和具有四芳基硼酸盐抗衡阴离子的引发剂。这些组分的使用提供高成像敏感性、优良贮藏寿命和长印刷周期。
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公开(公告)号：CN101959686A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107263.X
申请日：2009-03-03
Applicant: 伊斯曼柯达公司
CPC classification number: C09B1/51 , B41C1/1008 , B41C1/1016 , B41C2201/02 , B41C2201/14 , B41C2210/04 , B41C2210/06 , B41C2210/22 , B41C2210/24 , B41M5/368 , B41M5/465 , C08F2/50 , C09B5/60 , C09B69/06 , G03F7/029 , Y10T428/24802
Abstract: 辐射敏感组合物和负性工作可成像元件，包括具有四芳基硼酸盐抗衡阴离子的阳离子IR吸收剂和具有四芳基硼酸盐抗衡阴离子的引发剂。这些组分的使用提供高成像敏感性、优良贮藏寿命和长印刷周期。
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